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专利号:200610095644
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多晶硅层及其制造方法

一种多晶硅层的制造方法,其包括下列步骤:首先,提供一基板,并在基板上形成一非晶硅层。在非晶硅层上形成一图案化金属层。然后,进行一脉冲模式快速升温退火处理制程,以在图案化金属层与非晶硅层之间形成一金属硅化物,且图案化金属层与金属硅化物将热能传导至非晶硅层,以使非晶硅层转换成一多晶硅层。最后,移除图案化金属层。因此,此多晶硅层较不易产生金属污染的现象。

多晶硅层及其制造方法

一种多晶硅层的制造方法,其特征在于,包括:    提供一基板,并在所述基板上形成一非晶硅层;    在所述非晶硅层上形成一图案化金属层;    进行一脉冲模式快速升温退火处理,以在所述图案化金属层与所述非晶硅层之间形成一金属硅化物,且所述图案化金属层与所述金属硅化物将热能传导至所述非晶硅层,以使所述非晶硅层转换成一多晶硅层;以及    移除所述图案化金属层。
 


  
专利号: 200610095644
申请日: 2006年6月22日
公开/公告日: 2007年12月26日
授权公告日:
申请人/专利权人: 中华映管股份有限公司
国家/省市: 台湾(71)
邮编:
发明/设计人: 林炯暐、李圣琦、陈易良、黄瑞成、邓德华
代理人: 陈亮
专利代理机构: 上海专利商标事务所(31100)
专利代理机构地址: 上海市桂平路435号(200233)
专利类型: 发明
公开号: 101093798
公告日:
授权日: 20
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 4
页数: 5
权利要求项数: 1
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