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使用晶片键合技术制造无缺陷高Ge含量(25%)绝缘体上SIGE（SGOI）衬底的方法 |
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| 一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约２５原子百分比的高Ｇｅ含量的ＳｉＧｅ层的基本无缺陷ＳＧＯＩ衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在ＳｉＧｅ层与低温氧化物层之间形成包含Ｓｉ、Ｇｅ和Ｏ元素的键合界面即界面ＳｉＧｅＯ层的初始预键合步骤。本发明还提供ＳＧＯＩ衬底以及包括该ＳＧＯＩ衬底的结构。 |
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使用晶片键合技术制造无缺陷高Ge含量(25%)绝缘体上SIGE（SGOI）衬底的方法
一种形成绝缘体上ＳｉＧｅ衬底的方法，包括步骤： 在包含位于牺牲衬底上的完全弛豫ＳｉＧｅ层的结构上形成低温氧化物； 在第一温度下对包含所述低温氧化物的所述结构进行第一退火，以在低温氧化物与所述ＳｉＧｅ层之间形成包含Ｓｉ、Ｇｅ和Ｏ元素的界面层； 在所述完全弛豫ＳｉＧｅ层中提供注入区； 将所述低温氧化物键合到半导体衬底的表面，其中所述键合包括在所述低温氧化物的所述暴露表面与所述半导体衬底之间形成键合的接触键合、加强所述键合的第二温度下的第二退火、以及在大于第二温度的第三温度下执行的引起所述完全弛豫ＳｉＧｅ层中的所述注入区处的分离的第三退火，由此所述牺牲衬底和完全弛豫ＳｉＧｅ层的一部分被去除；以及 在大于第三温度的第四温度下将结构重新退火以形成绝缘体上ＳｉＧｅ（ＳＧＯＩ）衬底，该衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的所述低温氧化物、以及位于所述低温氧化物上的具有大约１０↑［４］至大约１０↑［５］个缺陷／ｃｍ↑［２］或更小的缺陷密度和大于２５原子百分比的Ｇｅ含量的所述完全弛豫ＳｉＧｅ层，其中所述低温氧化物和所述完全弛豫ＳｉＧｅ层通过所述界面层分开。
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