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| 通过引入用于取代晶格点位置的组分原子的杂质原子Ｓ和将被插入到基质半导体的间隙位置的杂质原子Ｉ形成的一种配备有填充四面体半导体的半导体器件，其中在该基质半导体处组分原子被键合以形成四面体键结构。这种半导体器件被制造为呈现高迁移率级别和高电流驱动力并且使用如下的一种半导体物质作为沟道材料，该半导体物质中由于杂质原子Ｓ和杂质原子Ｉ之间发生的电荷转移使得杂质原子Ｓ具有与基质半导体的组分原子一致的电荷，并且该半导体物质中杂质原子Ｉ以一种呈现闭壳结构的电子排列的状态键合。 |
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使用填充四面体半导体的半导体器件
一种具有ＭＩＳ型场效应晶体管的半导体器件，包括： 第一半导体薄膜； 被形成为由所述第一半导体薄膜彼此分开的源／漏区； 在所述源／漏区之间的所述第一半导体薄膜上形成的栅绝缘膜；以及 在所述栅绝缘膜上形成的栅电极， 所述第一半导体薄膜包括： 基质半导体，其具有的组分原子键合从而形成四面体键结构； 用于取代所述基质半导体的晶格点位置的组分原子的杂质原子Ｓ，并且使该杂质原子Ｓ具有与所述基质半导体的组分原子一致的电荷；以及 将被插入到所述基质半导体的间隙位置中的杂质原子Ｉ，该杂质原子Ｉ与所述杂质原子Ｓ键合，并且该杂质原子Ｉ处于呈现闭壳结构的电子排列的状态。
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