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| 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底（ＧａＮ衬底）的半导体元件的制造性，同时在ＧａＮ衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面（１０ａ）相对于（０００１）面在＜１－１００＞方向具有大于等于０．１°小于等于１．０°的偏移角度θ的氮化镓衬底（１０）。并且，在ＧａＮ衬底（１０）的上表面（１０ａ）上层叠含有ｎ型半导体层（１１）的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。 |
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半导体元件以及半导体元件的制造方法
一种半导体元件，其具有： 氮化镓衬底；以及 在上述氮化镓衬底的上表面上形成的氮化物类半导体层， 上述氮化镓衬底的上述上表面相对于（０００１）面在＜１－１００＞方向具有大于等于０．１°小于等于１．０°的偏移角度。
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