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钱眼专利首页 > 带有PN结栅的 的专利共 31 条
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1
横型接合型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：02828201]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第３半导体层（１３）中的源／漏区层（６、８）之间，跨越第２半导体层（１２）及第３半导体层...
2005年5月25日
2
硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法　[申请号/专利号：200810101466]
申请人/专利权人：北京工业大学
硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）制造方法，能够在沟槽栅、表面栅和隐埋栅型功率ＪＦＥＴ结构中栅极区的下方形成隐埋的局域绝缘层。其技术方案是：将ＳＯＩ工艺中...
2008年8月20日
3
CMOS图像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200710146866]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
本发明提供一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其通过驱动晶体管的栅极中的ＰＮ结形成耗尽层，以提高对蓝光的灵敏度。形成在栅极的上部的耗尽层提高了ＣＭＯＳ图像传感器对蓝光的...
2008年3月5日
4
带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200410092645]
申请人/专利权人：株式会社电装
一种碳化硅半导体器件包括衬底（１、３１）和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层（２、３２），其设置在衬底（１、３１）上；第一栅极层（３、３３），其设置在第一半...
2005年5月18日
5
离子注入掩模及其制造方法,使用离子注入掩模的碳化硅半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610108343]
申请人/专利权人：本田技研工业株式会社、新电元工业株式会社
本发明披露了一种离子注入掩模（１０）的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材（１１）的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜（１２）；在所述氧化物膜（１２）上形成金属薄...
2007年2月7日
6
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：03801672]
申请人/专利权人：索尼株式会社
提供了半导体器件，其中通过单次扩散使扩散层中的杂质扩散深度一致，并获得期望的阈值电压，从而提高产量，以及提供了制造这种半导体器件的方法。该半导体器件具有形成于衬底（１２...
2005年3月16日
7
制造半导体器件的方法及其半导体器件　[申请号/专利号：01811030]
申请人/专利权人：自由度半导体公司
一种制造半导体器件的方法包括提供具有表面（１１９）的基片（１１０），在基片的表面上提供由未掺杂的砷化镓所构成的层面（１２０），在该层面的第一部分上形成栅接头（２１０），...
2003年8月13日
8
结型场效应管及其制造方法　[申请号/专利号：200710161270]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种结型场效应管，在现有的结型场效应管中，由于在外延层形成沟道区域，故不能形成浅的沟道区域，且高频特性的改善有限。另外，分离区域和沟道区域的ｐｎ结的杂质浓度差大，而不能...
2008年4月30日
9
接合型FET及其制造方法　[申请号/专利号：200710142670]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
一种接合型ＦＥＴ及其制造方法。在现有的接合型ＦＥＴ中，用于沟道区域由外延层形成，故不能形成浅的沟道区域，从而高频特性的改善有限。另外，分离区域和沟道区域的ｐｎ结的杂质浓...
2008年3月19日
10
结型半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200610065382]
申请人/专利权人：本田技研工业株式会社、新电元工业株式会社
结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层（...
2006年9月27日
11
结型半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610065381]
申请人/专利权人：本田技研工业株式会社
结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区（１１）；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的...
2006年9月27日
12
结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200610081878]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种结型场效应晶体管，具备：第１导电型半导体层（１１）；第２导电型半导体层（１２），其设置在第１导电型半导体层（１１）上；元件形成区域，其设置在第２导电型半导体层（１２...
2006年11月29日
13
用于高K介电材料的界面层　[申请号/专利号：200580023883]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
提供一种方法和装置，用于在硅衬底（１１）上沉积纯锗层（１２）。该锗层非常薄，在约１４＊的量级上，并且小于硅上纯锗的临界厚度。该锗层（１２）用作硅衬底（１１）和高ｋ栅极层...
2007年6月20日
14
在先进CMOS技术中应变Ge的集成　[申请号/专利号：200580015590]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种在压缩应变Ｇｅ层（１００）中制造ＰＦＥＴ器件的结构和方法。该器件的制造方法与标准ＣＭＯＳ技术兼容，并且完全可升级。该方法包括选择性外延沉积Ｇｅ含量大于５...
2007年4月25日
15
结型场效应晶体管　[申请号/专利号：200580002806]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种结型场效应晶体管（２０），包括具有沟道区的ｎ型半导体层（１）、在沟道区上形成的缓冲层（３），以及在缓冲层（３）上形成的ｐ↑［＋］区（４ａ，４ｂ）。缓冲层（３）中的电...
2007年2月7日
16
功率结场效应晶体管结构及其制法　[申请号/专利号：200510072894]
申请人/专利权人：达晶控股有限公司
本发明为一种功率结场效应晶体管结构及其制法，其制法包含步骤：（ａ）提供衬底，其具有外延层；（ｂ）形成氧化层于外延层上；（ｃ）进行第一次光刻蚀刻，以形成栅极总线及保护环开...
2006年11月22日
17
功率结场效应晶体管结构及其制法　[申请号/专利号：200510072893]
申请人/专利权人：达晶控股有限公司
一种功率结场效应晶体管结构及其制法，该功率结场效应晶体管包括：衬底；外延层，形成于衬底上，其中外延层还具栅极凹槽及栅极总线凹槽；栅极，形成于外延层的栅极凹槽底部；栅极总...
2006年11月22日
18
双向场效应晶体管和矩阵转换器　[申请号/专利号：200580042524]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明提供一种双向场效应晶体管和使用该晶体管的矩阵转换器，其中可以借助单个器件控制双向流动的电流。该双向场效应晶体管包括：半导体衬底（１）；栅极区域，其设置在半导体衬底...
2007年11月21日
19
纵向结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：03815406]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
本发明的纵向ＪＦＥＴ１ａ配备ｎ↑［＋］型漏极半导体部（２）、ｎ型漂移半导体部（３）、ｐ↑［＋］型栅极半导体部（４）、ｎ型沟道半导体部（５）、ｎ↑［＋］型源极半导体部（７...
2005年9月7日
20
异质结场效应型半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200310117987]
申请人/专利权人：NEC化合物半导体器件株式会社
在异质结场效应型半导体器件中，沟道层（５，５）形成在ＧａＡｓ衬底（１）上，不包含铝的第一半导体层形成在沟道层（９，９）上。第一导电类型的第一和第二帽盖层（１１，１１’，...
2004年6月23日
21
逆变器　[申请号/专利号：00817993]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种采用ＦＥＴ结构变换器件的逆变器，其特征在于，所述变换器件Ｓ１－Ｓ６是由ＳｉＣ（碳化硅）－ＪＦＥＴ形成的，其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。...
2003年4月30日
22
一种介质隔离半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：94100576]
申请人/专利权人：艾利森电话股份有限公司
半导体器件包括衬底、氧化层和负性低掺杂（ｎ）的单晶片。在片中刻蚀出围绕元件区的用于形成介质绝缘层的深槽。通过第１掩模在元件区进行扩散，元件区的场效应晶体管就具有两个正性...
1994年9月21日
23
新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺　[申请号/专利号：02126030]
申请人/专利权人：虞和元
本发明揭示了结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属半导体场效应晶体管ＭＥＳＦＥＴ结构及制造工艺，在低电压、高电流、高频中的应用。该结构包含一个位于栅极下面可以有效减小结电容...
2004年2月11日
24
双极器件中恢复热载流子引起的退化的方法　[申请号/专利号：200580041988]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供一种恢复由雪崩热载流子造成的退化的方法，包括使呈现雪崩退化的空闲的双极晶体管经过热退火步骤，所述热退火步骤升高所述晶体管的温度从而恢复双极晶体管的雪崩退化。在一个实...
2007年11月14日
25
半导体器件　[申请号/专利号：03817224]
申请人/专利权人：索尼株式会社
提供了一种能够确保完全的增强型工作，并能够实现一种在低失真、高效率方面性能优异的功率晶体管的半导体器件。在单晶ＧａＡｓ衬底（１）的一侧上，按顺序形成ＡｌＧａＡｓ第二阻挡...
2005年9月14日
26
硅/锗硅垂直结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：98104250]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
描述了一种结型场效应管及其制作方法，包括窗口中的水平半导体层以形成沟道和其中开有窗口的半导体层，它形成环绕沟道的栅电极。水平半导体层可以是在源和漏附近具有渐变组分的Ｓｉ...
1998年9月16日
27
制造具有双栅结构的半导体器件的方法　[申请号/专利号：200510068751]
申请人/专利权人：尔必达存储器股份有限公司
一种制造具有双栅结构的半导体器件的方法，包括：在不同的区域形成Ｐ型和Ｎ型栅硅层；向Ｐ型和Ｎ型栅硅层中注入Ｐ型和Ｎ型杂质；在Ｐ型和Ｎ型栅硅层上淀积一层金属膜；利用具有栅极...
2005年11月2日
28
面结型场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：00818361]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）。该ＪＦＥＴ包括：第二导电型的栅极区域（２），其...
2003年6月11日
29
Δ－掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法　[申请号/专利号：92105604]
申请人/专利权人：浦项综合制铁株式会社、产业科学技术研究所
一种制作Δ－掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，该晶体管包括：一基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆接触层。在欧姆层上形成漏极、源极和栅极。各量子阱均按下述方式形...
1993年3月31日
30
结型场效应晶体管的制造方法　[申请号/专利号：200610091632]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种能抑制栅区内的Ｐ层杂质的不均匀性并得到良好的ｐｎ结特性结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在预定为在ＧａＡｓ衬底（１）上形成的ｎ↑［＋］－ＡｌＧａＡｓ层（...
2006年12月13日
31
用于形成双金属栅极结构的处理过程　[申请号/专利号：200480009496]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
半导体器件（１０）具有包括第一金属型（１８）和在第一金属型（１８）上的第二金属型（２０）的Ｐ沟道（３８）栅极层叠，和包括与栅极电介质（１４）直接接触的第二金属型（１８）...
2006年5月10日
 

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