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钱眼专利首页 > 以两个势垒或面垒为特征的，如双极光晶体管 的专利共 7 条
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1
一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路　[申请号/专利号：200810105174]
申请人/专利权人：北京大学
本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双...
2008年10月8日
2
非自对准SiGe异质结双极晶体管　[申请号/专利号：02812300]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种用于制造非自对准、异质结双极晶体管的方法，该方法包括形成非本征基极区（７０），其中ＰＦＥＴ源极／漏极注入区与射极叠层中的多晶硅对准，而不直接与限定在该叠...
2005年8月17日
3
具有NPNM结构的光敏晶闸管　[申请号/专利号：90202535]
申请人/专利权人：武汉大学
本实用新型公开了一种光敏器件，特别是具有ＮＰＮＭ结构的光敏晶闸管，它具有生产简易，成品率高，工时短等优点。...
4
双极器件中恢复热载流子引起的退化的方法　[申请号/专利号：200580041988]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供一种恢复由雪崩热载流子造成的退化的方法，包括使呈现雪崩退化的空闲的双极晶体管经过热退火步骤，所述热退火步骤升高所述晶体管的温度从而恢复双极晶体管的雪崩退化。在一个实...
2007年11月14日
5
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元　[申请号/专利号：200510005744]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽...
2006年8月2日
6
基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法　[申请号/专利号：03153378]
申请人/专利权人：北京师范大学
本发明基于区熔硅单晶的双极光晶体管采用区熔硅单晶片来制作。由于区熔硅单晶的生长不需要坩埚，在制备过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔硅单晶...
2005年2月16日
7
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管　[申请号/专利号：200810070524]
申请人/专利权人：厦门大学
基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区ＳｉＧｅ层的锗组分和ＳｉＧｅ层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ｇｅ组分和厚度...
2008年7月16日
8
生产晶体管的方法　[申请号/专利号：99812687]
申请人/专利权人：乌尔苏拉·格吕茨迪克、尤塔·谢雷尔
本发明涉及应用一个ｐ－掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件，尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模，以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行...
2001年11月28日
 

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