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与BiCMOS兼容的JFET器件及其制造方法 [申请号/专利号：200580035042]
申请人/专利权人：
皇家飞利浦电子股份有限公司
公开了一种包括源极和漏极区（１７、１８）的与ＢｉＣＭＯＳ兼容的ＪＦＥＴ器件，以与用于形成发射极外扩散或垂直双极型器件相同的方式形成所述源极和漏极，其中，形成双极型器件中...
2007年9月19日
荷兰
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2
功率系统抑制方法及其装置和结构 [申请号/专利号：200710148179]
申请人/专利权人：
半导体元件工业有限责任公司
一种功率控制系统（２５）使用两个分开的电流来控制功率控制系统（２５）的启动工作。两个电流分流到接地以抑制功率控制系统（２５）的工作，且两个电流之一被禁用以使功率耗散最小...
2008年1月16日
美国
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