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钱眼专利首页 > 衬底不是半导体的，例如绝缘体 的专利共 1011 条
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1
半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200810080695]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及包括以下给定顺序的层的半导体晶片：主要由硅组成的单晶基底晶片（１）；第一非晶中间层（２），其含有电绝缘材料且厚度为２０ｎｍ至１００ｎｍ；单晶态的第一氧化物层（...
2008年10月1日
2
液晶显示面板及薄膜晶体管基板的制造方法　[申请号/专利号：200810142811]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种液晶显示面板及薄膜晶体管基板的制造方法。该液晶显示面板包括：第一基板；布置在第一基板上并且彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；布置在第一基板上的像素电极图...
2008年11月19日
3
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法　[申请号/专利号：200810097141]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基板；多个第一信号线，形成在基板上；多个第二信号线，与第一信号线绝缘，形成在基板上，并且通过横越第...
2008年11月19日
4
集成电路、制造集成电路的方法、存储模块、计算系统　[申请号/专利号：200810098137]
申请人/专利权人：奇梦达闪存有限责任公司、奇梦达股份公司
本发明的实施例大体涉及集成电路、制造集成电路的方法、存储模块、以及计算系统。...
2008年11月19日
5
堆叠式SONOS存储器　[申请号/专利号：200810093202]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
一种集成电路包括第一ＳＯＮＯＳ存储单元和第二ＳＯＮＯＳ存储单元。第二存储单元堆叠在第一存储单元上。...
2008年10月22日
6
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200810090719]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，即使使用耐热温度低的衬底也高成品率地制造具有结晶半导体层的半导体装置。通过在半导体衬底的一部分中形成槽，形成具有凸部的半导...
2008年11月12日
7
显示器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810093120]
申请人/专利权人：乐金显示有限公司
提供一种显示器件及其制造方法。该显示器件包括基板，栅线，公共线，公共电极，绝缘层，数据线，漏极，和像素电极。栅线沿第一方向设置。公共线设置得基本平行于栅线。公共电极从公...
2008年10月22日
8
一种非晶硅太阳能电池铝膜蚀刻方法及蚀刻油墨　[申请号/专利号：200810067105]
申请人/专利权人：李毅
本发明涉及一种蚀刻油墨及非晶硅太阳能电池铝膜蚀刻方法，采用碱性蚀刻浆料在非晶硅单元电池周边的背电极铝膜上丝印蚀刻出防短路的隔离槽，该碱性蚀刻浆料是一种在铝膜电极上丝印的...
2008年10月1日
9
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200810086790]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件、及集成电路。当从单晶半导体衬底（键合片）转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀...
2008年10月1日
10
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810090720]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置可以以进一步简单的工艺比常规的半导体装置降低结电容且实现低耗电量化。本发明的半导体装置具有基础衬底、形成在基础衬底上...
2008年10月29日
11
半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法　[申请号/专利号：200810109362]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法，该显示面板包括基板、第一多晶硅图案设于像素的反射区、第二多晶硅图案设于像素的周边区、绝缘层设置于第一多晶硅图案、第...
2008年10月29日
12
2008年12月10日
13
液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法　[申请号/专利号：200810137836]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法，其中液晶显示面板包括第一基板、液晶层、配向层、聚合物层、扫描线、数据线、像素结构、第一电容下电极及第二电容下电极。像素结构具有...
2008年11月12日
14
光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底的方法　[申请号/专利号：200810127707]
申请人/专利权人：三星电子株式会社、东进瑟弥侃株式会社
本发明涉及光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底的方法。在一实例中，光刻胶组合物包括约１到约７０重量份的含有由右面化学式１代表的重复单元的第一粘合剂树脂、约１到约７０重...
2008年10月29日
15
2008年12月10日
16
液晶显示面板的像素结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810094619]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种液晶显示面板的像素结构及其制作方法，像素结构的栅极与数据线由第一图案化导电层形成、其扫描线由第二图案化导电层形成，且其共通电极与像素电极形成于基板上，共...
2008年10月29日
17
增强MOS器件沟道区应变的方法　[申请号/专利号：200810056276]
申请人/专利权人：清华大学
进一步提高沟道材料的应变程度，提高迁移率，增强器件性能的增强ＭＯＳ器件沟道区应变的方法。技术方案是：增强ＭＯＳ器件沟道区应变的方法，其特征是包括下列步骤：在硅衬底上外延...
2008年10月29日
18
贴合基板的制造方法　[申请号/专利号：200810093348]
申请人/专利权人：信越化学工业株式会社
本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，...
2008年10月22日
19
半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法　[申请号/专利号：200810097146]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法，该制造半导体设备的方法包括步骤：在基板上形成半导体薄膜和由金属氧化物制成的绝缘膜的层叠结构；在层叠结...
2008年11月19日
20
半导体装置及其驱动方法　[申请号/专利号：200810090716]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于通过控制时钟信号的生成，提供低耗电的半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：控制与外部进行的信号的发送／接收的收发控制电路；检测出包含于接收信号的边缘...
2008年10月29日
21
面内切换模式液晶显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810098855]
申请人/专利权人：乐金显示有限公司
本发明给出了面内切换模式ＬＣＤ及其制造方法。根据本发明的具有排列为矩阵的多个像素的面内切换模式ＬＣＤ包括：形成在下基板上的选通线；形成为与该选通线相交叉以限定像素区的数...
2008年11月19日
22
紫外线感光元件及其制造方法和紫外线量测定装置　[申请号/专利号：200810009691]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种可以将ＵＶ－Ａ波和ＵＶ－Ｂ波这两个波长区域的紫外线量分离检测的紫外线感光元件。作为解决手段，该紫外线感光元件具有：形成于绝缘层上的厚度大于等于３ｎｍ且小于...
2008年10月1日
23
薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法　[申请号/专利号：200810108609]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法，该薄膜晶体管阵列基板的制作方法，整合了光传感器的制作，在透明导电层与金属电极之间形成光敏介电层，以感测外界光...
2008年10月1日
24
SOI衬底及其制造方法以及半导体装置　[申请号/专利号：200810085214]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种ＳＯＩ衬底，该ＳＯＩ衬底具备有当使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以实用的耐性的ＳＯＩ层。另外，本发明还提供使用这种ＳＯＩ衬底的半导体装置。当对具有绝缘...
2008年10月8日
25
SOI基板的制造方法　[申请号/专利号：200810088335]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种具有ＳＯＩ层的ＳＯＩ基板，该ＳＯＩ基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述ＳＯＩ基板的半导体装置。为了将单晶半导...
2008年10月22日
26
TFT-LCD阵列基板及其制造方法　[申请号/专利号：200810111874]
申请人/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
本发明涉及一种ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板及其制造方法。阵列基板包括在基板上形成的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为...
2008年10月22日
27
2008年12月3日
28
显示装置和显示装置的制造方法　[申请号/专利号：200810099138]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的目的在于提供一种降低膜浮起以及膜剥离的显示装置。本发明的显示装置具有：形成在衬底（１１）上的第一辅助电容电极、第二辅助电容电极、第一栅电极布线、以及形成在第二栅...
2008年11月12日
29
2008年11月26日
30
液晶显示器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810097576]
申请人/专利权人：乐金显示有限公司
一种液晶显示器件包括彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线、位于栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管、平行于栅线延伸的公共线、连接到公共线并具有延伸至像素区域的公共指状部分的...
2008年11月19日
31
薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置　[申请号/专利号：200810125691]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板、显示面板及光电装置。所述的薄膜晶体管，其配置于一基板上。此薄膜晶体管包括一栅极、一介电层、一半导体层、一源极以及一漏极。此...
2008年11月5日
32
液晶显示面板、其制造方法和液晶显示装置　[申请号/专利号：200810090019]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
本发明涉及液晶显示面板、其制造方法和液晶显示装置。所述液晶显示面板包括：与配备有输入端子的布线相连的ＴＦＴ；与ＴＦＴ相连的像素电极；和与像素电极相对的公共电极，其中，取...
2008年10月1日
33
2008年11月26日
34
有源矩阵基板、其制造方法、电光装置、其制造方法及电子设备　[申请号/专利号：200810092381]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明的目的在于提供可以充分应对静电的有源矩阵基板及其制造方法，电光装置及其制造方法、电子设备。其包括：基板（２０）；多个像素部；对多个像素部进行开关的薄膜晶体管；与有...
2008年10月29日
35
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200810087967]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法，该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏，可靠性高。本发明如下制造半导体装置：形成具有使用单晶半导体基板或ＳＯＩ基板形成...
2008年10月1日
36
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200810088431]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供高性能且廉价的半导体装置及其制造方法。在衬底上设置具有分开单晶半导体层的第一区域和具有非单晶半导体层的第二区域。另外，更优选为在所述分开单晶半导体层...
2008年11月19日
37
SOI衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200810088432]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的ＳＯＩ衬底的制造方法，在该ＳＯＩ衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的１００ｎ...
2008年11月19日
38
有源矩阵衬底,液晶显示面板及其制造方法　[申请号/专利号：200810091503]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
公开了一种有源矩阵衬底，包括衬底，形成在衬底上的栅极线，数据线，形成在衬底上从而与栅极线交叉，公共线，其形成在大致平行于栅极线延伸的衬底上，像素，形成在由栅极线和数据线...
2008年10月15日
39
2008年12月3日
40
半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200810132559]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。相较于现有技术的薄膜晶体管数组结构，本发明的结构为使用图案化第一金属层作为数据导线，而使用图案化第二金属层作为栅极导线。在薄膜晶...
2008年11月19日
41
基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法　[申请号/专利号：200810036912]
申请人/专利权人：华东师范大学、上海集成电路研发中心有限公司
本发明提供了一种基于ＳＯＩ衬底的共平面波导及其制作方法。所述共平面波导包括ＳＯＩ衬底，形成在ＳＯＩ衬底上的二氧化硅层，以及形成在二氧化硅层上且间隔排列的地线和信号线，其...
2008年10月8日
42
2008年12月10日
43
2008年11月26日
44
2008年12月10日
45
基板制造方法、基板制造系统及显示器制造方法　[申请号/专利号：200810089668]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了由多个配线图案在基体上形成的基板的制造方法、基板制造系统以及显示的制造方法，其中，该基板制造方法包括：第一检查步骤，通过分别对于多个配线图案执行电气检查来识...
2008年10月15日
46
半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置　[申请号/专利号：200810090225]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置，使得信号处理电路的动作不会因为未被遮光层遮挡而倾斜入射到信号处理电路的光而变得不稳定，且信号处理电路的动作...
2008年10月29日
47
制作光感应器的方法　[申请号/专利号：200810108414]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种制作光感应器的方法。该方法包括：提供一基板，其包括一薄膜晶体管区域以及一光感应区域；于该基板上形成一图案化第一导电层；于该基板与该栅极表面形成一栅极介电层；于该栅极...
2008年10月8日
48
SOI基板的制造方法　[申请号/专利号：200810088669]
申请人/专利权人：信越化学工业株式会社
本发明提供一种ＳＯＩ基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板１０，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为１×１０↑［１８］...
2008年10月15日
49
显示面板的像素结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810108933]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种显示面板的像素结构及其制作方法，该结构包括：一基板；一第一层导电图案设置于所述的基板上；一第一绝缘层设置于所述的第一层导电图案与所述的基板上，所述的第一绝缘层具有至...
2008年10月29日
50
半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法　[申请号/专利号：200810090717]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底在即使使用耐热温度低的支撑衬底如玻璃衬底等的情况下也可以防止杂质对半导体层造成污染，并提高支撑衬底和半导体层的键合强度。...
2008年11月19日
 

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