以掺杂材料为特征的-钱眼专利分类

用于生产半导体p,p+ 和n,n+区的掺杂糊剂　[申请号/专利号：00804875]
申请人/专利权人：默克专利股份有限公司
本发明涉及用于生产单晶和多晶Ｓｉ片的ｐ，ｐ＋和ｎ，ｎ＋区的新型硼、磷或硼－铝基掺杂糊剂，本发明进一步涉及使用相应的糊剂作为掩模糊剂在半导体的生产、功率电子元件或光电器件...

2002年4月3日

有特定掺杂层的光电元件　[申请号/专利号：97125281]
申请人/专利权人：佳能株式会社
有半导体结结构的光电元件，其特征是，所述半导体结结构有含元素周期表中Ⅳ族元素中的一种或一种以上元素的主要组分的非单晶材料构成的Ｐ型或ｎ型掺杂层，所述掺杂层中有周期性分布...

1998年9月16日

半导体膜及制造方法、使用其的太阳能电池及制造方法　[申请号/专利号：200410079736]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体膜具有如下成分：其中Ⅰａ族元素和Ⅴｂ族元素添加到具有包含Ⅰｂ族元素、Ⅲｂ族元素和Ⅵｂ族元素的黄铜矿结构的化合物半导体中。这允许提供可以有效地控制其载流子密度的...

2005年3月23日

稀土掺杂的半导体薄膜　[申请号/专利号：99123482]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种光学有源外延薄膜及具有该外延薄膜的光电子器件。本发明的光学有源外延薄膜包括由硅、锗或硅－锗构成的半导体，所述薄膜含有从约８×１０↑［１８］至约８×１０↑...

2000年6月7日

...

　　共6 条信息，当前显示第 1 - 6 条，共1 页

钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明