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钱眼专利首页 > 利用介电常数的热变化的，例如在居里点以上或以下工作的 的专利共 24 条
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1
绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法　[申请号/专利号：200610014903]
申请人/专利权人：天津大学
本发明公开了一种绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法，属于氧化钒薄膜热敏电阻技术。所述的多孔硅基氧化钒薄膜，包括单晶硅基层、多孔硅层、二氧化硅层和氧化钒薄膜层。制...
2007年1月3日
2
一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法　[申请号/专利号：89106608]
申请人/专利权人：南开大学
本发明属于红外热释电材料。ＴＧＦｂ单晶体是一种优良的热释电材料，但在育晶时其晶体难于生成。本发明使用ＨＢＦ－［４］部分取代ＴＧＦｂ中的Ｈ－［２］ＢｅＦ－［４］合成出新型...
1991年3月6日
3
一种热释电材料(Ｋ*Ｚ*ＣＬ*晶体)的制备　[申请号/专利号：89106607]
申请人/专利权人：南开大学
本发明属于红外热释电材料。Ｋ－［２］ＺｎＣｌ－［４］是一种新型热释电材料，具有很好的热释电性能，其热释电系数（Ｐ）＝１．３×１０＋［－８］（库／厘米＋［２］．度），介电...
1991年3月6日
4
红外线传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200580024087]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
红外线传感器（１）的制造方法，该方法包括以下步骤：制备一体形成有第一电极（２３ａ）及两个或以上由低热传导率制成的具有预定高度的支撑部（２２ａ和２２ｂ）的基座（２０），所...
2007年6月20日
5
高灵敏度热释电单晶体的合成方法　[申请号/专利号：89107151]
申请人/专利权人：南开大学
本发明属于红外热释电材料。本发明使用无机酸（ＨＢＦ－［４］）部分取代ＬＡＴＧＳ中的硫酸制得ＬＡＴＧＳ／Ｆｂ单晶体，其热释电系数（Ｐ）值可达６．４－７．８库／厘米＋［２］...
1991年3月27日
6
复合热释电红外探测器　[申请号/专利号：85100519]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
发明属于光辐射虧测技术．更确切地说属于使用热释电响应元的红外探测器．本发明的技术特征在于热释电响应元由一个导热吸收层和一个栅网热释电材料薄片．本发明具有比已有的热释电红...
1986年8月13日
7
一种新型热释电红外探测器及其使用的复合薄膜探测元　[申请号/专利号：200610024920]
申请人/专利权人：同济大学
本发明涉及一种结合化学方法和物理方法制备的复合薄膜热释电红外探测器的探测元技术领域。本发明所述的热释电红外探测器的探测元是以单晶硅或与二氧化硅的复合体为衬底，多孔二氧化...
2007年9月26日
8
热电器件及其制造方法与红外线传感器　[申请号/专利号：200380100562]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明涉及热电器件及其制造方法与红外线传感器，在基板上，按照如下顺序，依次形成：由包含从Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｂａ、Ａｌ及它们的氧化物群中选择...
2005年11月2日
9
红外线传感器　[申请号/专利号：200510117316]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明提供一种红外线传感器，具有支承构件、多晶硅膜、ＳｉＯ↓［２］、铝膜、及热吸收层；该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅膜从空心部分的...
2006年4月12日
10
红外线传感器　[申请号/专利号：01822193]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明提供一种红外线传感器，具有支承构件、多晶硅膜、ＳｉＯ＃－［２］、铝膜、及热吸收层；该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅膜从空心部分...
2004年4月7日
11
集热式电陶瓷油路恒温装置　[申请号/专利号：96120028]
申请人/专利权人：陈钢
一种集热式陶瓷油路恒温装置，它带有一个箱体，在箱体内壁上安装数块加热板，形成曲型回路方式，上方连接出油口，上方连接进油口，并在其侧安装控制箱。加热板是在护板的凸槽内装有...
1998年4月22日
12
具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法　[申请号/专利号：200710045149]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种具有自极化效应的铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是采用化学溶液沉积法：溶液由醋酸铅、醋酸镁、乙醇铌、正丁醇钛、乙二醇甲醚和乙酰丙酮组成，配...
2008年4月30日
13
一种多孔复合厚膜热释电材料及制备方法　[申请号/专利号：200510061826]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开一种多孔复合厚膜热释电材料及制备方法。应用溶胶凝胶法制备Ｂａ↓［１－ｘ］Ｓｒ↓［ｘ］ＴｉＯ↓［３］和Ｐｂ↓［１－ｙ］Ｌａ↓［ｙ］ＴｉＯ↓［３］陶瓷微粉；将Ｐｂ...
2006年8月2日
14
单元热释电红外探测器件及其制备方法　[申请号/专利号：200510021654]
申请人/专利权人：电子科技大学
单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和ＢＳＴ陶瓷半导体（５）和包裹在其外面的ＢＳＴ陶瓷氧化层介质（６）；ＢＳＴ陶瓷半导体（５）...
2006年3月15日
15
薄膜金属氧化物结构及其制造方法　[申请号/专利号：01813243]
申请人/专利权人：摩托罗拉公司
通过首先在硅晶片上生长调节缓冲层（２４）可以生长氧化物材料的高质量外延层（２６），覆盖大的硅晶片（２２）。调节缓冲层是通过氧化硅的非晶界面层（２８）与硅晶片间隔开的单晶...
2003年10月15日
16
红外辐射传感元件　[申请号/专利号：97118053]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
一种热电红外传感元件，它能提高且容易改变相对检测灵敏度，还可降低成本。该传感元件包括具有预定厚度且热电层和内电极交替层叠的热电元件。内电极垂直其长度方向的端部边缘交替地...
1998年4月8日
17
复合热释电薄膜　[申请号/专利号：95102338]
申请人/专利权人：西安交通大学
本发明公开一种电子器件技术领域的，用于制备红外探测器的复合热释电薄膜。它包括基底、热释电薄膜以及热释电薄膜上下两面都各有一层的电极膜层；本发明在热释电薄膜和基底之间加入...
1995年12月20日
18
前截止热释电探测器　[申请号/专利号：85102846]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
发明属于光电技术，更确切地说属于使用热释电响应元的红外光电探测器，本发明具有前截止光谱特性的响应元，响应元是一个带有可见到近红外波段完全透明的正面电极和一个背面电极的热...
1987年1月31日
19
锆钛酸铅薄膜红外热成像探测器悬空结构的制作方法　[申请号/专利号：200610104433]
申请人/专利权人：西安工业大学
本发明是一种锆钛酸铅薄膜红外热成像探测器悬空结构的制作方法，采用在硅片上镀制一定厚度的氧化镁薄膜作为制作锆钛酸铅薄膜非致冷焦平面红外热成像探测器悬空结构的牺牲层，并通过...
2007年1月3日
20
前截止热释电探测器　[申请号/专利号：200510100615]
申请人/专利权人：韦海流
发明属于光电技术，更确切地说属于使用热释电响应元的红外光电探测器，本发明具有前截止光谱特性的响应元，响应元是一个带有可见到近红外波段完全透明的正面电极和一个背面电极的热...
2007年5月2日
21
红外传感器及其制造方法　[申请号/专利号：01823336]
申请人/专利权人：IR微系统股份有限公司
一种红外传感器（２），包括多个具有红外光结构的吸收层（２０）的像素（１２），该结构层处于传感器的上表面上。根据本发明，吸收层（２０）是由胶质微粒形成的，尤其是浸入或凝结...
2004年7月14日
22
包括-需要电极化的热电物质层的热释传感器的制造方法　[申请号/专利号：01813783]
申请人/专利权人：洛桑生态综合技术联合公司
本发明涉及一种制作多个热释传感器的方法，它通过在硅薄片（１８）的一个表面上形成一薄的热电物质层（８），为了限定形成该传感器的象素（４），在该硅薄片（１８）上，在下电极（...
2003年10月1日
23
具有降低的象素间的寄生热耦合的热释传感器　[申请号/专利号：01813782]
申请人/专利权人：洛桑生态综合技术联合公司
热释传感器包括多个象素（１２Ａ），每个象素由薄的热电物质层（２０Ａ）和设置在所述的层两个侧面上的第一和第二电极（１４，２８）构成。下电极（２８）被结构化，即它们被微加工...
2003年10月1日
24
热电红外传感器器件　[申请号/专利号：97121300]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
本发明提供一种热电红外传感器器件（１０），包含由热电材料制成的基片（１２），该基片有一个主平面和一个剩下的主平面，由一个主平面接收红外线，一在所述基片的这块主平面上形成...
1998年5月13日
 

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