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钱眼专利首页 > 应用物理沉积，例如真空沉积、溅射 的专利共 31 条
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1
一种以NH*作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法　[申请号/专利号：200810060795]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开了一种以ＮＨ↓［３］作为Ｎ源的Ｉｎ－Ｎ共掺制备ｐ型ＺｎＯ薄膜的方法，该方法利用直流反应磁控溅射技术，以Ｉｎ金属为施主掺杂源，以ＮＨ↓［３］为Ｎ源并作为受主掺杂...
2008年9月17日
2
一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法　[申请号/专利号：200810060092]
申请人/专利权人：浙江大学
一种在ＣｄＺｎＴｅ衬底上制备Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法，是在分子束外延装置中，采用分子束外延生长方法，在不同生长温度（２００～４２５℃）下，利用不同Ⅳ－Ⅵ族化合物分子...
2008年8月6日
3
溅射沉积装置和方法　[申请号/专利号：200710146401]
申请人/专利权人：奇梦达股份公司
本发明涉及一种溅射沉积装置和方法，及用于溅射沉积装置的衬底支持物。根据本发明的一方面，提供一种溅射沉积装置，包括：至少一个溅射靶，第一等离子体，衬底支持物，和另一等离子...
2008年4月9日
4
在SiO*衬底上生长ZnO薄膜的方法　[申请号/专利号：200710099110]
申请人/专利权人：北京交通大学
本发明公开了一种在ＳｉＯ↓［２］衬底上生长ＺｎＯ薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在ＳｉＯ↓［２］（石英）衬底上用ＭＢＥ生长ＺｎＯ薄膜的方法。该方法的步骤依次...
2007年10月17日
5
光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法　[申请号/专利号：200710099109]
申请人/专利权人：北京交通大学
本发明公开了一种光辅助ＭＢＥ系统及生长ＺｎＯ单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室（１）上，衬底（３）的对面或侧壁上，设置照射衬底（３）的光源（５...
2007年10月10日
6
2008年1月9日
7
2008年1月16日
8
近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法　[申请号/专利号：200710041159]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟Ｉｎ↓［２］Ｏ↓［３］∶Ｍ（Ｍ＝Ｗ，Ｍｏ）。本发明...
2007年11月28日
9
半导体衬底晶体材料生长真空系统　[申请号/专利号：03140794]
申请人/专利权人：李明远
一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀...
2003年12月10日
10
在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法　[申请号/专利号：01108639]
申请人/专利权人：云南大学
本发明提供一种在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法，它利用磁控溅射技术，并控制工作气体压强、温度、溅射功率等工艺条件，在非晶体材料上生长锗晶体薄膜，且能快速生长出大面...
2003年2月12日
11
无定形氧化物和场效应晶体管　[申请号/专利号：200580038273]
申请人/专利权人：佳能株式会社、国立大学法人东京工业大学
提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如ＴＦＴ的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。...
2007年10月17日
12
采用无定形氧化物的场效应晶体管　[申请号/专利号：200580038272]
申请人/专利权人：佳能株式会社、国立大学法人东京工业大学
提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于１×１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括...
2007年10月17日
13
非晶形氧化物和薄膜晶体管　[申请号/专利号：200580007989]
申请人/专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极...
2007年7月11日
14
前驱膜及其形成方法　[申请号/专利号：200580045298]
申请人/专利权人：昭和砚壳石油株式会社
在低成本下容易地形成具有需要的镓成分比例的前驱膜。本发明提供用于形成ＣＩＳ型薄膜太阳能电池等的光吸收层的前驱膜，或形成所述膜的方法。通过利用包含具有镓成分比例为Ｘｗｔ％...
2007年12月26日
15
用于在半导体层内制造具有降低了的电导率的区域的方法以及光电子半导体器件　[申请号/专利号：200580017279]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
在用于在导电的Ⅲ－Ⅴ半导体层（３）内制造至少一个具有降低了的电导率的区域（８）的方法中，在所述半导体层（３）的区域（８）上敷设ＺｎＯ层（１），并且接着优选地在３００℃和...
2008年1月2日
16
黄铜矿型薄膜太阳能电池用光吸收层的制造方法　[申请号/专利号：200580011949]
申请人/专利权人：本田技研工业株式会社
本发明提供一种黄铜矿型薄膜太阳能电池用光吸收层的制造方法，具备黄铜矿类化合物（Ｃｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ↓［２］）的构成成分在内部均匀分布的膜构造。本发明的光吸收层的制造方...
2007年4月4日
17
薄膜太阳能电池　[申请号/专利号：200480019693]
申请人/专利权人：索里布罗股份公司
本发明涉及ＣＩＧＳ型的薄膜太阳能电池。本发明的特征在于使用两个整体形成的缓冲层，在ＣＩＧＳ层（３）顶上形成的第一ＡＬＤ　　Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）缓冲层和在第一缓冲层（７）顶上形...
2006年8月16日
18
透明氧化物半导体薄膜晶体管　[申请号/专利号：200380101292]
申请人/专利权人：纳幕尔杜邦公司
本发明涉及新型透明氧化物半导体薄膜晶体管（ＴＦＴ）及其制造方法。...
2005年11月30日
19
一种P型氧化锌薄膜的制备方法　[申请号/专利号：03112210]
申请人/专利权人：山东大学
本发明涉及一种Ｐ型氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电材料与器件技术领域。本发明的主内容选用蓝宝石或硅作为衬底材料，用掺入５ｗｔ％的Ｐ＃－［２］Ｏ＃－［５］和０．２ｗｔ...
2003年11月5日
20
半导体器件以及制造这种半导体器件的方法　[申请号/专利号：03813676]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
本发明提供了一种具有极佳结晶度和极佳电性能的半导体器件，该半导体器件中包括一个具有极佳表面平滑度的ＺｎＯ薄膜。主要含有ＺｎＯ的ＺｎＯ基薄膜（一个ｎ型接触层６，一个ｎ型覆...
2005年8月24日
21
热电变换材料及其制造方法　[申请号/专利号：03807996]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明的热电变换材料，在由用化学式Ａ＜ｓｕｂ＞ｘ＜／ｓｕｂ＞ＣｏＯ＜ｓｕｂ＞２＜／ｓｕｂ＞所表示的层状钴氧化物类物质组成的热电变换材料中，Ａ由选自碱金属元素及碱土元素的...
2005年7月27日
22
制备材料芯片的k分分形掩膜方法　[申请号/专利号：03150906]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种制备材料芯片的ｋ分分形掩膜方法，属于材料芯片领域。本发明以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数ｋ为依据，首先将基本掩膜分成ｋ个中心对称的区域，即ｋ分分形，其中之一被...
2004年8月25日
23
发光二极管及半导体激光　[申请号/专利号：01804240]
申请人/专利权人：科学技术振兴事业团、太田裕道、折田政宽
虽可确认出于Ｓｒ＃－［２］Ｃｕ＃－［２］Ｏ＃－［２］膜上成膜ｎ型ＺｎＯ并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的...
2003年2月12日
24
半导体和钛酸钡p-n结　[申请号/专利号：01104066]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型ｐ－ｎ结。本发明将ｎ型ＢａＡ＃－［ｘ］Ｔｉ＃－［１－ｘ］Ｏ＃－［３］或Ｂａ＃－［１－ｘ］Ｌａ＃－［ｘ］ＴｉＯ＃－［３］薄膜材料...
2002年9月25日
25
一种钴-自对准硅化物的方法　[申请号/专利号：00135752]
申请人/专利权人：中国科学院微电子中心
一种钴－自对准硅化物的方法，本方法具有五个步骤：步骤１：采用钴／钛／硅固相反应结构；步骤２：采用氢氟酸／异内醇溶液的清洗；步骤３：采用溅射钴／钛膜前的真空腔内退火处理；...
2002年7月24日
26
掺氮Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的成膜方法　[申请号/专利号：95190541]
申请人/专利权人：索尼公司
在基片上，形成由Ⅱ族元素中之至少一种元素与Ⅵ族元素中之至少一种元素构成的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体膜之际，借助于带电粒子排除装置除去等离子中的带电粒子之同时，将激发态氮等离子...
1997年10月1日
27
Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ族半导体界面的制备方法　[申请号/专利号：96198955]
申请人/专利权人：美国3M公司、菲利浦电子股份有限公司
一种在诸如激光二极管的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件中重复制备具有较低堆垛层错密度的ＧａＡｓ／ＺｎＳｅ和其它Ⅲ－Ⅴ／Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的方法。该方法包括提供至少包括Ⅲ族元素源（６８...
1999年2月24日
28
激光蒸发装置及应用该装置的半导体形成法　[申请号/专利号：94102046]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明目的在于向Ⅱ－Ⅵ族半导体添加高浓度的Ｐ型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ－Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。...
1994年11月9日
29
用于衬底处理室的处理配件和靶材　[申请号/专利号：200610136694]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明公开了一种处理配件，该处理配件包括在衬底处理室中设置于衬底支架周围的环组件，其用于减少沉积在室组件和衬底的悬伸边上的工艺沉积物。该处理配件包括沉积环、盖环以及防升...
2007年12月19日
30
磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法　[申请号/专利号：01136690]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其是先以临场的方式在基底上磊晶成长一层氧化镧镍薄膜，其晶型与所需的锆钛酸铅薄膜相同，且晶格参数与所需的锆钛酸铅薄膜相近。接着以临场的方式...
2003年4月30日
31
Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法　[申请号/专利号：200410067001]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的Ａｒ气保护下生长Ｎ－Ａｌ共掺杂ｐ型ＺｎＯ晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少４×１０↑［－３］Ｐａ，以铝的质量百分含量为０．１～０．３％的锌铝...
2005年3月30日
 

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