除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的-钱眼专利分类

具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法　[申请号/专利号：00805557]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明披露了一种供半导体结构用的第Ⅲ族氮化物四元材料体系，包括：激光二极管，晶体管，和光检测器，所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中，半导体...

2002年4月17日

铟镓砷光电探测器　[申请号/专利号：92108310]
申请人/专利权人：上海交通大学
锢镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、ＩｎＰ增强层、金属电极组成。具有结构新颖、无需掺Ｆｅ、工艺简单、稳定可靠、成品率高，势垒增...

1992年9月9日

铟镓砷光电探测器　[申请号/专利号：92108309]
申请人/专利权人：上海交通大学
锢镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、Ｐ型掺杂Ｉｎ↓［０．５３］Ｇａ↓［０．４７］Ａｓ增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简...

1992年9月9日

高压开关器件和形成该器件的工艺　[申请号/专利号：03809754]
申请人/专利权人：克利公司
本发明涉及多种开关器件结构，包括肖特基二极管（１０）、Ｐ－Ｎ二极管和Ｐ－Ｉ－Ｎ二极管，其特征在于低的缺陷密度、低的裂化密度、低的孔蚀密度和在传导ＧａＮ层（１４）上生长的...

2005年8月17日

提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器　[申请号/专利号：200410065181]
申请人/专利权人：南京大学
提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在ＧａＮ表面设有ＡｌＮ窗口材料，在顶层ＡｌＮ材料上设有导电电极。在蓝宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温ＧａＮ为缓冲层并...

2005年5月18日

用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟-镓硫系化物的相变介质　[申请号/专利号：01130301]
申请人/专利权人：惠普公司
一种使用铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓的硫系化物薄膜的超高密度数据存储介质（９０２），其目的是：形成一些起着光电导、光生伏打、或光致发光的半导体器件作用的位存储区...

2002年10月2日

掺杂型III-V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构　[申请号/专利号：03807131]
申请人/专利权人：克利公司
一种包括δ掺杂层（２４）和／或掺杂超晶格的ＩＩＩ－Ｖ族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上...

2005年7月20日

雪崩击穿存储器件及其使用方法　[申请号/专利号：02816191]
申请人/专利权人：奥普泰拜特公司
反向偏压结合选择照射可以有选择地将数据记录到光学存储器（３００）中。由于可以并行地记录数据，因而记录处理可以很快完成。记录处理产生用于改变元件的雪崩电流（２０８）。该变...

2004年11月3日

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