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| 锢镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、Ｐ型掺杂Ｉｎ↓［０．５３］Ｇａ↓［０．４７］Ａｓ增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增强效果好，长波长（１．３～１．５５微米）响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管（ＦＥＴ）同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。 |
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铟镓砷光电探测器
一种铟镓砷光电探测器，它由衬底１、缓冲层２、吸收层３、增强层４、金属电极５组成，本发明的特征在于所说的增强层４在吸收层３上生长Ｐ型掺杂Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ层。
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