晶体闸流二极管，如肖克莱二极管、穿通二极管-钱眼专利分类

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过电压保护装置　[申请号/专利号：200420004943]
申请人/专利权人：敦南科技股份有限公司
本实用新型提供一种过电压保护装置，该保护装置至少包括有：一基板；一基极区，设置于该基板上；多个射极区，设置于该基极区上；及一电压极限区，设置于该基极区外侧。该装置是在组...

在接合焊盘下的低电容静电放电保护结构　[申请号/专利号：200580005213]
申请人/专利权人：密克罗奇普技术公司
本发明揭示一种大体上位于一集成电路接合焊盘下的静电放电保护结构。通过将一正向二极管插入所述接合焊盘与所述静电放电箝位电路之间，来将此静电放电保护结构形成为一低电容结构。...

2007年2月28日

过电压保护装置及其制备工艺　[申请号/专利号：200410028243]
申请人/专利权人：敦南科技股份有限公司
本发明提供一种过电压保护装置及其制备工艺，该保护装置至少包括：一基板；一基极区，设置于该基板上；多个射极区，设置于该基极区上；及一电压极限区，设置于该基极区外侧。该制备...

2005年9月14日

半导体集成电路器件　[申请号/专利号：200410028276]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所、日立超大规模集成电路系统株式会社
为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ＥＳＤ性的差异，提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ＥＳＤ性，在外部端子和接地电位之间，设置具有晶闸管结构的保护元件...

2004年8月18日

半导体集成电路器件及其制造方法　[申请号/专利号：97199501]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所、日本超大规模集成电路系统株式会社
为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ＥＳＤ性的差异，提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ＥＳＤ性，在外部端子和地电位之间，设置具有晶闸管结构的保护元件，...

1999年11月24日

使用了双向二端子元件的显示装置和显示装置的制造方法　[申请号/专利号：02820135]
申请人/专利权人：夏普株式会社
提供一种用比以前还简单的方法制造得到的有源矩阵型显示装置。显示装置（１００）具有：多个第一电极（１１）；多个双向二端子元件（１２）；多个像素电极（１４），分别经多个双向...

2005年1月19日

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