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钱眼专利首页 > 由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 的专利共 535 条
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1
半导体晶片及其制造方法　[申请号/专利号：200810080695]
申请人/专利权人：硅电子股份公司
本发明涉及包括以下给定顺序的层的半导体晶片：主要由硅组成的单晶基底晶片（１）；第一非晶中间层（２），其含有电绝缘材料且厚度为２０ｎｍ至１００ｎｍ；单晶态的第一氧化物层（...
2008年10月1日
2
金属氧化膜的成膜　[申请号/专利号：200810085803]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种形成金属氧化膜的成膜方法，其包括：将被处理体搬入能够保持真空的处理容器内的工序；向上述处理容器内供给成膜原料的工序；向上述处理容器内供给氧化剂的工序；和通...
2008年11月12日
3
半导体处理用氧化装置和方法　[申请号/专利号：200710194483]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域...
2008年4月23日
4
2008年12月3日
5
一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法　[申请号/专利号：200810024961]
申请人/专利权人：南京大学
本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的ＳｉＯｘ薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入Ｏ↓［...
2008年10月8日
6
2008年2月6日
7
半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法　[申请号/专利号：200680001097]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进...
2007年10月10日
8
半导体处理用的氧化方法和装置　[申请号/专利号：200710147862]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进...
2008年3月5日
9
半导体处理用的热处理方法和装置　[申请号/专利号：200810095113]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体...
2008年9月3日
10
使用振幅调制射频功率的缝隙填充方法及其设备　[申请号/专利号：200710106820]
申请人/专利权人：周星工程股份有限公司
一种填充衬底上的缝隙的方法包括：将上面形成有所述缝隙的所述衬底放置在腔室中的基座上；向所述腔室施加源功率以向所述腔室中产生等离子；向所述腔室中供应过程气体；通过向所述基...
2007年11月14日
11
2008年6月11日
12
碳化硅半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710101312]
申请人/专利权人：富士电机控股株式会社
在一种碳化硅半导体器件的制造方法中，包括在碳化硅半导体衬底上形成包含氧化硅作为主要成分的氧化物层的过程，该过程包括以下步骤：在碳化硅半导体衬底的表面上沉积氧化硅层；之后...
2007年10月24日
13
形成硅氧化物膜的方法和制造电容器与半导体装置的方法　[申请号/专利号：200710086373]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
通过ＣＶＤ方法在覆盖半导体基板（１０）的一个主表面的氧化硅膜（１２）上形成氮化硅膜（１４）之后，在加速电压为１００ｋｅＶ和剂量为５×１０↑［１５］ｉｏｎ／ｃｍ↑［２］的...
2007年9月19日
14
选择性等离子体处理方法　[申请号/专利号：200680001355]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种选择性等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，选择性地对硅进行氧化处理，使得在氮化硅层...
2007年11月28日
15
等离子体处理方法　[申请号/专利号：200680001118]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
从微波发生装置（３９）经由匹配电路（３８）将脉冲状的微波导入波导管（３７），经由内导体（４１）供给到平面天线部件（３１），从平面天线部件（３１）经由微波透过板（２８）放...
2007年10月10日
16
半导体器件的制造方法以及衬底处理装置　[申请号/专利号：200680000868]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第１步骤，对收容于处理室内的衬底供给第１反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第１反应物质的配位基发...
2007年9月5日
17
集成多栅极电介质成分和厚度的半导体芯片及其制造方法　[申请号/专利号：200810003807]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种方法。所述方法包括在衬底上方形成材料并且构图所述材料，以便去除部分所述材料并且暴露所述衬底的下面的部分。所述方法还包括进行氧化工艺，由此在所述衬底的被暴...
2008年7月30日
18
一种进行电极剥离的方法　[申请号/专利号：200710150996]
申请人/专利权人：天津工业大学
本发明一种进行电极剥离的方法，采用氮化硅和二氧化硅组成的双层膜技术，利用溅射剥离工艺实现金属电极的制作，属于光通讯领域以及半导体领域。本发明利用氮化硅与二氧化硅在缓冲二...
2008年7月30日
19
制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200810084507]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成高介电绝缘层。通过利用前体物形成具有高密度的非晶高介电绝缘层，所述前体物可以在４００℃以上的温度下通过原子层沉积法来沉积。所产...
2008年9月24日
20
SrTiO*膜的成膜方法　[申请号/专利号：200810008828]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种在处理容器内配置基板，对基板加热，将气态的Ｔｉ原料、气态的Ｓｒ原料和气态的氧化剂导入处理容器内，从而在基板上形成ＳｒＴｉＯ↓［３］膜的ＳｒＴｉＯ↓［３］膜...
2008年7月30日
21
2008年12月3日
22
2008年6月4日
23
硅双面扩散衬底片加工方法　[申请号/专利号：200710035895]
申请人/专利权人：衡阳晶体管有限公司
一种硅双面扩散衬底片加工方法，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一...
2008年5月7日
24
介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法　[申请号/专利号：200710153180]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种能够经受低温工艺的介电薄膜用组合物。具体地说，本发明涉及一种使用该组合物而形成的金属氧化物介电薄膜、其制备方法、包含该介电薄膜的晶体管器件、和包含该晶体管...
2008年4月2日
25
半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200710180918]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极／漏极区域；一预定区域，连接该源极／漏极区域；以及一光致抗...
2008年4月16日
26
2008年6月4日
27
半导体装置及制造该半导体装置的方法　[申请号/专利号：200710100621]
申请人/专利权人：索尼株式会社
提供一种半导体装置，其具有在电极之间具有钙钛矿结构的结晶介电膜。该半导体装置至少包括在结晶介电膜的柱形晶体部分中的不连续界面，通过该界面结晶性变为不连续的。...
2007年9月12日
28
电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置　[申请号/专利号：200710138292]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置。该电容器包括被顺序地堆叠的第一电极、介电层和第二电极。该介电层具有包括预定数目的铪氧化物亚层和预定数...
2008年2月6日
29
2008年6月11日
30
半导体处理用的成膜方法和装置　[申请号/专利号：200710167674]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用ＣＶＤ法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含...
2008年3月12日
31
电介质膜的成膜方法　[申请号/专利号：200680002218]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种ＳｉＯＣＨ膜的成膜方法，其特征在于，具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成ＳｉＯＣＨ膜，所述单元成膜处理工序包括：以有...
2008年1月9日
32
元件隔离膜的形成方法以及非易失性半导体存储器　[申请号/专利号：200710136808]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供具有稳定的元件特性的非易失性半导体存储器及其ＳＴＩ绝缘膜的形成方法。通过在Ｓｉ衬底（１）的元件隔离区域上形成浅沟槽（凹部）、在该沟槽的内部表面上淀积厚度３００...
2008年3月5日
33
一种定点沉积介质颗粒的方法　[申请号/专利号：200710048118]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
本发明提供一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其中，介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：ａ．在半导体器件的介质层上涂...
2008年3月26日
34
衬底处理装置　[申请号/专利号：200710153577]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
本发明提供一种衬底处理装置，其具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的...
2008年3月26日
35
互补式金属氧化物半导体影像传感器制造方法与制造系统　[申请号/专利号：200810003536]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明揭示互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法与制造系统，其中该互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法包括以下步骤：形成一光二极管于一基底中；形成一源极区与一...
2008年9月17日
36
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610156717]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
一种半导体装置的制造方法，使得裂纹不会进入在沟槽内埋入的绝缘物中而把绝缘物填充在应该填充的地方。包含：在ＳＯＩ基板（１０）的第１硅基板（１）的给定的位置，到达埋入绝缘膜...
2007年7月4日
37
集成电路及集成电路的制造方法　[申请号/专利号：200710003176]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)
本发明揭示一种利用现场蒸气产生技术（ｉｎ－ｓｕｉｔ　　ｓｔｅａｍ　　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ，ＩＳＳＧ）以降低硅及氧化硅区域中的氮浓度，且提供可预期的氧化硅厚度。...
2007年9月5日
38
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200610131711]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明涉及一种半导体装置的制造方法，不使存储晶体管的动作特性变动，而容易地在同一半导体衬底上形成存储晶体管和高耐压ＭＯＳ晶体管。将形成存储晶体管的隧道绝缘膜的工序和形成...
2007年4月11日
39
2008年1月30日
40
等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法　[申请号/专利号：200610164521]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置（１００）的腔室（１０），被基座（１１）和挡板（１８）分隔为处理室（１０ｕ）和...
2007年7月25日
41
陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置　[申请号/专利号：200610168229]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供了一种可低温成膜的陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置。本发明涉及的陶瓷膜制造方法包括：在基体的上方形成材料层的步骤；将含有水蒸气及氧气的气体导入氧化气体制造部（...
2007年7月25日
42
基板处理方法以及基板处理装置　[申请号/专利号：200610163747]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的...
2007年5月30日
43
半导体处理用氧化装置和方法　[申请号/专利号：200710192901]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及一种半导体处理用氧化装置，包括具有以隔开间隔的堆积状态收纳多个被处理基板的处理区域的处理容器；对所述处理区域进行加热的加热器；对所述处理区域内进行排气的排气系...
2008年3月26日
44
制造半导体器件的沟槽隔离的方法　[申请号/专利号：200610151568]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明的制造半导体器件的沟槽隔离结构的方法中，在不产生缺陷情况下获得极好的间隙填充属性。在一方面，该方法包括：加载其中形成沟槽的衬底到高密度等离子体（ＨＤＰ）化学气相沉...
2007年2月14日
45
半导体装置的制造方法及电子设备的制造方法　[申请号/专利号：200610146405]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种能够降低对基板的热负荷的半导体装置的制造方法。此外，还提供一种能够提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具有：将以氢及氧...
2007年6月6日
46
四乙基正硅酸盐(TEOS)氧化物于集成电路工艺中的应用　[申请号/专利号：200610142544]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)
提供一种制造用于图案化与蚀刻的低温可去除二氧化硅硬式罩幕的方法，其中采用四乙基正硅酸盐（ＴＥＯＳ）以沉积二氧化硅硬式罩幕。...
2007年7月11日
47
形成硅氧化膜的成膜方法和装置　[申请号/专利号：200710192997]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种成膜方法和成膜装置，在能够选择地供给包括硅源气体的第一处理气体和包括氧化气体的第二处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成氧化膜。因此，多次重复...
2008年4月2日
48
形成绝缘膜的方法和制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710142367]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
根据本发明的一个实施例的形成绝缘膜的方法是一种形成用在半导体器件中的绝缘膜的方法，其通过湿法氧化工艺在２００到４００摄氏度的温度范围对氮化钽膜执行热氧化，由此形成氧化钽...
2008年2月27日
49
集成工艺调制一种利用HDP-CVD间隙填充的新型方法　[申请号/专利号：200710090263]
申请人/专利权人：应用材料股份有限公司
本发明公开了一种用于在设置于工艺腔室内的衬底上沉积氧化硅薄膜的工艺。将包括卤素源、流动气体、硅源和氧化气体的工艺气体流入工艺腔室中。具有离子密度至少为１０↑［１１］离子...
2007年11月28日
50
一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法　[申请号/专利号：200710042360]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜材料的制备方法，属于信息功能材料与器件领域。本发明方法包括先驱体溶液的配置，即将醋酸铅，异丙醇锆，正丙醇钛先驱材料加入乙二醇甲醚等溶剂...
2007年11月21日
 

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