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| 本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进行排气。在此，将氧化性气体和还原性气体中的一种或两种活化。由此使氧化性气体和还原性气体反应，在处理区域内产生氧活性种和羟基活性种，使用氧活性种和羟基活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。 |
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半导体处理用的氧化方法和装置
一种半导体处理用的氧化方法，其特征在于，包括： 在处理容器的处理区域内，以隔开间隔层叠的状态收容多个被处理基板的工序； 在所述处理区域的一侧从接近所述被处理基板的第一和第二气体供给口分别将氧化性气体和还原性气体供给至所述处理区域的工序，各个所述第一和第二气体供给口存在于与所述处理区域对应的上下方向的整个长度范围； 使所述氧化性气体和所述还原性气体中的一种或两种活化的工序； 从夹着所述处理区域、与所述第一和第二气体供给口相对的排气口，对所述处理区域进行排气，使所述氧化性气体和所述还原性气体沿着所述被处理基板的表面流动的工序； 使所述氧化性气体和所述还原性气体反应，在所述处理区域内产生氧活性种和羟基活性种的工序；和 使用所述氧活性种和所述羟基活性种，对所述被处理基板的表面进行氧化处理的工序。
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