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专利号:200710042360
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一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法

本发明涉及一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜材料的制备方法,属于信息功能材料与器件领域。本发明方法包括先驱体溶液的配置,即将醋酸铅,异丙醇锆,正丙醇钛先驱材料加入乙二醇甲醚等溶剂中,采用聚乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度,在干燥气氛下配制成均匀稳定透明的先驱体溶液。然后在硅基衬底上通过甩胶、干燥、退火等过程制备所需厚度的铁电厚膜材料。本发明通过引入缓冲层减缓了由于铁电厚膜材料和硅基衬底的热膨胀系数差异引起的热应力,实现了硅基衬底上铁电厚膜材料的制备。本发明的硅基铁电厚膜材料可以用于硅基的铁电、压电、热释电等微型集成器件的研制。

一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法

一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法,包括先驱体的配制、甩胶、干燥、热解、退火等步骤,其特征在于包括下述步骤:    (1)将醋酸铅、异丙醇锆、正丙醇钛加入有机溶剂中,采用聚乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度,在干燥气氛下通过蒸馏,回流,过滤配制成锆钛酸铅铁电厚膜先驱体溶液,溶液的浓度大于0.5摩尔/升;    (2)在清洗的硅基片上制备镍酸镧过渡层;    (3)在镍酸镧过渡层上通过锆钛酸铅铁电厚膜先驱体溶液的甩胶、干燥、退火备所需厚度的厚膜材料。
 


  
专利号: 200710042360
申请日: 2007年6月21日
公开/公告日: 2007年11月21日
授权公告日:
申请人/专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
国家/省市: 上海(31)
邮编: 200050
发明/设计人: 王根水、董显林
代理人:
专利代理机构: ()
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专利类型: 发明
公开号: 101074170
公告日:
授权日: 20
公告号: 000000000
优先权:
审批历史:
附图数: 3
页数: 11
权利要求项数: 2
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