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形成晶体性半导体膜的方法 [申请号/专利号:96190679]
申请人/专利权人:
精工爱普生株式会社
在便宜的基板上形成半导体膜,接着,大约在整个半导体膜上施行激光照射等的第1退火工艺,然后,进行由快速热处理构成的第2退火工艺。这样,就不会使基板受大的热应力,而且具有高...
1997年8月13日
日本
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2
一种制备金属有机配合物薄膜的方法 [申请号/专利号:00137217]
申请人/专利权人:
复旦大学
本发明涉及一种制备金属有机配合物薄膜的方法,其步骤为,先用常规方法在衬底上形成一层金属薄膜,再将衬底及TCNQ粉末置于密闭容器中,抽真空,加热,使金属膜原子与汽相有机分...
2001年7月25日
上海
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3
制造光电箔的方法和使用该方法得到的光电箔 [申请号/专利号:97198288]
申请人/专利权人:
阿克佐诺贝尔公司
本发明涉及到制造光电箔的方法,该光电箔由载体(14)支承并包含多个合起来具有从入射光产生电流的能力的光电层(16)、在光电层的一侧上并与之邻接和平行的背面电极层(10)...
1999年10月13日
荷兰
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4
氧化钒薄膜材料的制备方法 [申请号/专利号:03115643]
申请人/专利权人:
中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜材料的方法,其特征在于它用乙酰丙酮氧钒替代了五价钒的醇氧盐(VO(Opr)#-[3]),使制备好的溶胶稳定性好,可以长期存放,多...
2003年8月20日
上海
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5
制造光伏箔的方法 [申请号/专利号:01807795]
申请人/专利权人:
阿克佐诺贝尔股份有限公司
本发明涉及一种制造光伏箔的方法,该光伏箔包括一个TCO层、一个光伏层,和一个背电极,制造光伏箔的方法包括以下步骤:提供一个导电的临时衬底;在临时衬底上施加一TCO层;用...
2003年9月3日
荷兰
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6
光电元件的制造方法 [申请号/专利号:97113711]
申请人/专利权人:
佳能株式会社
一种制造光电元件的方法,所述方法包括步骤:提供光电元件,该光电元件包括:下电极层,下电极层包括由A1或铝化合物构成的金属层和透明导电层;光电转换半导体层;和透明电极层,...
1998年1月21日
日本
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