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钱眼专利首页 > 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 的专利共 103 条
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1
电调制改变电阻的实现方法及可变电阻器件　[申请号/专利号：200610127448]
申请人/专利权人：北京大学
本发明提供一种电调制改变异质结构薄膜样品电阻的实现方法，即将导电电阻薄膜设置在低电阻的半导体衬底上，通过施加并调制垂直于半导体和导电电阻薄膜之间界面的电压，改变导电电阻...
2007年12月5日
2
磁阻效应元件以及磁存储器　[申请号/专利号：200710102315]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种磁阻效应元件以及磁存储器，即使进行微观化也具有热稳定性，并且可以用低电流密度实现磁记录层的磁化反转。该磁阻效应元件具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化方向...
2007年10月31日
3
电感结构　[申请号/专利号：200710008133]
申请人/专利权人：威盛电子股份有限公司
本发明公开了一种电感结构，包括绕线图案及遮蔽图案。绕线图案配置于基底上。绕线图案至少包括内圈与外圈，其中内圈接地。遮蔽图案配置于绕线图案与基底之间。遮蔽图案包括第一图案...
2007年9月12日
4
存储器装置及形成存储器装置的方法　[申请号/专利号：200610003592]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短...
2006年9月6日
5
自旋注入磁随机存取存储器及写入方法　[申请号/专利号：200610002435]
申请人/专利权人：株式会社东芝
根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固...
2006年8月2日
6
与半导体元件的上面电极电连接的方法和结构　[申请号/专利号：200580036418]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
本发明公开一种与半导体元件的上面电极电连接的结构以及制造这种结构的方法。与上面电极电连接的结构（１０）包括具有横向尺寸的第一电极（５０）、在第一电极上面的半导体元件（１...
2007年10月3日
7
具有高垂直各向异性和平面内平衡磁化的自由层的自旋转移磁性元件　[申请号/专利号：200580013036]
申请人/专利权人：弘世科技公司
本发明公开了一种用于提供可以在磁存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。间隔层位于被钉扎层和自由层之间。当写入电流穿过磁性元件...
2007年4月11日
8
一种磁致电阻晶体管　[申请号/专利号：200410083673]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种磁致电阻晶体管，是以磁致电阻组件作为发射极，并利用无源组件作为集电极，基极连接在发射极与集电极之间，以电性导通于发射极与集电极。磁致电阻组件中的磁性多层膜经过外加磁...
2006年4月19日
9
磁性器件和磁性存储器　[申请号/专利号：200410083228]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明涉及提供一种能够减小在电流驱动的磁性反向中的反向电流的磁性器件和使用它的磁性存储器。该磁性器件包括第一铁磁层、第二铁磁层、第三铁磁层、第一中间层、第二中间层和一对...
2005年8月24日
10
具有低饱和磁化强度自由层的自旋转移磁性元件　[申请号/专利号：200580009921]
申请人/专利权人：弘世科技公司
本发明公开了一种用于提供可以用在磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。该间隔层位于该被钉扎层和自由层之间。当写入电流通过该磁...
2007年3月28日
11
磁存储器件及其操作和制造方法　[申请号/专利号：200510092762]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的ＭＴＪ（磁性隧道结）层...
2006年3月22日
12
操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件　[申请号/专利号：200510091996]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场...
2006年3月15日
13
磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510090270]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法。该磁阻性随机存取存储器装置包含位于基板上的支柱，且该支柱至少拥有一斜面，而该斜面自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存...
2006年7月12日
14
磁性随机存储元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510090269]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种磁性随机存储元件及其制造方法。所述磁性随机存储元件，包括二第一磁性层，个别地位向于一基底上。一第二磁性层夹置于该二第一磁性层之间。以及二介电层各接触该第二...
2006年6月7日
15
磁性隧道结结构、磁性随机存取存储单元、及光掩模　[申请号/专利号：200510081709]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性ＲＡＭ单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形...
2006年2月15日
16
降低功耗的MRAM器件各向异性轴角选择方法和结构　[申请号/专利号：200510079133]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种用于对磁随机访问存储器（ＭＲＡＭ）器件确定期望各向异性轴角度的方法，所述方法包括选择各向异性轴角度的多个最初值，对每个所选最初值，确定ＭＲＡＭ器件至少一个铁磁层的最...
2006年1月25日
17
线性磁场传感器及其制作方法　[申请号/专利号：200510072052]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明公开了一种隧道结线性磁场传感器及其制作方法：在沉积非磁性层时在主溅射腔内原位更换掩膜，即在沉积时利用掩膜挡住第１、３自旋阀元件或第２、４自旋阀元件上非磁性层的溅射...
2005年10月26日
18
软参考三导体磁存储器存储装置　[申请号/专利号：200510063759]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
本发明提供一种软参考三导体磁存储器（２００）存储装置。在特定实施例中，存在多个平行导电的第一读出／写入导体（２０４，２０４’）以及多个平行导电的第二读出导体（２０６，３...
2005年9月28日
19
磁阻式随机存取内存及集成电路组件　[申请号/专利号：200510063029]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种磁阻式随机存取内存（ＭＲＡＭ）及集成电路组件。上述磁阻式随机存取内存包括一磁性穿隧接面（ＭＴＪ）堆栈，通过一低介电常数材料，与其它一或多个邻近的导电层及／...
2005年10月5日
20
MRAM及其制造方法　[申请号/专利号：200410007425]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种ＭＲＡＭ及其制造方法。ＭＲＡＭ包括半导体基板、形成在半导体基板上的晶体管、在半导体基板上形成以便覆盖晶体管的层间介电层、和在层间介电层中形成与晶体管的漏区并联连...
2004年12月1日
21
基于微机电系统的力敏器件的制作方法　[申请号/专利号：200510026605]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种微机电系统技术领域的基于微机电系统的力敏器件的制作方法。方法如下：双面氧化过的硅衬底基片的表面清洗处理；双面甩正胶、曝光与显影及刻蚀ＳｉＯ↓［２］；去光刻胶、单面刻...
2005年10月26日
22
基于微机电系统的力敏器件　[申请号/专利号：200510026604]
申请人/专利权人：上海交通大学
一种基于微机电系统的力敏器件。本发明由硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜力敏器件和硅悬臂梁组成，引脚从力敏器件两端的铜层引出，并设置在带ＳｉＯ↓［２］层的硅悬臂梁...
2005年11月9日
23
温度受控、热辅助磁性存储器件　[申请号/专利号：200510009079]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
本发明提供一种温度受控、热辅助磁性存储器件（２００）。在一特定实施例中，有一个ＳＶＭ单元阵列（２０２），所述每个ＳＶＭ单元的特征在于具有可改变的磁化取向并且包括其中矫顽...
2005年8月24日
24
在未构图的连续磁层中存储数据的系统和方法　[申请号/专利号：200410083917]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
通过用铁磁性材料中畴壁固有的自然特性在未构图的磁膜上写入数据，在未构图的磁膜中存储数字信息。通过磁隧道结（ＭＴＪ），从未构图的磁膜中读出数据。为了达到足够的热稳定性，改...
2005年5月4日
25
基于磁电阻效应的微声学器件　[申请号/专利号：200420049609]
申请人/专利权人：清华大学
本实用新型公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构，由底层向上依...
26
与MRAM器件中磁电子元件上的导电层形成接触的方法　[申请号/专利号：200480010848]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种用来与磁电子元件上的导电层形成接触的方法，包含在介质区上形成存储器元件层。第一导电层（２６）被淀积在存储器元件层（１８）上。第一介质层（２８）被淀积在第一导电层（２...
2006年5月24日
27
形成不含接触孔的纳米尺寸的磁性隧道结单元的方法　[申请号/专利号：200510004452]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法，其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层，通过构图磁性隧道结...
2005年8月10日
28
磁阻式随机存取内存电路　[申请号/专利号：200410004285]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴...
2004年10月6日
29
三次元磁性方位传感器以及磁铁·阻抗·传感器元件　[申请号/专利号：200480000381]
申请人/专利权人：爱知制钢株式会社
本发明的三次元磁性方位传感器１０ａ包含有，能随着外部磁场的变化而产生特性变化的感磁体２和、使感磁体２贯通于其中而形成的绝缘体４、邻接配设于绝缘体４外表面的箔状导电线路３...
2005年11月16日
30
用于磁性装置的磁性膜　[申请号/专利号：200410098212]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明提供了一种能够被实际应用的磁性装置的磁性膜，该磁性膜具有大于２．４５Ｔ的饱和磁化强度。该磁性膜是一种由铁、钴和钯组成的合金膜。钯的摩尔含量为１－７％，而且该合金膜...
2005年12月14日
31
磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器　[申请号/专利号：200410095989]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器。磁性隧道结（ＭＴＪ）单元包括具有低磁矩的自由磁层，磁性随机存取存储器（ＭＲＡＭ）包括ＭＴＪ单元。ＭＲＡＭ的ＭＴＪ单元包括...
2005年5月18日
32
带有退藕的难偏置多层的磁阻传感器　[申请号/专利号：200410094788]
申请人/专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
本发明公开一种磁传感器，具有两个通过用来消除偏置层之间交换耦合的退藕层隔开的偏置层。这两个偏置层可以具有不同的矫顽磁力，这样可以独立地调节由偏置层提供给自由层的磁偏置。...
2005年8月24日
33
包括磁隧道结结构和衬底之间的存储器及其相关方法　[申请号/专利号：200510091181]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种磁随机存取存储器件，可以包括半导体衬底、磁隧道结（ＭＴＪ）结构、接触栓塞和数字线。更具体，ＭＴＪ结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。此外，接触栓...
2006年4月5日
34
加热磁随机存取存储单元以易于状态转换　[申请号/专利号：200410090531]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
一种制造磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）（１００，２００，３００）的方法，此方法可降低ＭＲＡＭ阵列中存储单元（１０２，２０２，３０２，４０２）的热传导。此方法利用位线和字线...
2005年5月4日
35
超导限流装置及其用途　[申请号/专利号：200410082094]
申请人/专利权人：尼克桑斯公司
本发明涉及超导限流装置及其用途，该装置包括超导体元件（１），其中每个超导体元件（１）具有一个其上缠绕有线圈（３）的超导体本体（２），线圈与超导体本体（２）电连接，其中当...
2005年6月22日
36
磁随机存取存储器以及从其中读取数据的方法　[申请号/专利号：200410075897]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）以及从所述的ＭＲＡＭ中读取数据的方法，该磁随机存取存储器包括具有一个晶体管和一个磁隧道结（ＭＴＪ）层的存储单元和当读取存储在存储单元的数...
2005年10月12日
37
基于磁电阻效应的微声学器件　[申请号/专利号：200410034143]
申请人/专利权人：清华大学
本发明公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构，由底层向上依次由...
2005年1月26日
38
磁存储装置和数据复制的装置、系统、程序及方法　[申请号/专利号：200410032846]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤...
2004年11月3日
39
磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法　[申请号/专利号：200510066413]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法，其中该磁性随机存取记忆体主要包括磁性穿隧式接面、第一写入线路以及正交于第一写入线路的第二写入线路，且第一写入...
2005年11月2日
40
一种菱形的磁性随机存储器存储单元　[申请号/专利号：200410081513]
申请人/专利权人：电子科技大学
本发明提供了一种菱形的磁性随机存储器存储单元，它包括：自由层（４）、绝缘层（５）、钉扎层（６）；其特征是所述的磁性随机存储器存储单元的俯视图形状是菱形，所述菱形的长轴ａ...
2006年6月21日
41
磁随机存取存储器及其制造方法　[申请号/专利号：200410010486]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）及其制造方法。该ＭＲＡＭ包括开关器件和与该开关器件相连的ＭＴＪ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属...
2005年7月13日
42
磁敏传感器阵列及其制造方法　[申请号/专利号：200510040154]
申请人/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
本发明公开了一种单片式磁敏传感器阵列及其制造方法。传感器阵列由多个相同的磁敏感单元以两维方式排列而成，每个磁敏感单元为由两个相同的磁敏二极管组成的差分对结构，磁敏二极管...
2005年11月9日
43
具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法　[申请号/专利号：200410009724]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法。采用二氧化硅基片，通过超高真空等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出金属７～８层膜，...
2005年4月6日
44
一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法　[申请号/专利号：200410009939]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成，其钉扎层为一个合成反铁磁三层结...
2005年7月13日
45
一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法　[申请号/专利号：200410009938]
申请人/专利权人：北京科技大学
本发明提供了一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离...
2005年5月11日
46
磁存储器件及其控制和制造方法　[申请号/专利号：200510129769]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种磁随机存取存储（ＭＲＡＭ）器件及其控制和制造方法。所述器件的示范性实施例包括：具有自由层的磁隧道结；具有覆盖自由层表面的第一部分的第一电极（第一磁场产生...
2006年11月22日
47
氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法　[申请号/专利号：200810031141]
申请人/专利权人：湘潭大学
本发明公开了一种氧化物稀磁半导体／铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为Ｓｉ、蓝宝石、ＳｒＲｕＯ↓［...
2008年9月10日
48
提供磁存储单元稳定性的方法　[申请号/专利号：200410003527]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
本发明包括一种提供存储单元［６１２］磁稳定性的方法。存储单元［６１２］通常位于靠近传导线［６１４］处，同时靠近于可以设置存储单元［６１２］磁性状态的写入机构。该方法包括...
2005年1月26日
49
在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料的制备方法　[申请号/专利号：200410068866]
申请人/专利权人：中国科学院物理研究所
本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法，该材料包括在ｎ型硅片上生长一层ｐ型的掺杂锰酸镧Ｌａ↓［１－ｘ］Ａ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］薄膜，形成ｐ－ｎ异...
2006年1月18日
50
具有高选择性的磁阻随机存取存储器　[申请号/专利号：200410003614]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种磁阻随机存取存储器。该磁阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁...
2004年12月29日
 

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