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具有双栅极半导体器件的制造方法 [申请号/专利号：97114594]
申请人/专利权人：
LG半导体株式会社
制造具有双栅极半导体器件的方法，包括：在第一部分和第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成多晶硅层；在第一部分多晶硅层上选择地注入第一导电型掺杂剂；在第二部...
1998年7月1日
韩国
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