杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料、电极材料-钱眼专利分类

顺序横向固化方法加工期间及其后硅薄膜的表面平面化　[申请号/专利号：00810687]
申请人/专利权人：纽约市哥伦比亚大学托管会
揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中，该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器（１１０）；用...

2002年8月7日

掺杂装置和掺杂方法以及薄膜晶体管的制作方法　[申请号/专利号：200410056427]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的是提供一种能够以最合适的载流子浓度执行掺杂，非破坏性且简便地获取所希望的电特性的掺杂装置、掺杂方法、以及使用该掺杂装置和掺杂方法的薄膜晶体管的制作方法。在本...

2005年2月16日

处理装置　[申请号/专利号：200410038016]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利...

2004年12月1日

以磷掺杂硅并在蒸汽存在下生长硅上氧化物的方法　[申请号/专利号：01810210]
申请人/专利权人：特克尼格拉斯公司
本发明涉及一种掺杂硅的方法，它包括在第一温度下以与固体磷掺杂源呈有间距的形式放置硅晶片达足够时间，以在晶片的表面上沉积含磷层，接着在低于第一温度的第二温度下，用湿氧或热...

2003年7月23日

激光蒸发装置及应用该装置的半导体形成法　[申请号/专利号：94102046]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明目的在于向Ⅱ－Ⅵ族半导体添加高浓度的Ｐ型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ－Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。...

1994年11月9日

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