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钱眼专利首页 > 为PN单质结型势垒的 的专利共 22 条
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1
pn结Mg*Zn*O薄膜日盲区紫外探测器件　[申请号/专利号：200810050783]
申请人/专利权人：长春理工大学
ｐｎ结Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜作为光电转换器件，其光谱响应度有待提高；而...
2008年10月15日
2
平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法　[申请号/专利号：200710170717]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种平面型铟镓砷红外焦平面器件，包括：在外延片上通过Ｚｎ扩散形成平面型ｐｎ结，其特征是：在Ｚｎ扩散区域上方周围有一加厚Ｃｒ／Ａｕ环形电极，通过Ａｕ层对入射光...
2008年4月30日
3
短路调制光电二极管　[申请号/专利号：01250012]
申请人/专利权人：何民才
一种短路调制光电二极管，在通常光敏区的毗邻处，加进了一个调制区和电流泄放区。用这种光电二极管检光信号时，外接ＩＶ转换或负载，外加调制信号于调制区，输出的将是交变的光信号...
4
光电二极管　[申请号/专利号：200710163351]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种光电二极管，其能够将紫外线的３个波长区域分开来检测其强度。该光电二极管具有形成在绝缘层上的厚度不同的多个硅半导体层，各种厚度的硅半导体层具有低浓度扩散了Ｐ...
2008年5月21日
5
电分色红外接收器件　[申请号/专利号：90105327]
申请人/专利权人：青岛大学
一种利用重掺半导体材料的强自由载流子红外吸收作用，由三层半导体结构区组成，长波限可由第三电极电位调节而自由改变并可用于各类红外设备的电分色红外三端接收器件。由可接收红外...
1991年9月4日
6
高光电转换效率的P-N结硅光电二极管　[申请号/专利号：91103787]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明涉及一种具有高光电转换效率的Ｐ－Ｎ结硅光电二极管器件，其特点是在Ｐ－Ｎ结附近的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。由于缺陷层能吸收更多的光而产生更多的光生载流...
1991年11月13日
7
光接收元件　[申请号/专利号：96120192]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种光接收元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层；以及至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体...
1997年6月11日
8
一种能实现紫外光响应的硅器件　[申请号/专利号：200810069342]
申请人/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
本发明公开了一种能实现紫外光响应的硅器件，它包括：钝化层、Ｎ型区、Ｐ型区，所述的Ｎ型区和Ｐ型区并排在钝化层一侧，且三者间互相连接；光子经过钝化层直接到达耗尽区，且仅保留...
2008年8月6日
9
光电二极管以及具有该光电二极管的光电IC　[申请号/专利号：200710163363]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种光电二极管和光电ＩＣ。光电二极管具有：支撑衬底；形成在该支撑衬底上的绝缘层；硅半导体层，形成在绝缘层上，具有元件形成区域和元件隔离区域；形成于该元件隔离区...
2008年5月21日
10
具有光导管的影像感测装置　[申请号/专利号：200420116221]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本实用新型提供一种具有光导管的影像感测装置，包括：具有一影像感测数组的一基底，其中影像感测数组包含多个传感器，且相邻传感器之间具有一空间。一第一介电层，形成于该空间上方...
11
一种氧化锌同质结p-n结材料及其制备方法　[申请号/专利号：200310109139]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及一种用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备ｐ－型氧化锌薄膜材料，通过掺杂铟制备低阻ｎ－型氧化锌薄膜材料，从而制得ＺｎＯ同质结ｐ－ｎ结的方法。在该方法中，通过向...
2004年11月17日
12
一种形成横向沟槽光检测器的方法　[申请号/专利号：02803225]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明公开了一种在半导体基底（１０２）上成型光检测器器件的方法。该方法包括：在基底（１０２）上成型第一组沟槽和第二组沟槽，其中第一组的各沟槽对于第二组的各沟槽交错排列；...
2004年2月25日
13
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：01817364]
申请人/专利权人：中田仗祐
适用于该太阳能电池单元的半导体器件（１０）中，在球状或近似球状的硅单晶（１ａ、１ｂ）上形成一个平坦面（２）作为半导体元件（１）。在该半导体元件（１）上形成扩散层（３）及...
2004年1月21日
14
发光或受光用半导体模块及其制造方法　[申请号/专利号：01817358]
申请人/专利权人：中田仗祐
本发明的半导体模块（２０）是将２５个具有光电转换功能的半导体器件（１０），通过由６条连接引线（２１～２６）所构成的导电构件配置成５行５列的矩阵形，多列半导体器件（１０）...
2004年1月21日
15
光接收器件及含有该光接收器件的光接收模块　[申请号/专利号：01812621]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、鸟取三洋电机株式会社
光接收器件具有在第一导电类型的低杂质浓度衬底上制作的第一导电类型高杂质浓度层和环绕之的第二导电类型高杂质浓度层，使之作为光接收部分。第一和第二导电类型的高杂质浓度层是在...
2003年9月10日
16
紫外增强反型层型光电二极管　[申请号/专利号：90100356]
申请人/专利权人：武汉大学
一种改进的制造紫外增强反型层型光电二极管的方法，把反型层结构与用Ｎ＋［＋扩散环把工作区以外的漏电流引走不使其进入工作区电流回路的方法结合起来，使得不仅紫外增强效果好，而...
1991年7月31日
17
与CMOS单片集成的光子器件　[申请号/专利号：200580025100]
申请人/专利权人：量子半导体有限公司
公开了与ＣＭＯＳ单片集成的光子器件，包括亚－１００ｎｍ的ＣＭＯＳ，具有包括加速区的有源层，光发射和吸收层，以及可选的能量过滤区。通过向衬底（比如体Ｓｉ，体Ｇｅ，厚膜ＳＯ...
2007年7月18日
18
一种波导共振增强型光电探测器　[申请号/专利号：200510119710]
申请人/专利权人：厦门大学
一种波导共振增强型光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种波导共振增强型光电探测器。提供一种可实现对入射光的有效限制和共振增强效应，提高器件的量子效率，同时使器件...
2006年6月28日
19
硅光电器件及其制造方法以及图像输入和/或输出设备　[申请号/专利号：200410007426]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和／或输出设备。该方法包括准备ｎ或ｐ型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在...
2004年8月11日
20
紫外选择增强硅光电二极管　[申请号/专利号：03125372]
申请人/专利权人：武汉大学
新型的硅ＰＮ结光电二极管，它有衬底材料硅，ＰＮ结扩散层，二氧化硅层和电极引线，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。能提高硅光电器件对光线、特别是对紫外光的响应度，在４００...
2004年8月11日
21
光半导体器件　[申请号/专利号：03108616]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种光半导体器件，具备光敏元件（１０），带有在可见光区和红外区分别具有峰值波长敏感度的两个光电二极管的光接受部（７），和对各个输出进行放大·运算处理的放大运算处理电路（...
2003年10月15日
22
具有慢光载流子的阻挡层的高速光电二极管及其形成方法　[申请号/专利号：200310121283]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本申请公开了具有慢光载流子的阻挡层的高速光电二极管及其形成方法。一种结构（以及形成结构的方法）包括光检测器、形成在所述光检测器下面的衬底、以及形成在所述衬底上的阻挡层。...
2004年6月30日
23
光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件　[申请号/专利号：01816530]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、鸟取三洋电机株式会社
一种光接收元件，具有形成于半导体衬底顶面一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管，并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极。高浓度杂质层沿着...
2004年1月7日
 

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