用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的-钱眼专利分类

图像传感器　[申请号/专利号：200810089198]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
一种包括形成在光电二极管区域的上部处作为用于使光通过的透明电极的第二线的图像传感器。该第二线由具有透明性和导电性的聚合材料组成。...

2008年10月29日

形成发光元件用的电极结构的方法和形成层压结构的方法　[申请号/专利号：200810111258]
申请人/专利权人：索尼株式会社
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2008年12月10日

非易失性半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810090815]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
示例实施例涉及一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。半导体装置包括从基底突出的隔离层、分隔件、隧道绝缘层、浮置栅极、介电层图案和控制栅极。分隔件可以形成在隔离层的突出...

2008年10月8日

导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极　[申请号/专利号：200810107802]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年12月3日

场效应晶体管及其制造方法　[申请号/专利号：200810092505]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种场板和绝缘膜之间的密合性高、且在栅电极和半导体层之间不存在氧化膜的ＧａＮ系ＦＥＴ的结构和制造方法。在绝缘膜（２１）上形成有用于设置栅电极（２）形成用的开口...

2008年11月19日

异质结双极晶体管及其形成方法　[申请号/专利号：200810002829]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了一种具有自对准的亚光刻非本征基极区域的异质结双极晶体管结构，包括为该基极制作的自对准的金属半导体合金和自对准的金属接触部。非本征基极区域的横向尺寸由牺牲间隔件的印...

2008年7月16日

美国

带有混合结构电荷捕获层的闪存器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810142821]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年11月26日

一种染料敏化太阳能电池阳极及其制备方法　[申请号/专利号：200810044309]
申请人/专利权人：四川大学
本发明属于染料敏化太阳能电池材料领域，涉及一种染料敏化太阳能电池（ＤＳＳＣ）的阳极薄膜及其制备方法。阳极为（１０１）择优生长的锐钛矿晶型ＴｉＯ↓［２］多孔薄膜；ＴｉＯ↓...

2008年9月10日

成都

回流处理方法以及TFT的制造方法　[申请号/专利号：200810003524]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及回流处理方法以及ＴＦＴ的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜（２１０）（漏电极用抗蚀剂掩膜（２１１））的单位长度Ｌ平均的体积Ｖ↓［１］相对布线用抗蚀剂掩膜（２３１）...

2008年7月30日

碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法　[申请号/专利号：200810036256]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧...

2008年9月10日

上海

非易失性电子存储器件及其制作方法　[申请号/专利号：200810007252]
申请人/专利权人：高丽大学校产学协力团
本发明涉及非易失性（ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　　ｍｅｍｏｒｙ）电子器件（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　　ｄｅｖｉｃｅ）及其制作方法，使纳米粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ）吸附到纳...

2008年8月27日

半导体装置及其栅极和金属线路的形成方法　[申请号/专利号：200810142813]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
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2008年11月26日

半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810097657]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年11月26日

形成图案的方法、半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810092623]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性...

2008年10月22日

HEMT器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810098658]
申请人/专利权人：西安能讯微电子有限公司
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2008年12月10日

西安

非易失性存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810087429]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层...

2008年10月1日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810004155]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底在形成有栅极的区域内具有凹陷；在所述凹陷的侧壁上形成的间隔物和填充所述凹陷的第一栅电极。所述间隔物包...

2008年11月12日

适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法　[申请号/专利号：200810150273]
申请人/专利权人：西安电子科技大学
本发明公开了一种适用于氮化镓（ＧａＮ）器件的欧姆接触快速热退火方法。主要解决了常规快速热退火工艺对钛／铝／钛／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ）欧姆接触可能造成金属侧流和合金...

2008年11月12日

西安

形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法　[申请号/专利号：200810127783]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属...

2008年11月12日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810125405]
申请人/专利权人：尔必达存储器株式会社
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2008年12月10日

HEMT器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810098656]
申请人/专利权人：西安能讯微电子有限公司
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2008年12月10日

西安

半导体装置及其制作方法　[申请号/专利号：200810125529]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司、株式会社日立国际电气、株式会社东芝
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2008年12月10日

半导体存储器件、其制造方法以及采用该半导体存储器件的装置　[申请号/专利号：200810004460]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
在一个实施例中，半导体存储器件包括具有突起部分的半导体衬底、在至少一个突起的半导体衬底部分上面形成的隧穿绝缘层以及设置在该隧穿绝缘层上面的浮栅结构。浮栅结构的上部宽于浮...

2008年10月1日

一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法　[申请号/专利号：200810105970]
申请人/专利权人：北大方正集团有限公司、深圳方正微电子有限公司
本发明实施例公开了一种ＭＯＳＦＥＴ晶体管的栅极及其制造方法，涉及半导体芯片工艺技术领域，解决了现有的ＭＯＳＦＥＴ晶体管的栅极容易被击穿或产生漏电的技术问题。本发明实施例...

2008年10月8日

北京

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810080439]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
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2008年11月26日

纳米硅材料侧壁结构复位闪存及其制作、使用方法　[申请号/专利号：200810035117]
申请人/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
一种纳米硅材料侧壁结构复位闪存，包括，衬底、位于衬底上的控制栅，控制栅两侧各有一个侧壁，所述的侧壁上有纳米硅层，所述的纳米硅层由二氧化硅、纳米硅和二氧化硅依次叠加而成。...

2008年9月3日

上海

染料敏化太阳电池光阳极微裂纹的修复方法　[申请号/专利号：200810052036]
申请人/专利权人：南开大学
本发明提供一种简便的、可减轻甚至消除染料敏化太阳电池光阳极的微裂纹的修复方法。该方法针对烧结后有微裂纹的多孔ＴｉＯ↓［２］电极，处理方法为：在易水解的浓度为０～０．４Ｍ...

2008年7月9日

天津

半导体存储器件的制造方法　[申请号/专利号：200810084505]
申请人/专利权人：冲电气工业株式会社
本发明提供一种可靠性优良的半导体存储器件的制造方法。半导体存储器件（１００）的制造方法，包括：在半导体基板（１０）的凹部形成元件隔离区域（１２）的工序；以覆盖半导体基板...

2008年10月15日

半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200810097771]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
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2008年12月10日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810001342]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司、跨大学校际微电子卓越研究中心
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电...

2008年11月19日

半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200810127727]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括彼此分开并界定在半导体衬底的同一阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域。栅绝缘层和栅电极堆叠在第一和第二掺杂区之间的沟...

2008年11月12日

半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法　[申请号/专利号：200810097146]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法，该制造半导体设备的方法包括步骤：在基板上形成半导体薄膜和由金属氧化物制成的绝缘膜的层叠结构；在层叠结...

2008年11月19日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810098327]
申请人/专利权人：东部高科股份有限公司
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2008年11月26日

半导体存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810096687]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明提供一种具有隧道绝缘膜的半导体存储装置及其制造方法，即使薄膜化也不会使重复进行写入／擦除时的耐性（耐久特性）恶化。该半导体存储装置包括：半导体衬底（２）；在半导体...

2008年10月1日

低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法　[申请号/专利号：200810108794]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
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2008年12月3日

非易失性存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810142856]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种非易失性存储装置及其制造方法。本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，以防止存储于电荷俘获层的电荷移动到邻近的存储单元。制造非易失性存储装置的方法包括：在半导...

2008年11月19日

用于在场效应晶体管的鳍之上形成双重全硅化栅极的方法　[申请号/专利号：200810002048]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了在ＦｉｎＦｅｔ器件的鳍之上形成全硅化栅极的方法。该公开提供以下方法，在每个鳍之上从多晶硅层和多晶硅锗层构图出栅极叠层，然后去除其中一个鳍之上的多晶硅锗层。该公开还...

2008年7月16日

美国

包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810008557]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多...

2008年7月30日

包括浮栅的非易失性半导体器件、制造非易失性半导体器件的方法及相关系统　[申请号/专利号：200810008714]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种存储器件包括衬底中的相邻隔离层之间的衬底上的第一浮栅电极，该第一浮栅电极的至少一部分在相邻隔离层的一部分上面突出；第二浮栅电极，在相邻隔离层的至少一个上，电连接到第...

2008年11月5日

电荷捕获型存储装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810081587]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种电荷捕获型存储装置和一种制造电荷捕获型存储装置的方法。电荷捕获型存储装置可包括基底上的隧道绝缘层、隧道绝缘层上的电荷捕获层和电荷捕获层上的由包含Ｇｄ或更...

2008年9月10日

非挥发性半导体存储器元件及其制造方法　[申请号/专利号：200810002290]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是一种非挥发性半导体存储器元件以及其制造方法。存储器元件包含：衬底、衬底上的穿隧介电膜、形成在衬底中的源极区以及漏极区，以及在每一对源极区与漏极区之间的多个分离的...

2008年7月30日