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| 本发明公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，形成金属氧化物层图案。制造半导体装置的方法包括在基板上形成金属氧化物层和第一导电层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；蚀刻该第一导电层以提供第一导电层图案；和以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以提供金属氧化物层图案。 |
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形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法
一种在基板上形成金属氧化物层图案的方法，包括： 在基板上提供金属氧化物层； 蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其中该初步金属氧化物层图案的线宽在垂直向下的方向上逐渐增加； 以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以形成金属氧化物层图案。
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