由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造-钱眼专利分类

制造带有可动部分的装置的方法　[申请号/专利号：200610005939]
申请人/专利权人：弗兰霍菲尔运输应用研究公司
一种用于制造带有与支持晶片隔开设置的可动部分的装置的方法，包括提供具有结构化表面的支持晶片的步骤，以及提供带有支持层和设置在其上的装置层的装置晶片的步骤。另外，该方法包...

2006年8月2日

联邦

锑前体、使用该锑前体的相变存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510098148]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导...

2006年4月26日

一种电容器的制造方法　[申请号/专利号：200410053694]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
本发明揭示了一种电容器的制造工艺，采用该制造方法可以提高电容器电性能的稳定性、可靠性和提高制造过程的良率。本发明采用一层很薄的非掺杂多晶硅层，作为保护层，覆盖在掺杂多晶...

2006年2月15日

抑制衬底涡流效应的微电子机械电感及其制备方法　[申请号/专利号：200710022360]
申请人/专利权人：东南大学
抑制衬底涡流效应的微电子机械电感以ＧａＡｓ（１）为衬底，在ＧａＡｓ衬底（１）的上表面有一层ＡｌＧａＡｓ薄膜（２），在ＡｌＧａＡｓ薄膜（２）的上表面有一层ＳｉＮ介质层（３...

2007年10月24日

南京

剥离方法　[申请号/专利号：200710147216]
申请人/专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
提供一种剥离方法，还提供用于制造光学显示器件的方法，该方法一步除去抗蚀剂和残留的蚀刻后金属。这些方法尤其适用于制造ＬＣＤ。...

2008年3月12日

制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710001708]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中在半导体晶片的多个半导体芯片区（后来要变成半导体芯片的区域）的每个区域中形成半导体集成电路，然后沿着每个在相邻半导体芯片区之间提...

2007年8月15日

一种聚焦离子束修改集成电路的方法及集成电路　[申请号/专利号：200610089139]
申请人/专利权人：北京中星微电子有限公司
本发明公开了一种聚焦离子束修改集成电路的方法，包括定位步骤、挖洞步骤、沉积步骤和将集成电路的地线引脚接地的步骤。在定位步骤中，定位地线通孔和电路线通孔的位置；在挖洞步骤...

2007年1月3日

氧化铟-氧化锌-氧化镁类溅射靶及透明导电膜　[申请号/专利号：200580009752]
申请人/专利权人：出光兴产株式会社
...

2008年2月13日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200410054555]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂...

2005年2月9日

半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200410044785]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板（１０）的表面的各区域（１０Ａ）中形成集成电路。对半导体基板（１０）进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板（...

2005年2月2日

电容的制作方法　[申请号/专利号：200410038002]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明涉及一种电容的制作方法，其包含有：在第一介电层以及设置于其中的导电物的表面依序形成阻障层、第二介电层以及导电层，且阻障层与导电物直接接触，进行蚀刻工艺以去除部分的...

2005年11月16日

湿蚀刻设备　[申请号/专利号：200410027229]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、群创光电股份有限公司
本发明公开一种湿蚀刻设备，其包括一基板承载室、一干传送区、一干燥室、一漂洗室及一蚀刻区，该基板承载室、干燥室、漂洗室及蚀刻区顺序呈直线排列，该湿蚀刻设备还包括一升降室及...

2005年11月16日

深圳

记忆体元件的制造方法、记忆体元件与相变化记忆体元件　[申请号/专利号：200510088917]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是有关于一种记忆体单元结构和硫属化合物相变化记忆体的制造方法。特别是，它产生一小剖面区域，这个小剖面区域是相变化记忆体的硫属化合物－电极接触的部分，此一很小的剖面...

2006年6月14日

制造半导体器件中的电感的方法　[申请号/专利号：200410056566]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明涉及一种制造半导体器件中的电感的方法。通过以相同图形或不同图形进行至少两次金属镶嵌工艺来很厚地形成用于电感的布线，从而降低电阻并获得良好的Ｑ（品质）因数。因此，本...

2005年7月13日

一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法　[申请号/专利号：200410049792]
申请人/专利权人：北京大学
本发明公开了一种将ＣＭＯＳ电路与体硅ＭＥＭＳ单片集成的方法，其包括以下步骤：１．在硅片上采用标准ＣＭＯＳ工艺完成集成电路部分的制作；２．淀积钝化层保护所述集成电路部分；...

2005年3月16日

半导体装置　[申请号/专利号：200510074293]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种半导体装置，包括：形成了元件（１２）的半导体部分；形成于半导体部分（１０）上的绝缘层（２０）；形成于绝缘层上的电极焊盘（３０）；由在设置在绝缘层的接触孔内形成的导电...

2005年12月14日

电路板折板机　[申请号/专利号：200520119532]
申请人/专利权人：富港电子（东莞）有限公司、正崴精密工业股份有限公司
本实用新型公开一种电路板折板机，包括底板，底板上布设切断动力装置及电路板固定装置。切断动力装置具有驱动装置和与其相连的切刀，切刀可在驱动装置的驱动下于底板上水平往返运动...

广东

半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200510074292]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种半导体装置的制造方法，包括：在形成了元件（１２）的半导体部分（１０）上形成具有用于接触部（５４）的接触孔（２７）的绝缘层（２０）的工序；使电极焊盘（３０）按照在与接...

2005年12月14日

具有补偿区于参考平面的孔状导通结构　[申请号/专利号：200520011701]
申请人/专利权人：威盛电子股份有限公司
本实用新型是有关于一种具有补偿区于参考平面的孔状导通结构。基板中具有数层导体层，藉由绝缘层使其隔绝。若二线路分属不同导体层，且此二导体层之间有一参考平面，因为各导线层之...

薄膜晶体管阵列基板及其修补方法　[申请号/专利号：200510090746]
申请人/专利权人：中华映管股份有限公司
一种薄膜晶体管阵列基板及其修补方法，薄膜晶体管阵列基板在形成数据配线时，同时形成作为修补用的修补线段，另外，共用配线的凸出部与分支分别与数据配线及修补线段部分重叠。而其...

2007年2月21日

PN结衬底隔离片上电感的优化设计方法　[申请号/专利号：200410067600]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于微电子技术领域，具体为一种采用标准ＣＭＯＳ工艺设计多ＰＮ结衬底隔离片上电感的方法。包括：单阱工艺中在阱上注入与阱离子极性相反的杂质，对于深阱工艺，在深阱上形成...

2005年4月6日

一种具有多层结构的螺旋电感元件　[申请号/专利号：200710104504]
申请人/专利权人：威盛电子股份有限公司
本发明揭示一种具有多层结构的螺旋电感元件，其包括：螺旋导线及堆迭层结构。螺旋导线设置于位于基底上的绝缘层内且具有多数匝。堆迭层结构设置于螺旋导线下方的绝缘层内，且连接至...

2007年12月19日

半导体器件及形成该半导体器件的方法　[申请号/专利号：200710102309]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种半导体器件和形成该器件的方法。该半导体器件包括在第一导电元件上面形成的导电纳米管，使得在导电纳米管的底侧与第一导电元件的顶侧之间存在第一间隙。在该导电纳米管上面形成...

2007年11月21日

半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片　[申请号/专利号：200510059014]
申请人/专利权人：罗姆股份有限公司、三洋电机株式会社、株式会社瑞萨科技
一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并具有半导体基板、在该半导体基板的上述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通上述半导体基板...

2005年9月28日

平面显示面板的制造方法　[申请号/专利号：200410080575]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种平面显示面板的制造方法，该方法首先形成一第一导线图案及一垫高图案于一底材上表面；接着形成一绝缘层以覆盖第一导线图案及垫高图案；之后则形成一第二导线图案，...

2005年4月27日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710005262]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
提供一种提高存储在半导体器件中的信息的安全性的技术。多层布线层在半导体衬底上形成。布线在那些多层布线层中的最上布线层上形成。在布线上，以下面的顺序形成氧化硅膜、有色薄膜...

2007年10月3日

半导体集成电路装置及其制造方法　[申请号/专利号：200410032392]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种制造具有多片芯片安装于其上的半导体集成电路装置的方法，半导体集成电路装置制成组件。该制造方法包括安装包含设有特性调整装置７的芯片１０１和未设特性调整装置７的芯片在内...

2004年10月13日

在腐蚀过程中保护微机械器件金属连线的密封方法　[申请号/专利号：200410026130]
申请人/专利权人：西安交通大学
本发明公开了一种在腐蚀过程中保护微电子机械系统器件金属连线的密封方法，其步骤如下：１．将重量比为：１∶０．４－０．６∶０．０５－０．０８的环氧树脂Ｅ－５１↑［＃］、邻苯...

2005年2月16日

西安

一种超大规模集成电路电源/地布线网快速分析方法　[申请号/专利号：200410017278]
申请人/专利权人：杭州电子工业学院
本发明涉及一种超大规模集成电路Ｐ／Ｇ布线网快速分析方法，其主要步骤如下：首先是通过划分得到各局部子网，在用Ｃｈｏｌｅｓｋｙ分解法求得各子网的等效网络后，即可形成只有子网...

2005年1月12日

杭州

多电流路径抑制电流拥挤效应的片上电感设计方法　[申请号/专利号：200410067599]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属于微电子技术领域，具体为一种用标准集成电路工艺，通过设计多电流路径降低电流拥挤效应，从而改进电感性的片上电感的设计方法。设计多电流路径，就是（１）在同一平面内，...

2005年4月6日

用于在集成电路中实现准确电感器的方法和装置　[申请号/专利号：200410063978]
申请人/专利权人：董吉江、张明皓
本发明公开了用于实现集成电路中精确电感元件的技术。该电感元件具有包括彼此电绝缘且位于集成电路基板上的多个导电层的结构。该电感元件包括由第一导电层制造的螺旋状的电感层。此...

2005年12月7日

陶瓷膜及其制造方法、强电介质电容器及其制造方法　[申请号/专利号：200410007843]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
一种陶瓷膜的制造方法，包括在加压到２个大气压或２个大气压以上的状态下，对含有复合氧化物的原材料体进行热处理使结晶化的工序，作为构成元素，复合氧化物含有Ｐｂ或Ｂｉ，原材料...

2004年12月1日

具有由相同材料制成的电阻器图形和栓塞图形的集成电路器件及其形成方法　[申请号/专利号：200410063476]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
通过在衬底上形成电阻器图形而形成集成电路器件。在电阻器图形上形成层间介质层。构图层间介质层，以形成露出电阻器图形的至少一个开口。形成填充至少一个开口的栓塞图形，以及使用...

2005年2月9日

多晶栅导电层构成的集成微机电系统器件及其制备方法　[申请号/专利号：200510058833]
申请人/专利权人：李刚
本发明提供一种“后半导体工艺”集成电路器件及ＭＥＭＳ器件的整体制备方法，用这些制备方法可以实现的结构，以及用这些结构组合成的集成ＭＥＭＳ器件。根据本发明的方法，在完成半...

2005年8月10日

记忆胞结构　[申请号/专利号：200510089038]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是有关于一种记忆胞，包括了具有导线的基板。而导线则具有一接触端。在基板和导线上覆盖有绝缘层。在绝缘层中配置有一孔洞，其延伸至基板。一记忆材料刚刚好配置在孔洞内，并...

2006年6月7日

一种线间串扰减速效应的时延测试生成方法　[申请号/专利号：200410034865]
申请人/专利权人：中国科学院计算技术研究所
一种线间串扰减速效应的时延测试生成方法，包括线间串扰源的收集，故障的选择和故障集的精简，以及对精简后的故障集进行时延测试生成和测试集的精简。对线间串扰减速效应所引起的性...

2005年1月12日

电路化衬底　[申请号/专利号：200510084168]
申请人/专利权人：安迪克连接科技公司
本发明揭示一种由至少一其上具有一导电图案的介电材料构成的电路化衬底。所述图案的至少一部分用作一有机存储器件的第一层，所述有机存储器件进一步包括至少一位于所述图案上的第二...

2006年2月1日

形成磁性随机存取存储器的磁性隧道结层的方法　[申请号/专利号：200410039761]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种形成磁性随机存取存储器（ＭＲＡＭ）的磁性隧道结（ＭＴＪ）层的方法。在衬底上顺序形成下部材料层、绝缘层和上部材料层。在上部材料层的预定区域上形成掩模图案。...

2004年10月20日

集成热电冷却器件及其制作方法　[申请号/专利号：200510082038]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明给出了半导体集成热电器件，利用半导体薄膜和ＶＬＳＩ（超大规模集成）制作工艺形成，具有高密度热电（ＴＥ）元件阵列。热电器件可以，例如，单独形成并与半导体芯片键合，也...

2006年5月17日

一种金属电容的刻蚀方法　[申请号/专利号：200410084653]
申请人/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
本发明有关一种金属电容的刻蚀方法，金属电容包括下部电极、处于下部电极上方的介质层，介质层由氮化硅组成，在介质层上方具有氮化钛形成的上部电极，为了刻蚀方便，在金属电容的上...

2006年5月31日

一种时钟网络布线的曼哈顿平面化切割线生成方法　[申请号/专利号：200410016351]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明为一种适用于斜线划分的时钟网络布线的曼哈顿平面化切割线的生成方法。该方法把欧几里得平面上的连线转化到曼哈顿平面上，获得平面化的时钟树，构成切割线布线通道网络。本发...

2005年1月5日

用于RRAM应用的Ir基材上PCMO薄膜的低温处理　[申请号/专利号：200410007398]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种在用于ＲＲＡＭ装置的铱基材上涂敷ＰＣＭＯ薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂ＰＣＭＯ层；以三步烘焙方法烘焙ＰＣＭＯ层和基...

2004年9月22日

模块化集成电路及其制造方法　[申请号/专利号：200410047921]
申请人/专利权人：曾世宪
本发明提供一种模块化集成电路及其制造方法，其中该制造方法包括：形成一块功能性模块于第一晶圆制作场所，该功能性模块是在一功能性基板上形成至少一件功能性组件；形成导电层模块...

2005年12月14日

半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200410047689]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
本发明提供一种减小内部配线（２６）的端部（２８）与金属膜（３０）的接触电阻且提高可靠性的半导体装置的制造方法。在半导体基板（１０）的表面上，以跨越相邻的集成电路元件的边...

2005年2月2日

能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法　[申请号/专利号：200510028246]
申请人/专利权人：复旦大学、硅存储技术公司
本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限...

2006年3月8日

模块集成集成电路　[申请号/专利号：200480029330]
申请人/专利权人：加拿大硅锗半导体公司
本发明提供以各种无线电频率标准运行的电子模块，所述模块包括第一集成电路晶粒，其形成于第一半导体衬底中且使用第一半导体制程制造，设置在第一集成电路内的用于执行功能的第一信...

2006年11月15日

加拿

非易失性存储单元及其制造方法　[申请号/专利号：200410101205]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种非挥发性内存，此内存包括基底、介电层、导体层、隔离层、埋入式位线、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层与字符线。其中，介电层配置于基底上，导体层配置于介电层上，而隔离...

2006年6月21日

半导体器件及其制作方法　[申请号/专利号：200410083397]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
提出一种能够有效利用支撑衬底作为互连的半导体器件。本发明的半导体器件，即芯片（４），具有作为支撑衬底的第一Ｓｉ衬底（１）和层叠在第一绝缘膜上的第二Ｓｉ衬底（３），第一绝...

2005年4月6日

控制存储器电阻性质的氧含量系统及方法　[申请号/专利号：200410045717]
申请人/专利权人：夏普株式会社
提供了一种存储单元以及用来控制存储材料的电阻性质的方法。此方法包含：形成亚锰酸盐；在氧气氛中对亚锰酸盐进行退火；响应于退火而控制亚锰酸盐中的氧含量；以及响应于氧含量而控...

2005年2月2日