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钱眼专利首页 > 只是金属—绝缘体—半导体型势垒的 的专利共 33 条
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1
减少字线耦合噪声的置乱方法　[申请号/专利号：200580043581]
申请人/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
本发明公开了一种减小由于字线耦合造成的阵列噪声的存储电路和方法。所述电路包括多个排列成行和列的存储单元。每一行具有第一部分（１１０２）和第二部分（１１０８）。第一导体耦...
2007年11月28日
2
镶嵌铜布线图像传感器　[申请号/专利号：200580035823]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种ＣＭＯＳ图像传感器阵列（１００）及其制造方法，其中所述传感器包括铜（Ｃｕ）金属化层（Ｍ１、Ｍ２），允许结合具有改善的厚度均匀性的更薄的层间电介质叠层（１３０ａ－ｃ）...
2007年9月26日
3
固体摄像装置　[申请号/专利号：01140634]
申请人/专利权人：株式会社东芝
充分读出信号存储部存储的信号电荷，在读出时提高读出用栅极下部沟道区域的沟道电位。具有在衬底２１深度方向距离衬底表面指定距离的位置形成的具有存储将输入光进行光电变换得到的...
2002年5月1日
4
在形成硅化镍之前对硅进行的处理　[申请号/专利号：200580033542]
申请人/专利权人：德州仪器公司
本发明揭示一种制备半导体电路小片的方法，其包括：在形成硅化物（１０５）之前，预处理暴露的硅（１０１）以形成氧化物（１１０）；及在氧化物上沉积金属（１２０）。在所揭示实施...
2007年9月12日
5
具有垂直层叠跨接的存储单元设计　[申请号/专利号：97194710]
申请人/专利权人：英特尔公司
一种具有垂直层叠跨接（５２０，５２１）的存储单元（５０）。在现有的存储单元中，存储单元内的跨接连接在相同的器件层中实现。由于在布线设计中需要跨接并排地设置。所以浪费了有...
1999年7月7日
6
一种光感受器　[申请号/专利号：88102717]
申请人/专利权人：光学诊断系统有限公司
在绝缘材料薄片或薄层上形成的静电潜象的无损读出方法和设备。半导体材料薄片或薄层设置于相对靠近该绝缘材料的附近。在该绝缘材料上形成的静电潜象在该半导体材料表面上感生表面耗...
1988年11月16日
7
磁隧道结元件结构和用于制造该结构的方法　[申请号/专利号：200580023937]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
提供了磁隧道结（ＭＴＪ）元件结构和用于制造ＭＴＪ元件结构的方法。ＭＴＪ元件结构（１０）可以包括晶体钉扎层（２６）、非晶体固定层（３０）以及置于晶体钉扎层和非晶体固定层之...
2007年6月20日
8
全硅化金属栅极　[申请号/专利号：200580022861]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种包括全硅化金属栅极以及硅化源极和漏极区的先进栅极结构，其中全硅化金属栅极具有大于硅化源／漏极区厚度的厚度。本发明也提供形成该先进栅极结构的方法。...
2007年6月13日
9
特征在于氧化还原电极的电子连接设备　[申请号/专利号：200580007313]
申请人/专利权人：俄亥俄州立大学研究基金会
本发明电子接点包括：（ａ）第一传导组件，包括：（ｉ）具有接触面的衬底；及（ｉｉ）具有第一和第二端的至少一层分子单元，其中至少一层分子单元通过选自下组的结合类型经其第一端...
2007年3月14日
10
使用负向到正向电压摆动转换晶体管的主动式像素单元　[申请号/专利号：200410054656]
申请人/专利权人：全视技术有限公司
本发明揭露了一种包括一个针插光电二极管的主动像素传感器单元。一个设置在该针插光电二极管和一个输出节点之间的传输晶体管，该传输晶体管是一个耗尽型Ｎ型金属氧化物半导体场效应...
2005年3月16日
11
含有掺杂柱的高压功率MOSFET　[申请号/专利号：02826545]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种功率半导体器件，包括第一导电类型的衬底（５０２）以及随后设置在衬底上的电压维持区。电压维持区包括具有第一导电类型的外延层（５０１）和位于外延层中的至少一个沟槽（５２...
2005年4月27日
12
具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件　[申请号/专利号：02823246]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ器件，包括：第一导电类型的衬底（２００）；第一导电类型的外延层；其中该外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；延伸到外延区中的沟槽；沟槽内的绝缘导电区...
2005年11月9日
13
具有改良的漏极触点的沟槽双扩散金属氧化半导体器件　[申请号/专利号：02821853]
申请人/专利权人：通用半导体公司
一种沟槽ＤＭＯＳ晶体管器件，其包括：（ａ）第一导电类型的衬底；（ｂ）衬底上的第一导电类型的外延层，其中，该外延层比衬底具有较低的多数载流子浓度；（ｃ）沟槽，其从外延层的...
2005年2月16日
14
用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法　[申请号/专利号：02818541]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明涉及一种包覆栅晶体管，其包括具有上表面和彼此相对的第一和第二侧表面的衬底。在衬底中形成源和漏区（２８），其间具有沟道区。沟道区从衬底的第一侧表面延伸到第二侧表面。...
2004年12月22日
15
具有低正向导通压降和低反向漏电流的半导体二极管　[申请号/专利号：98804966]
申请人/专利权人：弗拉姆技术公司
一种半导体二极管，具有低正向导通压降、低反向漏电流和高电压能力，适合于用在集成电路中和用做分立器件。可以和具有公用的栅和漏连接的场效应器件的制备一样，通过提供了很短沟道...
2000年5月31日
16
晶体管、集成电路装置及半导体器件的制作方法　[申请号/专利号：02816755]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种特别适合于高密度集成的垂直场效应晶体管结构，包括两个位于一个半导体柱的相对两侧的可能相互无关的栅极结构，所述的半导体柱是通过刻蚀或外延生长而形成的。栅极结构被包围在...
2004年11月17日
17
半导体器件　[申请号/专利号：96196237]
申请人/专利权人：中田仗**
揭示了属于一种以半导体球状晶体上形成光感应电动势发生部和１对电极的一个或多个球状半导体元件为主体的半导体器件，作为半导体光触媒、光敏二极管或太阳能电池的半导体器件，属于...
1998年9月30日
18
使用混合电极的多晶铁电电容器异质结构　[申请号/专利号：95196323]
申请人/专利权人：特尔科迪亚技术股份有限公司
本发明披露了显示极佳抗疲劳和印记的铁电电容器异质结构，包括高导电性铂（１４）与结晶金属氧化物（１５）的混合电极和无需插入结晶定向模板的淀积于Ｓｉ－ＣＭＯＳ－相容的衬底（...
1997年11月5日
19
对称沟槽MOSFET器件及其制造方法　[申请号/专利号：02811947]
申请人/专利权人：通用半导体公司
本发明提供一种沟道ＭＯＳＦＥＴ器件其制造相同器件的方法。该沟道ＭＯＳＦＥＴ器件（图６Ａ）包括：第一电导率类型的漏极区（６０６）；漏极区上提供的第二电导率类型的体区（６０...
2004年10月20日
20
具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管　[申请号/专利号：02807518]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供一种双扩散场效应晶体管及其形成方法。该方法首先提供第一导电类型的衬底（３００）。接着，将第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面，以致衬底具有不均匀的杂质分布。...
2004年6月9日
21
肖特基器件和形成方法　[申请号/专利号：200580021992]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
传导层（４１）包括第一部分，其与下面的具有第一传导类型的第一区域形成了肖特基区域（２５）。具有第二传导类型的第二区域（１３）位于第一区域（２２）下面，其中第二传导类型与...
2007年6月6日
22
减少四方性的铁电薄膜　[申请号/专利号：99811267]
申请人/专利权人：特尔科迪亚技术股份有限公司、马里兰州立大学
一种Ｐｂ↓［１－ｘ］Ｌａ↓［ｘ］Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［１－ｙ］Ｏ↓［３］或Ｐｂ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｘ］Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［１－ｙ］Ｏ↓［３］铁电材料，特别是晶向取向外延铁...
2001年10月24日
23
互补氮化物晶体管垂直和共用漏极　[申请号/专利号：200580012306]
申请人/专利权人：国际整流器公司
本发明公开了一种半导体器件和用于制造所述器件的方法，其中所述半导体器件包括在不同平面上的欧姆接触，且用于制造所述器件的方法包括在连续的步骤中蚀刻不同电导率半导体层的半导...
2007年5月16日
24
PIN光电检测器　[申请号/专利号：200480015226]
申请人/专利权人：派克米瑞斯有限责任公司
一种ＰＩＮ光电检测器包括：第一半导体接触层，面积大于第一半导体接触层的半导体吸收层，位于第一半导体接触层与半导体吸收层之间的半导体钝化层，和第二半导体接触层。半导体吸收...
2006年10月25日
25
高密度和高编程效率的MRAM设计　[申请号/专利号：200480003686]
申请人/专利权人：磁旋科技公司
公开了用于提供磁存储器的方法和系统。磁存储器包括磁性元件。磁性元件位于第一和第二写线的交叉点，并通过使用第一写线和第二写线被写入。定向第二写线使其与第一写线成一角度。第...
2006年3月15日
26
光感测区及外围电路区相互隔离的主动取像元件　[申请号/专利号：200410055108]
申请人/专利权人：原相科技股份有限公司
一种ＣＭＯＳ影像传感器的主动取像元件，其包含一基底，一光感测区，一外围电路区以及一隔离区。该光感测区以及该外围电路区形成于该基底上，该隔离区形成于该光感测区以及该外围电...
2006年2月8日
27
无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件　[申请号/专利号：03823803]
申请人/专利权人：先进模拟科技公司
通过向不包括外延层的半导体衬底中注入掺杂剂形成用于电隔离半导体器件的结构。继注入之后，该结构遭受非常有限的热预算，因此掺杂剂不会显著地扩散。结果，该隔离结构的尺寸是有限...
2005年10月26日
28
象素式图像传感器　[申请号/专利号：03823440]
申请人/专利权人：赵立新
象素式图像传感器包括横向光电二极管和纵向溢出系统。根据本发明的至少一个实施例，一个图像传感器的象素包括一个横向光电二极管和一个纵向溢出系统。这个纵向溢出系统将横向光电二...
2005年10月19日
29
几何形状允许频繁体接触的MOSFET器件　[申请号/专利号：03810606]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供了一种ＭＯＳＦＥＴ器件设计，其有效解决了由器件固有的寄生双极型晶体管所引起的问题。ＭＯＳＦＥＴ器件包括：（ａ）体区；（ｂ）多个体接触区；（ｃ）多个源区；（ｄ）多个漏...
2006年5月24日
30
具有改进沟槽结构的沟槽DMOS晶体管　[申请号/专利号：03805814]
申请人/专利权人：通用半导体公司
提供一种沟槽ＤＭＯＳ晶体管单元，该沟槽ＤＭＯＳ晶体管单元包括第一导电性类型的衬底（１０４）和位于衬底上的体区（１１６），体区（１１６）具有第二导电性类型。至少一个沟槽（...
2007年2月7日
31
具有改进的LDMOS设计的集成电路结构　[申请号/专利号：200380105717]
申请人/专利权人：快捷半导体有限公司
包括ＬＤＭＯＳ器件结构的半导体集成电路，包括半导体层以及半导体层的上表面之上的一对空间分离的场效应栅极结构。栅极结构对之间的层部分中形成第一导电型的第一和第二空间分离的...
2006年4月5日
32
使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列　[申请号/专利号：03809184]
申请人/专利权人：基洛帕斯技术公司
公开了一种可编程存储单元，包括位于列位线和行字线的交叉点处的晶体管。该晶体管的栅极由列位线形成，其源极连接到行字线。通过在列位线和行字线之间施加电压势，而在该晶体管的栅...
2007年12月26日
33
隔离沟槽　[申请号/专利号：200580013499]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
本发明公开一种在晶片（２０１）中形成隔离沟槽（２０９）的工艺。该工艺包括在该沟槽（２０９）中淀积（如，通过定向淀积工艺）第一介质材料（３０７），以及在该沟槽（２０９）中...
2007年4月11日
 

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