把衬底连续地分成多个独立的器件-钱眼专利分类

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810092336]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜（２）、在所述...

2008年10月29日

晶片的加工方法　[申请号/专利号：200710180894]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种晶片的加工方法，即使因在对晶片切削的半途中切削刀具破损更换为新的切削刀具，而需要进行预切割处理，也并不需要卸下切削半途中的晶片，也不需要进行再次对准，可以...

2008年4月23日

具有晶粒容纳通孔与连接通孔的半导体元件封装与其方法　[申请号/专利号：200810009697]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
本发明提供一种具有晶粒容纳通孔与连接通孔的半导体元件封装与其方法，该半导体元件封装包含一具有一晶粒容纳通孔的基底、连接通孔结构、以及位于基底一上表面的第一接垫与位于基底...

2008年8月27日

半导体芯片封装制程及其结构　[申请号/专利号：200710151582]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
本发明是有关于一种半导体芯片封装制程及其结构，其制程包含：提供一包含影像感测芯片及绝缘胶体的基底，其影像感测芯片具有焊垫及主动区域；覆盖一透明绝缘体于主动区域上；形成一...

2008年2月27日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710151489]
申请人/专利权人：新光电气工业株式会社
本发明公开一种半导体器件，其特征在于包括以下部件的结构：半导体芯片，其上形成有电极片；凸点，其形成于所述各个电极片上并具有凸出部分；绝缘层，其形成于所述半导体芯片上；以...

2008年4月30日

激光光线照射装置及激光加工器　[申请号/专利号：200710140208]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供激光光线照射装置及激光加工器。即使利用使用了声光元件的声光偏转单元使激光光线的光轴偏转也能实施均匀加工。激光光线照射装置具有：振荡出激光光线的激光光线振荡单元...

2008年2月6日

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710153565]
申请人/专利权人：株式会社东芝
本发明的半导体装置，具备半导体元件，该半导体元件具备具有元件区域的半导体基板和在半导体基板上形成的包括低介电常数绝缘膜的叠层膜，以及被设置为至少切断低介电常数绝缘膜的激...

2008年3月26日

一种形成极薄功率装置芯片的方法　[申请号/专利号：200810087020]
申请人/专利权人：万国半导体股份有限公司
本发明公开了一种制造减薄的半导体装置的方法。从具有预制的前侧装置的晶圆开始，该方法包括：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，制成一个减薄区域，同时在晶圆外围保留原始晶圆厚...

2008年10月1日

百慕

切割方法　[申请号/专利号：200810092175]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种切割方法，其能立即发现成为刀片破损前兆的刀片弯曲的发生，防止切削刀片的破损于未然。在切割过程中一直读取加工槽（８１）的图像数据，在读取到的该加工槽（８１）...

2008年10月15日

用于晶圆切割的紫外激光加工设备的设计方法　[申请号/专利号：200810124267]
申请人/专利权人：苏州德龙激光有限公司、江阴德飞激光设备有限公司
...

2008年12月10日

江苏

多芯片封装结构及其制作方法　[申请号/专利号：200810083572]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
本发明一种多芯片封装结构的制作方法，其于第一硅片的一预定的切割线上，形成多个局部移除第一硅片以及第一金属层所产生的凹穴，并使第一线路层的导电壁与显露于凹穴中的第一金属层...

2008年8月27日

图像捕获器件模块及其制造方法和电子信息器件　[申请号/专利号：200810099144]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明涉及图像捕获器件模块及其制造方法和电子信息器件。公开了一种图像捕获器件模块。该图像捕获器件模块包括设置在基底电路基板上的图像捕获器件；半透明元件，其被用第一粘结剂...

2008年11月12日

一种采用化学镀制造半导体装置的方法　[申请号/专利号：200810005020]
申请人/专利权人：万国半导体股份有限公司
本发明公开了一种采用化学镀（化学沉积法）制造半导体装置的方法，该方法包括在湿处理过程中对晶圆后表面的保护。所述的方法包括以下步骤：层压晶圆后表面和具有保护带的框架、在晶...

2008年10月1日

百慕

半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200710182175]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在生长在半导体衬底的器件层中形成预定器件，在器件层和半导体衬底之间具有牺牲层；在支撑衬底接合在器件层的侧面的同时，...

2008年3月12日

砷化镓晶片的激光加工方法　[申请号/专利号：200710181938]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓（ＧａＡｓ）晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓（ＧａＡｓ）晶片时，能够使由于照射激光光...

2008年4月23日

切削装置　[申请号/专利号：200810108172]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
...

2008年12月10日

具有晶粒接收开孔之芯片尺寸影像传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200810097401]
申请人/专利权人：育霈科技股份有限公司
...

2008年11月26日

晶圆紫外激光划片机　[申请号/专利号：200820065320]
申请人/专利权人：武汉华工激光工程有限责任公司
本实用新型涉及晶圆紫外激光划片机，在箱体上隔板的上面装有外光路，上隔板的下面装有图像采集装置、聚焦镜、激光器，图像采集装置的图像采集口和聚焦镜物镜头对着工作台，箱体下隔...

武汉

包含半导体芯片叠层的半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200810109299]
申请人/专利权人：英飞凌科技股份公司
包含半导体芯片叠层的半导体器件及其制造方法。本发明涉及包含半导体芯片叠层（１）的半导体器件（１０）及其制造方法。半导体器件（１０）包括作为半导体芯片叠层（１）的基底的至...

2008年10月22日

联邦

半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200810088783]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、三洋半导体株式会社
本发明提供一种耐湿性提高的半导体装置及其制造方法，且提供一种能将制造工序简略化、提高生产性的半导体装置的制造方法。本发明通过将半导体芯片等的侧面部等由厚的保护层覆盖而提...

2008年11月12日

一种可调电压基准电源的制备方法　[申请号/专利号：200810028786]
申请人/专利权人：广东风华高新科技股份有限公司、肇庆风华新谷微电子有限公司
本发明公开了一种可调电压基准电源的制备方法，包括划片、粘片、前固化、压焊、塑封、去溢料、表面处理、成型分离、测试打标编带和包装入库步骤，该制备方法中提供了各个相应步骤的...

2008年10月22日

广东

器件制造方法　[申请号/专利号：200810086849]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种器件制造方法，即使是厚度在１００μｍ以下的薄晶片，也可没有破损地制造出在背面装有粘接膜的分割成一个一个的器件。提供一种器件制造方法，将在表面上形成有器件的...

2008年9月24日

应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置　[申请号/专利号：200810082659]
申请人/专利权人：万国半导体股份有限公司
本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置。该装置包括保持高温研磨和／或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背...

2008年9月3日

百慕

器件制造方法　[申请号/专利号：200810082925]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种器件制造方法，能在分割成的一个个器件的背面容易地安装管芯焊接用粘接膜而不使器件品质下降。该方法中，将表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件，并在各器件背...

2008年9月10日

喷水激光切割用粘合片　[申请号/专利号：200710185072]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
本发明提供一种粘合片，其在喷水激光切割中，通过使来自液体流的液体的透过性更加良好并且稳定化，在芯片或ＩＣ部件等的剥离时不会产生缺损等缺陷，并且能够进行极薄的半导体晶片或...

2008年5月14日

母板、像素阵列基板、光电装置及其制造方法　[申请号/专利号：200710165170]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明公开了一种母板、像素阵列基板、光电装置及其制造方法，该母板包括具有显示单元的基板及具有相邻的第一区域及第二区域的静电防护结构。显示单元之间定义出预切割区。各显示单...

2008年3月19日

晶片加工方法　[申请号/专利号：200710167557]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种晶片加工方法，使得即使对切削结束了的晶片的切削状态进行检查也不会降低生产率。通过第１、第２吸盘工作台来进行如下处理：由于吸盘工作台有两个，因而在对保持于另...

2008年5月7日

切割装置以及切割装置的管理方法　[申请号/专利号：200710184932]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种切割装置以及切割装置的管理方法，根据本发明，操作者即使离开切割装置也能识别异常，不需要操作者对切割装置进行监视。该切割装置具有：检测装置的异常并生成异常信...

2008年5月7日

晶片的分割方法以及分割装置　[申请号/专利号：200710167556]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种晶片的分割方法以及分割装置，根据本发明，在通过对晶片背面进行激光束照射来进行间隔道切断时，即使对经过了各种涂料处理或者热处理的晶片，也能正确地检测到晶片表...

2008年4月30日

半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备　[申请号/专利号：200810005529]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种能够确保高的可靠性的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备。由于增强基板２的增强部４在该基板２的表面层上以包围薄膜电路层３的方式设置，所以在设置有增...

2008年8月13日

一种发光二极管器件的制造方法　[申请号/专利号：200810026479]
申请人/专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
本发明公开了一种发光二极管器件的制造方法，利用分隔挡板将发光二极管的发光面与焊线区分隔，从而在涂布荧光粉的工艺步骤中仅将荧光粉涂布于发光表面。所述方法可以应用于倒装片结...

2008年8月6日

广东

驱动机构和切削装置　[申请号/专利号：200810080947]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种驱动机构和切削装置，在驱动机构的进给丝杠轴的一端连接有驱动源，并且进给丝杠轴的另一端被可转动地支撑，与螺合在进给丝杠轴上的进给螺母连接的各种滑动体移动，在...

2008年9月3日

半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710188249]
申请人/专利权人：新光电气工业株式会社
...

2008年5月28日

晶片切割方法　[申请号/专利号：200810074318]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
本发明公开了一种晶片切割方法，应用于双片晶片接合的封装结构，该晶片切割方法包括：提供第一晶片，具有上表面及下表面；择定第一预设距离，并以该第一预设距离利用刀具去除该第一...

2008年7月23日

加工装置　[申请号/专利号：200710186532]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
...

2008年6月11日

用于制造半导体封装的系统和用于制造半导体封装的方法　[申请号/专利号：200810006296]
申请人/专利权人：韩美半导体株式会社
本发明公开一种用于制造半导体封装的系统和用于制造半导体封装的方法。半导体封装制造系统包括：装载和卸载单元，用于装载半导体封装；半导体封装固定单元，其用于将由所述装载和卸...

2008年8月13日

韩国

基板分割机　[申请号/专利号：200720095450]
申请人/专利权人：天津市海普森自动化技术有限公司
一种基板分割机，机座面上装有随行卡具，随行卡具上面装有工装卡具，工装卡具表面设有产品托块和定位托钉，产品托块表面有盖板，盖板一侧边缘有盖板吸附锁，盖板另一侧边缘有合页；...

天津

晶片的加工方法　[申请号/专利号：200810090806]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种晶片的加工方法，在磨削晶片的器件区域的背面以在其周围形成环状增强部之后，在晶片的背面覆盖金属膜，并能够在不损伤该金属膜的情况下容易地除去环状增强部。以磨削...

2008年10月8日

喷水激光切割用粘合片　[申请号/专利号：200710185071]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
本发明提供一种粘合片，其在喷水激光切割中，通过使来自液体流的液体的透过性更加良好并且稳定化，在芯片或ＩＣ部件等的剥离时不会产生缺损等缺陷，并且能够进行极薄的半导体晶片或...

2008年5月14日

紫外线照射装置及具备紫外线照射装置的切削机　[申请号/专利号：200710110301]
申请人/专利权人：株式会社迪思科
本发明提供一种不随着时间经过而光的强度降低、能够照射稳定的强度的紫外线的紫外线照射装置及具备紫外线照射装置的切削机。在对粘接有晶片的粘接带照射紫外线、使该粘接带的粘接力...

2007年12月12日

切割晶圆的方法　[申请号/专利号：200710109881]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
一种切割晶圆的方法包括下列步骤：提供一晶圆，该晶圆具有一主动表面、一背面以及若干个纵向及横向的切割道，其中该等切割道位于该主动表面上，以界定出若干个晶粒；提供一复合胶膜...

2007年11月21日

芯片封装构造、芯片构造及芯片形成方法　[申请号/专利号：200710109208]
申请人/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
本发明公开一种防止爬胶的芯片封装构造，其主要包括一承载器、一芯片及一底胶。芯片设置于承载器上，芯片包括有一芯片本体及一挡胶部，芯片本体具有至少一侧面，挡胶部形成于该侧面...

2007年11月21日

半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200710107948]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明提供一种可在接着面不产生空洞的情况下进行芯片接合的技术。由２个系统形成真空供给线路，该真空供给线路与设置在吸附夹盘１０５底面的吸附口连接，并且将用以真空吸附芯片１...

2007年11月28日

具有改进的裂纹防护的半导体晶片　[申请号/专利号：200810003247]
申请人/专利权人：飞思卡尔半导体公司
一种制造用于切片的半导体晶片的方法，包括提供半导体晶片，该晶片包括基片和位于基片上的形成单元片区域结构的多个上层。设置该结构目的是通过用于切片工具的路径将相邻的单元片区...

2008年8月6日

美国

半导体发光器件以及用于分离半导体发光器件的方法　[申请号/专利号：200710105838]
申请人/专利权人：丰田合成株式会社
本发明提供了一种用于分离形成于基板上的半导体发光器件的方法。在该方法中，将在基板中具有小于１０ｐｓ的脉冲宽度的脉冲激光束聚焦在该基板上，以由此引起基板中的多光子吸收。通...

2007年12月5日