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钱眼专利首页 > 霍尔效应器件 的专利共 30 条
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1
锑化铟霍尔元件　[申请号/专利号：200720036481]
申请人/专利权人：昆山尼赛拉电子器材有限公司
本实用新型公开了一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十...
2
可集成的霍尔元件　[申请号/专利号：87102998]
申请人/专利权人：兰迪斯和吉尔楚格股份公司
本发明的霍尔元件包括由Ｐ或Ｎ型半导体材料构成的半导体衬底、半导体层、表面层、绝缘层、接触扩散层、绝缘环．用至少一个分段面将具有两个传感端的霍尔元件分割成几个结构，它们交...
1987年11月11日
3
锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法　[申请号/专利号：95111868]
申请人/专利权人：机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所
一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极依次经过一次刻蚀、蒸镀电极、二次刻蚀、合金化工艺...
1996年8月21日
4
磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用　[申请号/专利号：200610013057]
申请人/专利权人：南开大学
本发明涉及磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用。它是在基片上制成磁性颗粒薄膜，磁性颗粒薄膜的组成是（ＮｉＦｅ）↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］，其中ｘ为镍铁合金颗粒所占的体积百分...
2006年7月19日
5
导磁金属接近传感器　[申请号/专利号：200520104821]
申请人/专利权人：王海生
本实用新型公开了一种导磁金属接近传感器。该传感器是在一个非导磁材料制作的导管内设置一块动磁铁，在导管外设置一块与动磁铁极性相反的定磁铁，导管一端封闭为感应面，动磁铁可以...
6
对称型霍尔器件　[申请号/专利号：87215461]
申请人/专利权人：河北工学院
该实用新型提供了一种新型电子元器件。它是在十字形结构的霍尔器件基础上，在控制电流极上开有对称的两个槽，十字交叉处的四个角是圆弧形的倒角，并有圆弧形的四个定位电极。这种结...
7
磁体阵列　[申请号/专利号：200520011883]
申请人/专利权人：雅马哈株式会社
本实用新型涉及一种磁体阵列，其包含多个永磁体和由磁性材料制成的薄板磁轭。永磁体为长方体形状并在其对立端面上形成磁极，其按四方格子阵列方式排列，其端面共面，且两个最近邻的...
8
霍尔元件、其制造方法及其应用　[申请号/专利号：200510122238]
申请人/专利权人：南开大学
本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为Ｆｅ↓［ｘ］Ｇｅ↓［１－ｘ］的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中ｘ为铁金属颗粒所占的体积百分比，０．４５＜ｘ＜０．６０，薄...
2006年5月24日
9
磁电变换元件及其制造方法　[申请号/专利号：03800860]
申请人/专利权人：旭化成电子株式会社
提供一种磁电变换元件及其制造方法，该磁电变换元件极其薄型而且不破坏元件就能进行安装时的良好与否的判断、还能使安装面积小。基板（３）是非磁性基板，引线（１０）形成了第一厚...
2004年11月10日
10
化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法　[申请号/专利号：03802291]
申请人/专利权人：旭化成电子株式会社
本发明提供化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法。可以稳定地提供电子迁移率和薄膜电阻高，并且温度特性优越的量子阱型化合物半导体的叠层体，因此，可以在工业上...
2005年5月11日
11
检测磁场方向用的传感器　[申请号/专利号：01133990]
申请人/专利权人：桑特隆股份公司
一种检测磁场方向用的传感器，包括单独一个平坦形状的磁场聚集器（３）及至少一第一霍尔效应元件（２．１）和一第二霍尔效应元件（２．２），其中该霍尔效应元件被安置在磁场聚集器...
2002年4月10日
12
磁传感器　[申请号/专利号：98802893]
申请人/专利权人：旭化成电子株式会社、旭化成 株式会社
一种带信号处理电路的磁传感器，它具有由化合物半导体薄膜或磁性薄膜构成的磁传感器部分（４）、以及将用该磁化传感器部分（４）检测的作为电气输出的磁信号放大的信号处理电路（５...
2000年3月29日
13
霍尔电子电位器　[申请号/专利号：95234403]
申请人/专利权人：白俊山
本实用新型公开了一种霍尔电子电位器，由霍尔线性集成电路（１）、磁体（２）、电源（３）和信号处理电路（４）组成，其特征在于：电源（３）采用正负理电源，分别与霍尔线性集成电...
14
具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置　[申请号/专利号：86103480]
申请人/专利权人：兰迪斯.吉尔楚格股份公司
集成在半导体材料中的霍耳元件（１），其有源区被具有连接头（Ｒ）的环包围，其输出（Ｓ－［１］）经控制电路（２４、２５、２６、２７）与（Ｒ）相连．所述控制电路和环用于保证（...
1986年11月19日
15
磁阻结构　[申请号/专利号：200610074474]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种磁阻结构，例如用为磁场感应器中的自旋阀（Ｓｐｉｎ－ｖａｌｖｅ）或巨磁阻（Ｇｉａｎｔ　　Ｍａｇｎｅ　　ｔｏＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ；ＧＭＲ）堆叠。此磁阻结构...
2006年10月25日
16
一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法　[申请号/专利号：02116447]
申请人/专利权人：北京华源科半光电子科技有限责任公司
一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，采用特别的电极图形，使在金属电极与有源区接触的界面区域，形成一个宽度为１０μｍ的过渡区，有源器件在该过渡区域...
2003年10月22日
17
高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺　[申请号/专利号：02116446]
申请人/专利权人：北京华源科半光电子科技有限责任公司
一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法，使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，根据器件符合线性的程度调节减薄的深度，直到器件具有良好的线性特性。...
2003年10月22日
18
霍尔器件和磁传感器　[申请号/专利号：02819427]
申请人/专利权人：旭化成电子材料元件株式会社
本发明的霍尔器件，就是在由矩形部和设于其各边相互对向的凸部构成的十字型感磁部的对向一对凸部各自设置一对电源端子部，感磁部对向的另一对凸部各自设置一对输出端子部；这些电源...
2005年1月5日
19
半导体霍尔传感器　[申请号/专利号：02807380]
申请人/专利权人：旭化成电子株式会社
本发明的目的是提供一种通过减小不平衡电压来减小不平衡电压所引起的测定误差，进而使静电耐压性能提高的半导体霍尔传感器。在存在于十字形状的半导体霍尔传感器的图案１的外周的内...
2004年9月15日
20
半导体薄膜的制造方法　[申请号/专利号：01121978]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至２７０℃～３２０℃，用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层，接...
2002年1月9日
21
横向型霍尔器件　[申请号/专利号：96102976]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种横向型霍尔器件，它具备有：基板；基板上的第１导电型活性层；把第１导电型活性层围起来的第１个第２导电型半导体层；在第１导电型活性层表面上形成对的高杂质浓度的第１个第１...
1996年11月26日
22
霍尔集成电路的接口电路以及使用它们的系统　[申请号/专利号：200510078618]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
本发明提供了一种霍尔元件接口电路以及使用所述霍尔元件接口电路的系统，其中不管所用霍尔元件的规格，该接口电路致力于磁力的校正检测、减少霍尔元件中的发热、以及增强可靠性。本...
2005年12月28日
23
用于直流无刷电机的霍尔电路板　[申请号/专利号：200410015291]
申请人/专利权人：比亚迪股份有限公司
本发明公开了一种用于直流无刷电机的霍尔电路板包括霍尔元件和光耦。其中霍尔元件分为两组，每组均由３个构成，并采用并联设置的方式。该两组霍尔元件均与一个电子转换控制开关电连...
2005年8月10日
24
磁性隧道结器件及其制造方法　[申请号/专利号：03152609]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种磁性隧道结（ＭＴＪ）器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓...
2004年6月2日
25
磁电转换元件及其制造方法　[申请号/专利号：01800841]
申请人/专利权人：旭化成电子株式会社
本发明提供了磁电转换元件及其制造方法。其侧面上形成有导电层（１０）的绝缘性基板的上表面上有感磁部（３）和内部电极（２），该绝缘性基板的绝缘部（９）和导电层是由烧结体来形...
2002年8月28日
26
修正有缺陷的隧道结的方法　[申请号/专利号：01125891]
申请人/专利权人：惠普公司
通过施加电压的方法增加有缺陷的隧道结（３０）的标称电阻值。通过应用一个或更多的电压周波到有缺陷的隧道结（３０）进行电压施加的方法。...
2002年5月1日
27
半导体传感器及其制造方法　[申请号/专利号：200480005399]
申请人/专利权人：旭化成电子株式会社
本发明涉及半导体传感器及其制造方法，能够在Ｓｉ衬底上形成电子迁移率高、片电阻比较大的ＩｎＳｂ或ＩｎＡｓ膜成，从而在工业上提供高灵敏度而且低功耗的优良的元件。在（１１１）...
2006年3月29日
28
霍尔器件的短路输出方法与可集成的霍尔电路　[申请号/专利号：90106846]
申请人/专利权人：易明**
霍尔器件对磁场响应信号的一种输出方法，其中霍尔器件的两个输出电极处于等电位状态，霍尔器件对磁场的响应以短路霍尔电流的形式从霍尔器件的一个输出电极输出后，经转换电路转换成...
1991年1月9日
29
带有霍尔元件的磁场传感器　[申请号/专利号：02829584]
申请人/专利权人：善卓股份有限公司
公开了一种对称垂直霍尔元件，它包括一个具有第一种导电类型的阱（２），其嵌在一个具有第二种导电类型的基片（３）中，且与用作电流和电压触点的四个触点（４，５，６，７）相接触...
2005年9月14日
30
磁传感器及其制造方法　[申请号/专利号：99810419]
申请人/专利权人：旭化成株式会社
在衬底（１）上边形成一种电子浓度大于２×１０＃＋［１６］／ｃｍ＃＋［３］且具有Ｉｎ＃－［ｘ］Ｇａ＃－［１－ｘ］Ａｓ＃－［ｙ］Ｓｂ＃－［１－ｙ］（０＜Ｘ≤１，０≤ｙ，≤１...
2001年10月3日
 

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