应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积-第10页-钱眼专利分类

452

多孔基板及其制造方法、GaN系半导体叠层基板及其制造方法　[申请号/专利号：03815296]
申请人/专利权人：日立电线株式会社、日本电气株式会社
本发明涉及用于生长半导体等、特别是Ⅲ族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平...

2005年9月7日

453

窗型探针、等离子体监视装置及等离子体处理装置　[申请号/专利号：03808893]
申请人/专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
涉及窗型探针、等离子体监视装置及等离子体处理装置，目的在于：直接、简单地检测出因高频或高电压的施加而产生的等离子体的状态。其构成为：至少设置在与等离子体相面对的面的至少...

2005年7月27日

454

纵型热处理装置　[申请号/专利号：03807749]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在纵型热处理装置（１）中，在可升降地开闭纵型热处理炉（２）的炉口（３）的盖体（５）上，设置有旋转搭载有多个被处理基板（Ｗ）的保持容器（１３）的旋转机构（１５）。旋转机构...

2005年7月27日

455

ECR等离子体源和ECR等离子体装置　[申请号/专利号：03807747]
申请人/专利权人：NTT AFTY工程株式会社
本发明的ＥＣＲ等离子体源由在与等离子体流垂直的面内有大致矩形截面的等离子体生成室（１０）；在与等离子体流垂直的面内卷绕成大致矩形的磁性线圈（２０、２１）；和端部为终端的...

2005年7月27日

456

Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片　[申请号/专利号：03805078]
申请人/专利权人：昭和电工株式会社
一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括以０至１，０００的Ⅴ／Ⅲ比提供Ⅲ族原材料和Ⅴ族原材料以在热衬底上形成并生长Ⅲ族氮化物半导体的第一步骤，以及使用Ⅲ族原材料和氮原材...

2005年7月13日

457

采用多量子阱制备GaN基绿发光二极管外延片生长方法　[申请号/专利号：03118955]
申请人/专利权人：方大集团股份有限公司
本发明提出一种采用多量子阱制备绿光氮化镓基ＬＥＤ外延片，该外延片采用阱／中间层／垒结构的新型多量子阱技术，用ＭＯＣＶＤ法生长ＧａＮ基绿光ＬＥＤ外延片。阱、垒之间的中间层...

2003年12月10日

深圳

458

半导体集成电路器件的制造方法　[申请号/专利号：03802018]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技、瑞萨北日本半导体公司、日立超大规模集成电路系统株式会社
本申请涉及半导体集成电路器件的制造方法。在用低压ＣＶＤ设备形成掺杂硅膜时，用下述方式抑制来自另一个类似的硅膜的杂质的扩散（所述另一个类似的硅膜已经形成在淀积室的内壁上）...

2005年5月4日

459

形成纳米晶的方法　[申请号/专利号：03801606]
申请人/专利权人：自由度半导体公司
在半导体中形成纳米晶（２０），例如在具有浮栅的存储器中。电介质（１８）覆盖衬底（１２），并被放置在化学气相沉积室中（３４）。在第一阶段过程中第一前体气，例如乙硅烷（３６...

2005年3月16日

美国

460

晶片保持体及制备半导体的系统　[申请号/专利号：03801539]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所...

2005年3月9日

461

CVD设备以及使用CVD设备清洗CVD设备的方法　[申请号/专利号：03801404]
申请人/专利权人：财团法人地球环境产业技术研究机构、独立行政法人产业技术总合研究所
本发明的目的是提供一种ＣＶＤ设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如ＳｉＯ＃－［２］或Ｓｉ＃－［３］Ｎ＃－［４］，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电...

2005年2月9日

462

CVD设备以及使用所述CVD设备清洗所述CVD设备的方法　[申请号/专利号：03801403]
申请人/专利权人：财团法人地球环境产业技术研究机构、独立行政法人产业技术总合研究所
本发明的目的是提供一种ＣＶＤ设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如ＳｉＯ＃－［２］或Ｓｉ＃－［３］Ｎ＃－［４］，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电...

2005年2月9日

463

等离子体处理装置与等离子体处理方法　[申请号/专利号：03801287]
申请人/专利权人：松下电工株式会社、株式会社高电研究所
一种等离子体处理装置与等离子体处理方法，能够保持稳定的等离子体放电、实现充分的等离子体处理、降低等离子体温度。该等离子体处理装置包括多个电极，在多个电极之间形成一放电空...

2005年4月27日

464

化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的清洗方法　[申请号/专利号：03801231]
申请人/专利权人：日商佳能安内华股份有限公司、株式会社爱发科、关东电化工业株式会社、索尼株式会社、大金工业株式会社、东京毅力科创株式会社、株式会社东芝、株式会社日立国际电气、独立行政法人产业技术总合研究所
本发明的目的是提供一种ＣＶＤ设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如ＳｉＯ↓［２］或Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］，所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面...

2005年1月12日

465

等离子体处理装置和等离子体处理方法　[申请号/专利号：200380103808]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
根据本发明，当氮化处理硅基板表面时，在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板，控制为硅基板表面的电子密度是１ｅ＋７（个·ｃｍ↑［－３］）～１ｅ＋９（个·ｃｍ↑［...

2005年12月28日

466

用于生长氮化镓的基片和制备氮化镓基片的方法　[申请号/专利号：03800646]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一起使用ＥＬＯ掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的ＧａＮ晶体。ＥＬＯ掩膜使得ＧａＮ晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。...

2004年9月29日

467

清洁气　[申请号/专利号：03800417]
申请人/专利权人：财团法人地球环境产业技术研究机构、独立行政法人产业技术综合研究所
本发明的室清洁气和用于含硅膜的蚀刻气包括含２－４个氧原子的全氟环醚，所述氧原子以醚键与碳原子连接。室清洁气和蚀刻气几乎不产生有害废气如ＣＦ↓［４］，ＣＦ↓［４］是全球变...

2004年7月28日

468

处理装置和处理方法　[申请号/专利号：03800408]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
由ＴＭＰ（２２）、干式泵（２３）构成连接到处理室（１３）的排气线路（１５）。处理室（１３）和ＴＭＰ（２２）通过第一排气管（２５）连接，而ＴＭＰ（２２）和干式泵（２３）通...

2004年7月21日

469

半导体或液晶制造装置　[申请号/专利号：03800369]
申请人/专利权人：住友电气工业株式会社
一种制造半导体或液晶的装置，其在反应容器９中备有，其内部埋设有阻抗发热体３的陶瓷保持体１、一端２ａ支持陶瓷保持体１而另一端２ｂ被固定在反应容器９上的筒状支持部件２；筒状...

2004年7月21日

470

处理装置、处理方法及载置部件　[申请号/专利号：03800169]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在处理室（１２）内的载置部件（２１）上，载置被处理体（Ｗ）。载置部件（２１）具备电阻层（２５）。电源（２８）通过在设置于处理室（１２）外部的感应线圈（２７）中流过电流，...

2004年6月23日

471

流体控制装置和热处理装置　[申请号/专利号：03800067]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在一个气体管路（１３）上设置流体控制器（１３ｇ），而且在气体管路（１３）的流量控制器（１３ｇ）的上游设置压力控制系统区域（１４）。设置有从气体管路（１３）的上游沿着与气...

2005年2月23日

472

薄膜形成方法及其装置　[申请号/专利号：200380100884]
申请人/专利权人：石川岛播磨重工业株式会社
本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上...

2005年11月30日

473

被处理体的输送方法　[申请号/专利号：03816556]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及具有包含对被处理体进行易产生污染的特定处理室的多个处理室，和具有２个拾取器的输送机构的处理装置中的被处理体的输送方法，本发明的方法具有在所述多个处理室之间穿行...

2005年9月14日

474

热处理方法和热处理装置　[申请号/专利号：03816376]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及热处理方法，该热处理方法具有：利用多个加热单元分别加热反应容器内的热处理气氛的多个区域的加热工序；和将处理气体导入反应容器内而在多个基板的表面形成薄膜的工序，...

2005年9月14日

475

Al系Ⅲ-V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ-V族化合物半导体的制造方法与制造装置　[申请号/专利号：03808002]
申请人/专利权人：农工大TLO株式会社(日本东京)
在采用以往的ＨＶＰＥ法使含Ａｌ的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体结晶生长的场合，为了抑制与石英反应的氯化铝（ＡｌＣｌ）、溴化铝（ＡｌＢｒ）的产生，故在采用气相外延生长法使含Ⅲ族Ａｌ...

2005年7月27日

476

流体控制装置和热处理装置　[申请号/专利号：03203318]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本实用新型涉及流体控制装置和热处理装置。在现有的气体供应系统中，由于气体管路有转换阀、过滤器、压力调节器及压力传感器而不能充分实现系统小型化。为此提出一种流体控制装置，...

477

制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具　[申请号/专利号：03201339]
申请人/专利权人：统宝光电股份有限公司
一种制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具，是由分别独立的一化学气相沉积腔体、一物理气相沉积腔体、至少一加载互锁真空腔体以及连接上述各腔体的一转移腔体结合而成，其配...

478

预载等离子体反应器设备及其应用　[申请号/专利号：200310123278]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种预载的等离子体基加工系统，其包括预反应等离子体加工室、与预反应等离子体加工室可操作地连接的能源和与预反应等离子体加工室流体连通的晶片等离子体加工室。预反应等离子体加...

2004年7月28日

美国

479

用于高密度等离子体制程的注射装置　[申请号/专利号：200310122888]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明提供一种用于高密度等离子体制程的注射装置，包括：一第一注射管，上述第一注射管可以让一第一反应气体通过；一第二注射管，上述第二注射管包围在上述第一注射管的外围，上述...

2005年6月29日

上海

480

半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法　[申请号/专利号：200310121274]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是关于一种半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法。该半导体元件的制造方法，是首先提供一基底，之后，在该基底上形成氧化层。然后，在氧化层上形成多晶硅浮置闸极，其中...

2005年6月22日

481

单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统　[申请号/专利号：200310117188]
申请人/专利权人：清华大学
单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电...

2004年11月17日

北京

482

可在连接状态下进行质量流控制器检查的半导体制造装置　[申请号/专利号：200310116476]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技
在半导体制造装置工作时，控制多个阀（１２１～１４７）的开闭，使多种气体直接流入气体室（１０５）中，在质量流控制器（ＭＦＣ２’）（１０２’）检查时，控制多个阀（１２１～１...

2004年6月2日

483

弛豫、低缺陷绝缘体上SiGe及其制造方法　[申请号/专利号：200310116308]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明给出了形成基本上弛豫和低缺陷ＳＧＯＩ衬底材料的热混合方法。本方法包括一个形成图案的步骤，它被用来形成这样一种结构，该结构至少包括在抵抗Ｇｅ扩散的阻挡层顶上形成的Ｓ...

2004年6月9日

美国

484

等离子加工装置　[申请号/专利号：200310114387]
申请人/专利权人：安内华株式会社
本发明公开了一种能够限制等离子而不存在等离子密度不均匀和电功率损失的实用的等离子加工装置。此装置包括等离子屏蔽罩，其包围了等离子发生区以防止等离子扩散。该屏蔽罩具有至少...

2004年6月2日

485

一种实时掺氮生长ｐ型氧化锌晶体薄膜的方法　[申请号/专利号：200310108471]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的实时掺氮生长ｐ型氧化锌晶体薄膜的方法，是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时掺氮的。步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有...

2004年11月3日

杭州

486

一种制备ｐ型ZｎO晶体薄膜的方法　[申请号/专利号：200310108466]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明公开的制备ｐ型氧化锌晶体薄膜的方法，步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少１０↑［－２］Ｐａ，然后加热衬底，使衬底温度...

2004年11月3日

杭州

487

生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置　[申请号/专利号：200310108463]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长...

2004年11月3日

杭州

488

制造具应变的多层结构及具有应变层的场效晶体管的方法　[申请号/专利号：200310103092]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明揭示一种具应变的多层结构的制造方法。利用二硅乙烷（Ｓｉ＃－［２］Ｈ＃－［６］）或三硅丙烷（Ｓｉ＃－［３］Ｈ＃－［８］）作为一第一反应气体，进行减压化学气相沉积（ｒ...

2005年5月4日

489

半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置　[申请号/专利号：200310101385]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板（４）上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板（４）的处理室（５）；在处理室（５）内导入...

2004年5月19日

490

批式处理装置及晶片处理方法　[申请号/专利号：200310101097]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司
本发明提供一种批式处理装置及晶片处理方法，该批式处理装置至少包括：一晶舟，该晶舟的一第一端部至一第二端部之间具有多个晶片插槽，且此些晶片插槽使配置于其中的晶片以晶片表面...

2005年4月20日

491

用于去除微粒的装置　[申请号/专利号：03178446]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明提供一种用于处理设备的用于去除微粒的装置，所述处理设备包括真空容器单元，所述真空容器单元具有多个腔室，在所述腔室中在由处于大气压下的传送单元送入的晶片上执行预定处...

2004年2月4日

492

发热体CVD装置及发热体CVD装置中的发热体与电力供给机构之间的连接构造　[申请号/专利号：03160176]
申请人/专利权人：安内华股份有限公司、北陆先端科学技术大学院大学
本发明的发热体ＣＶＤ装置，将电气连接发热体与电力供给机构的多个连接端子实现电气绝缘的同时、保持在被预先确定的位置上，在处理容器内设置一个或多个连接端子保持座，该连接端子...

2004年5月19日

493

一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法　[申请号/专利号：03151096]
申请人/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
本发明涉及用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备空穴型氧化锌薄膜材料的方法。在本方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，在不同的材料表面上，经超声雾化热解...

2004年9月8日

上海

494

高耐久性石英玻璃，其制造方法，使用它的部件及装置　[申请号/专利号：03145460]
申请人/专利权人：东曹株式会社、东曹石英股份有限公司、东曹石英素材股份有限公司
本发明涉及含有Ａｌ和选自周期表第２Ａ族元素、第３Ａ族元素及第４Ａ族元素中的一种以上元素（Ｍ）的高耐久性石英玻璃。优选Ａｌ和元素（Ｍ）的含量之和以金属元素总计量为基准在３...

2003年12月17日

495

硅外延层的形成方法　[申请号/专利号：200310115692]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
在处理室（２）内的被处理基板（Ｗ）的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板（Ｗ）的处理室（２）内进行减压的减压工序，向处理室（２）内导入含有硅烷...

2005年4月20日

496

一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法　[申请号/专利号：03141886]
申请人/专利权人：上海新傲科技有限公司
本发明提出了一种厚膜图形化ＳＯＩ材料的制备方法，先采用ＳＩＭＯＸ技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化ＳＯＩ材料，其特征在于然后利用ＣＶＤ气相外延方法在衬底表层外延形成单晶...

2004年7月21日

上海

497

利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法　[申请号/专利号：200310106426]
申请人/专利权人：南京大学
利用氢化物气相外延制备ＧａＭｎＮ铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）生长ＧａＭｎＮ铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括Ｎ↓［２］管道和ＮＨ↓［３］管道、设有金属镓源－...

2004年11月10日

南京

498

一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法　[申请号/专利号：200310106425]
申请人/专利权人：南京大学
采用ＨＶＰＥ方法横向外延薄膜ＧａＮ过程中添加ＨＣｌ改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在ＨＶＰＥ横向外延ＧａＮ过程中直接添加ＨＣｌ至衬底表面，通过ＨＣｌ对ＧａＮ的腐蚀作用...

2004年11月10日

南京

499

激光退火装置和激光薄膜形成装置　[申请号/专利号：03141112]
申请人/专利权人：富士胶片株式会社
一种激光退火装置，备有由至少一个氮化镓（ＧａＮ）系半导体激光器产生的多个波长３５０～４５０ｎｍ的激光束的发光点构成的激光光源和由该光源发出的激光束在退火面上扫描的扫描器...

2004年1月14日

500

金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备　[申请号/专利号：03135064]
申请人/专利权人：张国华
本发明是一种金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备，它包括反应器，其特征在于反应室为管式双层结构，由内管和外管构成，内管腔为反应腔，内、外管插装在上下固定装置内...

2004年9月15日

青岛