专利┆化工┆机械┆建材┆通讯┆纺织┆电子┆农业┆服饰┆环保┆家居┆电器┆办公┆玩具┆文教┆包装
电气┆塑料┆能源┆橡胶┆照明┆运动┆仪器┆冶金┆数码┆汽车┆物流┆纸业┆印刷┆礼品┆建筑┆五金
发明名称 全文
专利
供应商机
采购商机
企业库
商讯
产品库
钱眼专利首页 > 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 的专利共 872 条
<<　1　2　3　4　5　6　7　8　9　10　 >>免费注册 
热点信息推荐



热点企业推荐
 
 
 
排序
专利信息
公开日
地区
我要留言
201
气体扩散板　[申请号/专利号：200510108581]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明公开了一种气体扩散板。在气体扩散板（９）上设有多个让处理衬底时所用的处理气体通过的通孔。设在气体扩散板（９）的周边区域的通孔（１１’）、（１１），其入口部分的面积...
2006年4月26日
202
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：200510107058]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
提供一种半导体装置及其制造方法。目的在于形成具有绝缘性和平坦性的绝缘膜。通过在包含不活泼气体作为其主要成分并具有５％或更低的氧气浓度和１％或更低的水浓度的气氛中对涂敷后...
2006年5月10日
203
形成铁电膜的方法及使用其形成电容器和存储器件的方法　[申请号/专利号：200510106861]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电...
2006年5月10日
204
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510106818]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
提供一种用于抑制半导体器件中发生的介电击穿的技术。半导体器件包括半导体衬底（未示出）、形成在半导体衬底上的层间绝缘膜１０２以及设置在层间绝缘膜１０２上的多层绝缘膜１４０...
2006年3月29日
205
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510103061]
申请人/专利权人：东部亚南半导体株式会社
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极氧化物层，以及使用浓度为９％到１１％的氮作为等离子体气体在氧化物层的表面形成氮化物层。以此方案，在栅极长度为１００ｎｍ或...
2006年3月22日
206
等离子体处理设备　[申请号/专利号：200510102511]
申请人/专利权人：爱德牌工程有限公司
在此公开的是一种等离子体处理设备，其在真空室内产生等离子体以使用所述等离子体来处理半导体基板。所述设备包括基板安装台、外提升棒及阻挡。所述外提升棒包括驱动轴及垂直耦合到...
2006年3月15日
207
制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200510096542]
申请人/专利权人：恩益禧电子股份有限公司
在制造本发明的半导体器件的工艺中，采用包含从Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌａ和Ｙ组成的组中选择的一种或多种金属元素的有机源材料作为淀积气体，由原子层淀积来淀积电容器介电膜。本发明的制造...
2006年3月1日
208
半导体器件的制作方法　[申请号/专利号：200510091142]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的是提供一种可以简单的步骤制造具有绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的衬底的方法，以及以低成本、高产量、高成品率来制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件的制...
2007年2月7日
209
避免介电层沟填孔洞露出的方法及介电膜的工艺与结构　[申请号/专利号：200510089334]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种避免介电层沟填孔洞露出的方法，是仅在沟渠上方的部分介电层上形成一抗蚀刻层，其至少覆盖位于孔洞上方的介电层，以免该孔洞在后续蚀刻工艺中被露出。...
2007年2月7日
210
具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200510088983]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法。此方法包括沉积通式为Ｃ↓［ｘ］Ｈ↓［ｙ］的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。其中，沉积此碳氢化合物层时利用等离子体...
2006年8月9日
211
次常压化学气相沉积技术形成无缝浅沟渠绝缘区域的工艺　[申请号/专利号：200510087989]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明揭露一种沟渠绝缘区域工艺，首先于一半导体衬底中形成一绝缘沟渠；进行次常压化学气相沉积（ＳＡＣＶＤ）工艺，于该半导体衬底上沉积一硅氧层，并填满该绝缘沟渠，该硅氧层于...
2007年1月31日
212
紫外线阻挡层　[申请号/专利号：200510085026]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本文披露了半导体结构与其形成方法。此方法包括下列步骤：提供初始半导体结构；于初始半导体结构上形成一层非硅层，此非硅层在波长小于约３００ｎｍ时，具有大于０的消光系数；以及...
2006年2月15日
213
图形形成方法、薄膜晶体管、显示器及其制造方法及电视设备　[申请号/专利号：200510083724]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
提供了一种显示器，其可以利用材料通过简化的制造工艺高效率地制造，还提供了制造该显示器的方法。另一个目的是提供一种技术，通过其可以良好受控地将组成显示器的布线图形等形成为...
2005年11月30日
214
以能量耗散层改进低介电常数电介质器件的稳定性　[申请号/专利号：200510083277]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明提供一种塑性和／或粘弹性变形层，该变形层可以和低ｋ电介质（ｋ小于４．０）联合使用以提供一种具有改善的稳定性的电子半导体结构。变形层可以包含在电子结构中的各种地方以...
2006年2月1日
215
具有阻隔保护层的基板及形成阻隔保护层于基板上的方法　[申请号/专利号：200510082817]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种具有阻隔保护层的基板以及形成阻隔保护层于基板上的方法，其中该方法包括：于半导体基板上形成一隔离结构，沉积一原生氮化层于半导体基板上，该氮化层对隔离结构具有...
2006年2月1日
216
在非易失存储器件中形成隧穿绝缘层的方法　[申请号/专利号：200510082046]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种形成隧穿绝缘层的方法，由所述方法形成的隧穿绝缘层的尺寸小于通过光刻工艺的分辨率得到的尺寸。所述方法包括的步骤有：在衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成可再次...
2006年1月25日
217
使用固相外延法形成半导体器件接触的方法　[申请号/专利号：200510080420]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
公开了制造半导体器件接触的方法。所述方法包括以下步骤：在其上形成有多个接点的衬底上形成层间绝缘层；通过蚀刻层间绝缘层形成多个接触孔以暴露接点；进行用来除去接触孔的底面上...
2007年1月10日
218
成膜方法和成膜装置　[申请号/专利号：200510080241]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成薄膜的...
2006年1月4日
219
介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路　[申请号/专利号：200510080146]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，所述介电层包括：一顶部部分；以及一底部部分，其中上述介电层具有由顶部部分往底部部分大体均匀地变化的密度。本发明...
2006年1月4日
220
形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及其形成的电容器　[申请号/专利号：200510078339]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
在金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括ＭＩＭ型电容器的集成电路中...
2006年1月18日
221
半导体工艺的成膜装置以及方法　[申请号/专利号：200510077437]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用...
2005年12月28日
222
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510077047]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体制造方法包括使用多孔性及／或含碳的低介电常数介电层。此方法包括形成通式为Ｃ↓［ｘ］Ｈ↓［ｙ］的碳氢化合物层于低介电常数介...
2006年8月9日
223
等离子体化学气相沉积设备及用它制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200510076711]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
一种用以在等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法中使用的设备与一种用以使用此种设备制造半导体器件之方法被揭露。等离子体ＣＶＤ设备包含：室；晶片，其底表面通过室内之静电卡盘而...
2006年5月10日
224
增强表面附着性及故障模式分析的新式元件结构　[申请号/专利号：200510075212]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明是有关于一种增强表面附着性及故障模式分析的新式元件结构，提供一具有半导体元件形成其中与其上的基材，此半导体元件的结构包含了介电常数小于４．５的介电层，此介电层之内...
2006年1月18日
225
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510074788]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种半导体元件的制造方法，此方法先提供一基底，基底上至少已形成有一Ｐ型金属氧化物半导体晶体管以及一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管。于基底上形成介电层，至少覆盖住Ｐ型金属氧化...
2006年12月6日
226
前驱体组合物及制造方法、强电介质膜的制造方法及应用　[申请号/专利号：200510074094]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供利用液相法具有好的组成控制性且使铅等的金属成分的再利用成为可能的强电介质形成用的前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法以及使用了前驱体组合物的强电介质膜的制造...
2006年2月22日
227
半导体制造装置　[申请号/专利号：200510068327]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
揭示一种可以在晶片整个表面形成均匀薄膜的半导体制造装置。本发明所提供的半导体制造装置包含反应室、喷头、晶片驱动单元。晶片驱动单元包含支持晶片的支架、连接于支架的旋转轴、...
2006年10月4日
228
集成电路以及形成用于晶体管栅电极的隔离层的方法　[申请号/专利号：200510067824]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数（ｋ）。减小的介...
2005年11月23日
229
半导体元件的制造方法　[申请号/专利号：200510065590]
申请人/专利权人：力晶半导体股份有限公司
一种半导体元件的制造方法，此方法为提供一基底，基底中已形成有一沟槽，且沟槽中已形成有一沟槽式元件，而沟槽式元件包括设置于沟槽侧壁的二栅极结构、设置于二栅极结构之间的基底...
2006年11月1日
230
具有自行对准接触窗的半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：200510065580]
申请人/专利权人：力晶半导体股份有限公司
一种具有自行对准接触窗的半导体元件的制造方法。首先，于基底上形成多个隔离结构，以定义出有源区。接着，于基底上形成多个栅极结构。然后，于各栅极结构侧边的基底中，形成多个掺...
2006年11月1日
231
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510065239]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明公开一种制造半导体器件的方法，该半导体器件设置有侧壁层，该侧壁层具有高质量和非常好的形状。使用含碳氮氧化硅膜形成栅极电极侧壁上的侧壁层。这种膜可以使用ＢＴＢＡＳ和...
2006年6月7日
232
半导体器件制造方法　[申请号/专利号：200510065046]
申请人/专利权人：富士通株式会社
一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底１０上方形成第一多孔绝缘膜３８的步骤；形成第二绝缘膜４０的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜３８的密度更大；以及利用存...
2006年6月14日
233
低介电常数半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510063003]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通...
2005年10月5日
234
沉积方法与半导体器件　[申请号/专利号：200510062521]
申请人/专利权人：半导体工程研究所股份有限公司
本发明涉及一种沉积方法，其中绝缘膜覆盖主要由铜膜制成的布线，并具有低介电常数。在沉积气体被转换成等离子体并促使反应发生以形成具有低介电常数的绝缘膜的沉积方法中，其组成为...
2005年10月5日
235
在表面上形成接触窗开口的方法　[申请号/专利号：200510059368]
申请人/专利权人：茂德科技股份有限公司
一种在半导体材料的表面上形成接触窗开口的方法，此接触窗开口具有对配置于接触窗开口上的介电层进行非等向性蚀刻所制作出的侧壁。保护层配置于半导体材料的表面上。为了保护基底，...
2006年4月19日
236
绝缘膜成形方法、绝缘膜成形装置和等离子体膜成形装置　[申请号/专利号：200510059146]
申请人/专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
利用一种等离子体膜成形装置（１ａ）形成一个绝缘膜（１０１），该等离子体膜成形装置（１ａ）包括具有电磁波入射面Ｆ的真空容器（２）、制作在该真空容器（２）中的第一注气孔（４...
2005年9月21日
237
半导体结构及其制造方法　[申请号/专利号：200510056704]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构的制造方法包括：沿着介层窗侧壁的介电材料上所暴露出的孔洞被部分或全面性的密封。之后，在介电材料上形成一或多层阻障层，...
2006年5月17日
238
半导体器件的电容器、存储器件及其制造方法　[申请号/专利号：200510056566]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由...
2005年8月10日
239
冷却装置、使用了该装置的图像显示面板的制造装置以及方法　[申请号/专利号：200510054886]
申请人/专利权人：佳能株式会社
在构成使用了电子线放射元件等的图像显示装置的基板的加热以及冷却过程中使用的冷却装置中，具备与基板相对而且吸收基板的放射热的冷却板，通过在冷却板中设置与基板的低放射率区域...
2005年9月28日
240
半导体装置、电光学装置、集成电路和电子仪器　[申请号/专利号：200510054799]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
鉴于形成微细孔的工艺条件，提供一种可以稳定地形成所述微细孔而且在大型玻璃基板上也能稳定得到高性能薄膜晶体管的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，包括：在...
2005年10月5日
241
Bi类电介质薄膜形成用涂布液以及Bi类电介质薄膜　[申请号/专利号：200510053758]
申请人/专利权人：东京应化工业株式会社
本发明公开了一种涂布液，是含有式｛Ｂｉ↓［４－ｘ］、（Ｌａ↓［ｚ］、Ｂ↓［１－ｚ］）↓［ｘ］｝↓［ｎ］（Ｔｉ↓［３－ｙ］、Ａ↓［ｙ］）Ｏ↓［１２＋α］（式中，Ａ表示Ｇｅ...
2006年9月13日
242
在半导体装置中形成介电层的方法　[申请号/专利号：200510052520]
申请人/专利权人：海力士半导体有限公司
本发明公开了一种形成半导体装置的绝缘膜的方法。根据本发明形成绝缘膜，并然后进行退火处理，以去除在该绝缘膜中所包含的释气源。然后，通过热处理去除在该绝缘膜的表面上所形成的...
2006年4月12日
243
耐磨耗介电层的制作方法　[申请号/专利号：200510052127]
申请人/专利权人：探微科技股份有限公司
首先提供一基底，该基底包括多个连接垫。接着至少进行一等离子体辅助化学气相沉积工艺，以于该基底的表面沉积一介电层，且该等离子体辅助化学气相沉积工艺利用一高频－低频等离子体...
2006年8月30日
244
芯片型低介电常数介电层和平面电感元件的制作方法　[申请号/专利号：200510052126]
申请人/专利权人：探微科技股份有限公司
一种芯片型Ｌｏｗ－ｋ介电层的制作方法。首先提供一半导体基底，且该半导体基底包括多个连接垫。接着于该半导体基底的表面形成一光感应介电层，并进行一曝光暨显影工艺，去除部分该...
2006年8月30日
245
氮化硅膜的制造方法　[申请号/专利号：200510051754]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种氮化硅膜的制造方法，此方法适用于基底，且于基底上至少形成有一晶体管元件，而此方法包括下列步骤。首先，于晶体管元件上形成自行对准金属硅化物膜。接着，于基底上形成氮化硅...
2006年9月6日
246
减少低介电常数材料层的微粒数目的方法　[申请号/专利号：200510051615]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种减少低介电常数材料层的微粒数目的方法，此低介电常数材料层利用等离子体增强化学气相沉积法形成，且于沉积过程中使用一反应气体、一清除气体、一高频电源及一低频电源。此方法...
2006年8月16日
247
温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200580034896]
申请人/专利权人：株式会社日立国际电气
热处理设备中的温度调整方法，该热处理设备具有对处理衬底的处理室内进行加热的加热装置、控制该加热装置的加热控制部、配置在上述处理室内的靠近上述衬底的位置的第一温度检测装置...
2007年9月19日
248
等离子体处理装置　[申请号/专利号：200580029854]
申请人/专利权人：东京毅力科创株式会社
本发明提供一种对被处理体（Ｗ）实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器（１２）、保持上述被处理体的被处理体保持单元（２０）、产生高频...
2007年8月1日
249
半导体硅基板用热处理夹具　[申请号/专利号：200580019566]
申请人/专利权人：株式会社上睦可
提供一种半导体硅基板用热处理夹具，其接触于半导体硅基板并对其进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其中，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为１．５ｍｍ以上、６．０...
2007年5月23日
250
用于半导体器件的使用大气压的材料原子层沉积的方法　[申请号/专利号：200510029998]
申请人/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
本发明提供一种用于原子层沉积的方法。所述方法包括提供具有表面区域的衬底，并将所述衬底的所述表面区域暴露于大气压。该方法还至少将所述衬底保持在大约大气压下，并且利用原子层...
2007年3月28日
 

专利发明首页:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
...
  　　共872 条信息，当前显示第 201 - 250 条，共18 页
钱眼网客户服务　　联系方式:E-mail:qianyan.biz@hotmail.com 　免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
钱眼网 版权所有 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名：钱眼
钱眼客服电话:010-82727623 　E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com　QQ:532008814　　点击这里给我发消息　
京公网安备 11010502034661号   京ICP备06048586号