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钱眼专利首页 > 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造 的专利共 397 条
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201
制作多晶硅-多晶硅/MOS叠层电容器的方法　[申请号/专利号：01116626]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种可用作ＢｉＣＭＯＳ器件中的元件的多晶硅－多晶硅／ＭＯＳ叠层电容器，它包含其表面内形成有第一导电型区的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上并覆盖所述第一导电型区的栅氧化...
2001年10月24日
202
高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件　[申请号/专利号：01113731]
申请人/专利权人：南京大学
高Ｔ↓［Ｃ］铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件，利用脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ）在衬底上生长高Ｔ↓［Ｃ］铁电薄膜，生长的铁电薄膜主要为Ｂｉ↓［３］ＴｉＮｂＯ↓［...
2002年11月13日
203
具有高电感性和高品质因子的多层螺旋电感器结构　[申请号/专利号：01112320]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
本发明提供一种多层集成电路技术所制造的高电感性和高品质因子的多层螺旋电感器结构。该电感器上层螺旋线圈的一端藉由介层窗插塞与下层螺旋线圈的一端相连接。每层螺旋线圈的连接方...
2002年11月6日
204
电容器结构及其制造方法　[申请号/专利号：01112231]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明的一个方案是半导体器件（２０）中的电容器（９４），具有金属镶嵌沟槽（２２）中的下铜极板（３０）、下极板上的阻挡层（５６，１８０ａ）、阻挡层上的介质层（６０）以及介...
2001年10月31日
205
半导体显示器件及其制作方法　[申请号/专利号：01112073]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、ＬＤＤ区、以及源区和漏区，且ＬＤＤ区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。...
2001年10月31日
206
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：01111864]
申请人/专利权人：株式会社东芝
使得在实现器件的微细化的同时，形成大电容值的电容器或具有２种以上的电容值的多个电容器成为可能，且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第１布线１３，与该第１布线１３分...
2001年10月3日
207
埋入的金属双重镶嵌板电容器　[申请号/专利号：01111265]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
金属电容器由晶片的ＢＥＯＬ中的金属双重镶嵌工艺的一部分构成。电容器的下极板（２７）夹在绝缘层（２５）与介质层（２９）之间。对边上的绝缘层邻接金属层（２３，２４），并且介...
2001年9月26日
208
凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法　[申请号/专利号：01110430]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
本发明提供一种凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法，包括以下步骤：首先，提供一基底，表面具有一第一绝缘层。在第一绝缘层上形成一蚀刻停止层。对蚀刻停止层及第一绝缘层进行...
2002年11月6日
209
集成电路的静电保护电路　[申请号/专利号：01110177]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
本发明提供一种集成电路的静电保护电路，用以防止内部电路受到静电袭击。其内部电路经过一焊垫接收或输出信号，此电路包括第一、第二晶体管及一分压电路。第一晶体管的漏极连接焊垫...
2002年10月30日
210
形成双极与CMOS兼容组件时形成电容器的方法及其装置　[申请号/专利号：01110106]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
本发明为一种在形成ＢｉＣＭＯＳ组件时利用其制造过程同时形成电容器的制造方法及其装置，因此避免额外制造步骤，并节省制作所需的成本。此外，本发明是将一形成于晶体扩大层中的离...
2002年10月30日
211
具有高Q值电感组件的半导体技术制造方法及其结构　[申请号/专利号：01110104]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
一种具有高Ｑ（Ｑｕａｌｉｔｙ　Ｆａｃｔｏｒ）值电感组件的半导体技术制造方法是以多层回旋状导电层来制造一具有高Ｑ值电感结构，其中在上述回旋状导电层间距中形成有空气隙（Ａｉ...
2002年10月30日
212
闪存中浮置栅极的制造方法　[申请号/专利号：01109538]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
一种闪存中浮置栅极的制作方法，提供一基底，在基底上形成闸氧化层、多晶硅层与氮化硅层，接着定义出栅极的位置，并将栅极上方的氮化硅层移除，之后将暴露出的多晶硅层氧化以形成浮...
2002年11月6日
213
动态随机存储器电容器的制造方法　[申请号/专利号：01109530]
申请人/专利权人：华邦电子股份有限公司
一种动态随机存储器电容器的制造方法，是在一基底上定义主动区后，在基底上形成复数条平行排列的字符线，接着，在字符线间，预定形成位线接触窗与节点接触窗的位置形成第一插塞与第...
2002年11月6日
214
一种陶瓷厚膜电路炸裂的控制方法　[申请号/专利号：01107353]
申请人/专利权人：重庆川仪微电路有限责任公司
一种陶瓷厚膜电路炸裂的控制方法，在电路的热设计上将电路的相对热区和相对冷区沿纵向或横向适当分布，同时还可选择一个相对热区作为优先炸裂引导的热区，在该热区内使用炸裂引导技...
2001年11月7日
215
一种陶瓷厚膜电路炸裂的引导方法　[申请号/专利号：01107352]
申请人/专利权人：重庆川仪微电路有限责任公司
一种陶瓷厚膜电路炸裂的引导方法，该方法是在瓷片上设计机械弱点，确定炸裂的起始点，机械弱点的设计采用以下方式：在优先炸裂引导区附近的瓷片边缘设计一个机械弱点或将优先炸裂引...
2001年10月10日
216
半导体芯片设计方法　[申请号/专利号：01138536]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
公开了电压岛的逻辑和物理构形。半导体芯片结构被分割成作为设计区域的仓室。半导体芯片结构可被切割成各个区域，并被赋予各种电压电平。每个仓室可看作电压岛。设计中的电路被加到...
2002年6月12日
217
氮化硅只读存储器的制造方法　[申请号/专利号：01134769]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
一种基底／氧化硅／氮化硅／氧化硅／硅组件的制造方法，包括在基底上依序形成第一氧化层、捕捉层与第二氧化层，再在第二氧化层上形成罩幕图案作为植入罩幕，进行一离子植入工艺，以...
2003年5月21日
218
在镶嵌制程中形成金属电容器的方法　[申请号/专利号：01130733]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法。于形成金属薄膜电容器之前，利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线。电容器的下电极是在镶嵌制程中形成，而此镶嵌制程亦同时用来形成导线和...
2003年3月12日
219
编程及擦除P型沟道SONOS记忆单元的操作方法　[申请号/专利号：01130730]
申请人/专利权人：旺宏电子股份有限公司
本发明是有关于一种Ｐ信道ＳＯＮＯＳ内存元件的程序化及抹除操作方法，该内存元件在一基底上具有一电荷捕捉层、一位于电荷捕捉层上的栅极层、两个位于电荷捕捉层两侧的基底中的掺杂...
2003年4月2日
220
制造铁电体电容器装置的方法　[申请号/专利号：01104943]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
在制造具有至少两个不同矫顽磁力电压的铁电体电容器方法中在基层上首先产生由至少两个高度等级构成的表面的第一个电极结构（１１）。借助于离心式涂层将改变厚度（１３Ａ，１３Ｂ）...
2001年8月29日
221
制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：01104942]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
在用于制造半导体器件的一种方法中，在衬底（１）上方生成一个第一氧化物层（４）。在此第一氧化物层上形成含有一个下和一个上电极（３１，３３）及在其间淀积的含金属氧化物的电容...
2001年8月29日
222
系统芯片的设计校验方法和装置　[申请号/专利号：01115546]
申请人/专利权人：株式会社鼎新
一种精确度高、速度快、费用低的校验ＳｏＣ设计方法和装置。该装置允许使用一种方法，该方法包括步骤：校验ＳｏＣ中的各集成核芯；使用各核芯的硅ＩＣ和核芯供应商提供的模拟测试台...
2002年12月4日
223
用于制作具钽酸锶-铋基介质的存储电容器的方法　[申请号/专利号：01104074]
申请人/专利权人：印芬龙科技股份有限公司
本发明涉及一种用于制作具钽酸锶－铋基介质的存储电容器的方法。可以采用下述方式降低存储电容器铁电层（介质）的结晶化温度，在对该层沉积之前将一非常薄的ＣｅＯ↓［２］层覆着在...
2001年9月5日
224
电容器及其制造方法　[申请号/专利号：01102908]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
提供集成电路互连级电容器结构及形成方法。该电容器结构包括第一绝缘层；第一、二导电线，配置在第一绝缘层中并由沟槽分隔；第一导电阻挡层；第二绝缘层；第二导电阻挡层；第三导电...
2001年8月15日
225
存储元件装置及其制造方法　[申请号/专利号：00806827]
申请人/专利权人：因芬尼昂技术股份公司
在存储单元装置中，在单元阵列（Ｚ１）中，在第一导线（１１）和第二导线（１２）之间布置了磁致电阻存储元件（１３）。在外围（Ｐ１）中安排了一个第一金属化平面（１４），一个第...
2002年5月15日
226
聚碳酸酯板的镭射光线器自动钻靶机靶形设计　[申请号/专利号：00263167]
申请人/专利权人：联星科技股份有限公司
本实用新型涉及一种聚碳酸酯板的镭射光线器自动钻靶机靶形设计，尤其指能以单一镭射光线器完成钻孔动作，以降低辐射量并减少制造成本的靶形结构。主要在ＰＣ板设有定位孔，在该定位...
227
半导体器件的电容器制造方法　[申请号/专利号：00137660]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明提供能够改善用作电解质膜的ＴａＯＮ薄膜的漏电流和介电特性的半导体的电容器制造方法。该方法由如下步骤构成：形成规定的下部图形，提供用层间绝缘膜覆盖的半导体衬底；在所...
2002年7月31日
228
半导体装置的电容器的制造方法　[申请号/专利号：00137649]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明的主要目的是提供既具有优良电气特性又能确保高容量的半导体装置的电容器制造方法。该半导体装置的电容器制造方法包含如下工序：在半导体衬底的下部结构物上形成下部电极；在...
2001年8月8日
229
半导体装置的电容器的制造方法　[申请号/专利号：00137647]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明提供一种既能制成确保优良电特性和高电容量并除去了杂质的优良电介质膜，又能简化制造工序并节省了生产成本的半导体装置的电容器的制造方法。该方法由以下工序组成：在半导体...
2001年8月1日
230
MIM电容器　[申请号/专利号：00137395]
申请人/专利权人：株式会社东芝
目前，在布线材料中使用铜（Ｃｕ），其结果，在组合ＲＦ模拟器件和ＣＯＭ逻辑器件的ＲＦ－ＣＯＭ器件中，ＭＩＭ电容器的两个电极由具有大扩散系数的Ｃｕ构成。为了防止Ｃｕ扩散到Ｍ...
2001年7月11日
231
设计方法、掩模组、集成电路及其制造方法和存储介质　[申请号/专利号：00137227]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供以少的计算量高效率地进行斜布线的终端布局的自动设计方法，包括：生成具有任意线宽的水平布线１１的步骤；生成具有任意线宽，相对于水平布线按４５°角度在斜方向上延伸，其终...
2001年8月15日
232
制造带有保护盒的电子元件的方法　[申请号/专利号：00137154]
申请人/专利权人：株式会社村田制作所
本发明提供了一种方法，用于制造一种高度可靠的电子元件，保护盒被安全地固定在它上面而不需要进行把焊接材料填充在结合孔中这一步骤，以及一种通过本方法制造的高度可靠的带有保护...
2001年9月12日
233
半导体器件的电容器的制造方法　[申请号/专利号：00135517]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
一种半导体器件的电容器的制造方法，使用ＴａＯＮ薄膜作为电介质膜，充分确保高集成度半导体要求的充电容量，具有优秀的电气特性。该方法包括以下工序：在半导体衬底上形成下部电极...
2001年5月16日
234
采用Ta*O*薄膜作为电介质膜的Ta*O*电容器的制造方法　[申请号/专利号：00135507]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
一种半导体器件的电容器的制造方法，采用Ｔａ＃－［２］Ｏ＃－［５］薄膜作为电介质膜，提高泄漏电流特性和介电特性。该方法包括以下工序：提供半导体衬底，其上形成有预定的下部图...
2001年5月16日
235
组合元件分离方法、薄膜制造方法和组合元件分离设备　[申请号/专利号：00135339]
申请人/专利权人：佳能株式会社
本发明涉及一种组合元件分离方法，在与第一元件（１）和第二元件（２）之间的键合界面不同的位置上，分离具有分离层（４）和在分离层（４）上的转换层（５）的第一元件（１）与第二...
2001年6月13日
236
一种用于模拟铁电电容的等效电路　[申请号/专利号：00134177]
申请人/专利权人：清华大学
本发明涉及一种用于模拟铁电电容的等效电路，包括控制电路和电容切换电路，控制电路的输入电压是电容切换电路的第一端口节点和第二端口节点之间的电压差；电容切换电路中的四个压控...
2001年7月11日
237
输送与支承板料的装置　[申请号/专利号：00133723]
申请人/专利权人：奥托玛-泰克公司
用于输送与支承双面板料特别是印刷线路板的装置，包括：底版，具有顶基准面，该基准面为水平平面，用于承接所述板料的底面；顶板，具有底基准面，该基准面为水平平面，用于承接所述...
2001年5月16日
238
半导体存储器件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：00126816]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
一种能够减少漏电流的发生，具有介电常数高的电介质膜，确保大容量的半导体元件的电容器及其制造方法。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜...
2001年3月14日
239
一种于具自动对准接触窗机构的基材上形成电容器的方法　[申请号/专利号：00124520]
申请人/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
一种于具自动对准接触窗机构的基材上形成电容器的方法，该基材至少包含两个字元机构与一主动区域，该方法至少包含以下步骤：形成一第一介电层；形成一接触洞于该介电层之中；形成一...
2002年4月10日
240
半导体存储元件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：00124028]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明提供一种在电介质膜和上部电极之间具有台阶覆盖好的导电性阻挡层的半导体存储元件的电容器。本发明的特征在于，包括，在半导体衬底上形成下部电极的工序；对所述下部电极的表...
2001年1月17日
241
半导体存储元件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：00124027]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明提供一种能够减少漏电流的发生、具有介电常数高的电介质膜的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极；在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理...
2001年1月17日
242
半导体存储器元件的电容器的制造方法　[申请号/专利号：00124026]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
一种半导体存储器元件的电容器，配有漏泄电流发生少并具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量。在配置ＭＯＳ晶体管的半导体衬底上，形成使ＭＯＳ晶体管接合区域的一部分露出的带有...
2001年1月17日
243
存储器的电容器下电极的制造方法　[申请号/专利号：00122777]
申请人/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
一种存储器的电容器下电极的制造方法，用于基底，其上已形成第一绝缘层，此方法是，在第一绝缘层中形成自行对准接触窗开口，其暴露出基底上的导电区域，再在第一绝缘层上与其开口中...
2002年3月6日
244
制造半导体电容器的方法　[申请号/专利号：00122616]
申请人/专利权人：联华电子股份有限公司
本发明关于一种形成电容器的方法，包含射频等离子体清洗步骤，以除去原始氧化层或金属氧化物。等离子体清洗步骤是使用至少含氟原子气体或含氟原子气体作为清洗气体，然后活化此清洗...
2002年2月20日
245
半导体存储元件的电容器的形成方法　[申请号/专利号：00122216]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明提供一种利用减少漏电流的发生而具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极的阶段；表面处理的阶段；形成ＴａＯＮ...
2001年1月10日
246
半导体存储元件的电容器及其制造方法　[申请号/专利号：00122215]
申请人/专利权人：现代电子产业株式会社
本发明提供一种能够减少漏电流的发生，并具有介电常数高的电介质膜，从而确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧...
2001年1月10日
247
用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺　[申请号/专利号：00120190]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
制作半导体器件的方法包含：制作具有存储器阵列区和逻辑器件区的衬底；在衬底上生长厚的栅介质；在存储器阵列区的厚的栅介质上制作包括第一多晶硅层的栅叠层；在逻辑器件区上的衬底...
2001年1月31日
248
制造沟槽动态随机存取存储器中电容器掩埋片的工艺　[申请号/专利号：00120189]
申请人/专利权人：国际商业机器公司、英芬能技术北美公司
一种制造沟槽中的深沟槽电容器的工艺。此电容器包含沟槽上部区域中的颈圈和沟槽下部区域中的掩埋片。其改进包含，在制作沟槽上部区域中的颈圈之前，用诸如旋涂玻璃之类的非光敏的底...
2001年2月28日
249
衬底结隔离型硅集成电感及其制法　[申请号/专利号：00119635]
申请人/专利权人：中国科学院上海冶金研究所
本发明公开一种衬底结隔离型硅集成电感及其制法，主要是在硅基片上先形成氧化层，并按一定图形结构形成离子注入窗口，经过离子注入及隔离推进，在硅衬底中形成交替间隔的Ｐ型和Ｎ型...
2001年1月24日
250
薄膜晶体管平面显示器　[申请号/专利号：00133188]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种薄膜晶体管平面显示器包括一基板，基板上包含晶体管区及连接垫区，其上形成栅极电极以及栅极垫。绝缘层覆盖住栅极电极以及栅极垫的一第一区域。第一半导体层覆盖于绝缘层上，第...
2002年5月22日
 

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