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钱眼专利首页 > 把衬底连续地分成多个独立的器件 的专利共 290 条
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201
使用激光的半导体晶片分割方法　[申请号/专利号：200410062012]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
一种通过使用激光束沿切割道充分精确地分割半导体晶片的方法，同时完全避免或抑制在半导体晶片正面上的矩形区域中形成的电路变脏，而不使正面上的矩形区域产生缺口。从半导体基底的...
2005年2月9日
202
盘状工件分割装置　[申请号/专利号：200410062009]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
本发明提供了一种用于沿着分割线分割盘状工件的装置，所述盘状工件被放置在附在环状框架上的保护带的顶面上，盘状工件具有沿着分割线的降低的强度，所述装置包括：框架保持装置，用...
2005年2月9日
203
制造半导体器件的方法和使用该方法的半导体器件制造装置　[申请号/专利号：200410059772]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技、瑞萨北日本半导体公司
一种半导体器件制造装置包括预对准部分，其具有适合于识别在多阵列基片上形成的识别标记的预对准相机，切割部分，其根据由预对准部分对标记的图象识别获得的信息用切刀切割基片，和...
2005年2月9日
204
具有凹陷的对准标记的平面磁隧道结衬底　[申请号/专利号：03826962]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种形成用于半导体器件的对准标记结构（１４８）的方法，该方法包括：在半导体器件衬底的选定层面处形成对准凹陷（１３０）。在所述选定的衬底层面上方以及在所述对准凹陷（１３０...
2006年8月16日
205
半导体封装及其制造方法　[申请号/专利号：200410054533]
申请人/专利权人：索尼株式会社
本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其防止安装在基板上的半导体芯片损伤，这样能来谋求提高可靠性和合格品率。其以把倒装在成为基板的大径芯片（３）上的小径芯片（半导体芯片...
2005年2月9日
206
切割芯片焊接薄膜及固定碎片工件的方法　[申请号/专利号：200410046402]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
本发明的切割芯片焊接薄膜包含在支持基材（１）上的压敏粘合剂层（２）和在所述压敏粘合剂层（２）上的芯片焊接粘合剂层（３），其中在所述压敏粘合剂层（２）和芯片焊接粘合剂层（...
2005年2月2日
207
基片的喷射分割　[申请号/专利号：03824998]
申请人/专利权人：东和-英特康科技公司
本发明揭示了用以将基片（１２）切割成多个元件部分的技术。分割技术包括产生喷射流（１１），以便分割较大部分（１２）来生产较小部分。该技术特别适用于分割表面安装元件，例如芯...
2005年11月30日
208
切割半导体晶片的方法　[申请号/专利号：200410042998]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种切割晶片的方法，其中此晶片具有钻石结构的基础材料。晶片先经过一个研磨过程，而从晶片的背面将晶片的预设部分予以磨除。接着，经由至少一条线来切割晶片，其中此线系沿着从钻...
2005年6月8日
209
分割半导体晶片的方法　[申请号/专利号：200410035229]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
分割半导体晶片的方法包括：用于管芯键合的键合膜粘附于半导体晶片背面的键合膜粘附步骤；粘贴可延伸保护性粘附带至背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步...
2004年10月6日
210
多层半导体晶片结构　[申请号/专利号：200410033886]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种多层半导体晶片结构，定义有闲置区域，其为限制测试键设置的区域，第一切割道与第二切割道为定义一芯片的转角点，且第一切割道与第二切割道为一多层结构，且多层结构中的至少一...
2004年10月20日
211
具有晶格不相称区的变形沟道晶体管结构及其制造方法　[申请号/专利号：200310103815]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
本发明提供一种具有晶格不相称区的变形沟道晶体管结构及其制造方法。此晶体管结构包括一具有变形沟道区的基底，该基底包含第一自然晶格常数的第一半导体材料，于一表面，一栅极介电...
2004年9月8日
212
制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：200410031904]
申请人/专利权人：株式会社瑞萨科技、瑞萨东日本半导体公司
本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离迭压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与迭压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面...
2004年10月6日
213
一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构及制备工艺　[申请号/专利号：03151098]
申请人/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明涉及一种电高介电常数（κ）材料－立方镁锌氧（ＭｇＺｎＯ）晶体薄膜作为金属－绝缘层－半导体（ＭＩＳ）结构中的绝缘层材料及制备工艺，属于微电子技术领域。特征在于生长在...
2005年3月23日
214
半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200410031633]
申请人/专利权人：株式会社东芝、琳得科株式会社
一种半导体器件的制造方法，包括：在已在第１面上形成了半导体元件的半导体晶片的上述第１面上，设置最终加工厚度以上的沟；向已设置有上述沟的上述晶片的上述第１面之上粘贴粘接性...
2004年10月13日
215
半导体器件制造方法、等离子处理设备及等离子处理方法　[申请号/专利号：200380100441]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
提供一种半导体器件的制造方法，该方法将其上形成有多个半导体元件的半导体晶片６划分为单片半导体元件。在电路形成面６ａ的相反面的厚度通过机械加工减小后，通过抗蚀剂薄膜３１ａ...
2005年11月2日
216
基板的分割方法　[申请号/专利号：200610164347]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面（３）形成功能元件（１９）的半导体基板（１）...
2007年6月20日
217
基板的分割方法　[申请号/专利号：200610164346]
申请人/专利权人：浜松光子学株式会社
本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面（３）形成功能元件（１９）的半导体基板（１）...
2007年6月20日
218
半导体加工用粘着片及半导体加工方法　[申请号/专利号：200410012037]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
本发明提供一种半导体加工用粘着片，在基材薄膜（１）的至少一面上具有粘着剂层（２），所述基材薄膜（１）含有密度在０．９１５ｇ／ｃｍ↑［３］以下的低密度聚乙烯。根据本发明的...
2005年4月13日
219
半导体元件及其制造方法　[申请号/专利号：02108418]
申请人/专利权人：连威磊晶科技股份有限公司
本发明所揭露的半导体元件的制造方法至少包含：选择一暂时性基板，于暂时性基板上完成元件结构，然后，以物理或化学方式分割成元件彼此独立的区块，接着，选择一永久性基板，将上述...
2003年10月15日
220
多针顶出装置　[申请号/专利号：200410068644]
申请人/专利权人：财团法人工业技术研究院
一种多针顶出装置包含两组伺服驱动装置，一组用于顶针座驱动装置，另一组用于顶推顶针的驱动装置。该顶针座驱动装置驱动该顶针座的升降，除便于搭配的晶片工作平台运动外，亦确保晶...
2006年3月8日
221
晶片切割方法　[申请号/专利号：200410003511]
申请人/专利权人：惠普开发有限公司
一种方法（８０），包括：识别晶片（９０）上的好坏芯片位置（８２）；按好坏芯片位置生成定制切割样式（８４），该定制切割样式（８４）包含一些每个具有一个以上的芯片的多芯片段...
2004年11月3日
222
混合集成电路装置的制造方法　[申请号/专利号：03123268]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社
一种混合集成电路装置的制造方法，利用切割自一张金属衬底（１０Ａ）制造多个电路衬底（１０）。且其包括：准备在表面上形成有绝缘层（１１）的金属衬底（１０Ａ）的工序；在所述绝...
2003年11月5日
223
半导体器件　[申请号/专利号：03110451]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是，既能防止在最上层具有铜层的密封环的氧化及腐蚀，又能防止在切割时的电路形成区发生裂纹。在钝化膜１２０上形成直达层间绝缘膜１０９的开口部１２３。开口部１２３...
2004年2月18日
224
由共用衬底集中制作器件芯片的方法　[申请号/专利号：03106476]
申请人/专利权人：富士通株式会社
多个微镜芯片集中制作在共用衬底上。每个微镜芯片由微镜单元构成，它包含框架、与框架有隔离部分的镜形成部分、以及连接镜形成部分与框架的扭杆。共用衬底受到腐蚀以提供隔离部分以...
2004年1月21日
225
半导体装置及其制造方法　[申请号/专利号：03106183]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明为一种半导体装置的制造方法，该方法具有：准备形成有半导体元件的半导体晶片（１）的步骤；通过沿着该半导体晶片（１）的划线，切割该半导体晶片的厚度的２０μｍ以上，在划...
2003年9月10日
226
制造显示器的方法　[申请号/专利号：200380104826]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
公开了制造显示器，特别是柔性显示器的方法。使用具有小开口（２）的基板（１），使基板具有多孔性并在基板（１）中形成沟槽。可除去的层（３）附着于基板（１）上。在可除去的层（...
2006年1月11日
227
半导体装置　[申请号/专利号：200380100534]
申请人/专利权人：株式会社东芝
一种半导体装置，它使用低介电常数的膜作为层间膜（１４），该膜的介电常数ｋ≤３．０，该装置包括抑制机构部件（２０），用来抑制层间膜（１４）的剥离。...
2005年11月2日
228
半导体晶片的切割方法和切割方法中使用的保护片　[申请号/专利号：200380100500]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
在通过等离子蚀刻切割半导体晶片６的半导体晶片切割方法中，保护片３０通过粘结层３０ｃ粘到电路形成面６ａ上，在保护片３０上，在绝缘片３０ａ的一个面上形成有等离子蚀刻率低的金...
2005年11月2日
229
利用固态UV激光器对蓝宝石衬底划线　[申请号/专利号：03142382]
申请人/专利权人：新浪潮研究公司
本发明公开了一种用于对蓝宝石衬底划线的方法和系统，该方法通过如下步骤实现；在诸如包括真空吸气装置的Ｘ／Ｙ平台的平台上安装载有集成器件芯片阵列的蓝宝石衬底；以及，使用固态...
2004年6月2日
230
激光加工方法　[申请号/专利号：200310123959]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
一种通过对工件施加激光束来对工件进行加工的激光加工方法，包括：保护膜涂覆步骤，其中在工件的待加工表面上涂覆保护膜；激光束照射步骤，其中经由保护膜来对工件施加激光束；以及...
2004年6月23日
231
半导体芯片拾取设备　[申请号/专利号：03800130]
申请人/专利权人：株式会社迪斯科
一种半导体芯片拾取设备，包括用于支撑胶带的支撑装置，所述胶带具有被粘结在其正面上的许多半导体芯片；以及拾取装置，用于从被支撑在支撑装置上的胶带的正面单个地拾取半导体芯片...
2004年5月19日
232
具有半导体芯片的BGA封装及其制造方法　[申请号/专利号：200310124404]
申请人/专利权人：三星电机株式会社
本发明涉及具有其上形成有边缘键合金属图形的中心键合型半导体芯片的ＢＧＡ封装，其中在半导体芯片上形成晶片级的边缘键合金属图形，并且在边缘键合的形状中进行引线键合，由此叠置...
2005年3月9日
233
半导体装置的制造方法　[申请号/专利号：200310114840]
申请人/专利权人：三洋电机株式会社、关东三洋半导体股份有限公司
本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在形成多个集成电路的半导体基板上，通过绝缘树脂，粘合覆盖所述多个集成电路形成区域而形成叠层体的第一工序；至少保留所...
2004年6月2日
234
切割/管芯-接合膜，固定芯片半导体的方法和半导体器件　[申请号/专利号：200310101314]
申请人/专利权人：日东电工株式会社
一种切割／冲模－结合膜，其包括在支撑基底材料（１）上的压敏粘合剂层（２）和在压敏粘合剂层（２）上的冲模－结合粘合剂层（３），其中压敏粘合剂层（２）和冲模－结合粘合剂层（...
2004年5月19日
235
提高感测组件组装良品率的方法　[申请号/专利号：03148713]
申请人/专利权人：敦南科技股份有限公司
一种提高感测组件组装良品率的方法，主要是利用光致抗蚀剂镀膜技术在一晶片上镀上一均匀的光致抗蚀剂保护膜，再经曝光显影保留在晶片的感测组件上的光致抗蚀剂保护膜，此保护膜具透...
2005年1月19日
236
半导体器件的制造方法及通过该方法得到的半导体器件　[申请号/专利号：03822030]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及一种半导体器件（１０）的制造方法，其中在具有临时衬底（２）的半导体本体（１）中，在与该衬底（２）相对的半导体本体（１）的侧面上形成至少一个半导体元件（３），其...
2005年10月12日
237
沟槽分割的发光二极管及其制造方法　[申请号/专利号：03820880]
申请人/专利权人：克里公司
提供了一种用来制作半导体器件的方法，此方法采用具有面对的第一和第二侧的半导体衬底以及衬底第二侧上的至少一个器件层，此至少一个器件层包括第一和第二器件部分。第一沟槽被形成...
2005年10月5日
238
用于制造半导体衬底的方法和所得结构　[申请号/专利号：03806014]
申请人/专利权人：联邦科学和工业研究组织
本发明公开了用作制备半导体芯片、尤其是化合物半导体器件的基础的半导体晶片复合件。有利的是，半导体晶片复合件包括金属衬底（２１０）和结合到金属衬底（２１０）表面上的多个半...
2005年7月20日
239
制造半导体器件的方法　[申请号/专利号：03802916]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
本发明说明用于制造半导体器件尤其是薄层器件的方法，其中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开，所述激光光束具有平台样的空间光束特性曲线。此外在分离前把半导体层设置在带有...
2005年12月28日
240
薄膜以及该薄膜的制造方法　[申请号/专利号：02814379]
申请人/专利权人：瑞威欧公司
层状结构通常包括第一层，该第一层适于有形成于其中或其上的有用元件，且该第一层旋转粘附或粘接在第二层上。用于形成层状结构的方法通常包括将第一基板选择粘附到第二基板上。...
2004年9月29日
241
加工衬底的方法及系统　[申请号/专利号：02819370]
申请人/专利权人：埃克赛尔技术有限公司
通过紫外线或可见光辐射激光在衬底的第一表面中加工出一种具有小于衬底总深度的预定深度的结构（３）；以及从与第一表面相反的该衬底的第二表面去除预定深度的材料（５），该预定深...
2005年5月25日
242
发光二极管的成组封装　[申请号/专利号：02827589]
申请人/专利权人：克里公司
提供了通过在半导体衬底上划线构成发光二极管的方法，从而在多个发光二极管每一个之间提供划线，其中衬底具有在其上面形成的发光区域。于是，半导体衬底沿选定的划线切开，从而提供...
2007年3月28日
243
用于与散热器有效热接触的、微电子管芯侧面上的背面金属化　[申请号/专利号：02823657]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明提供了一种包括微电子管芯（１４４、１４４’）的微电子器件以及用于制造该微电子器件的方法，该微电子管芯具有有效表面（１０４）、后表面（１０６）和至少一个侧面。微电子...
2005年3月23日
244
在划片格线中形成缺陷预防沟槽　[申请号/专利号：02823469]
申请人/专利权人：英特尔公司
本发明提供了一种对微电子器件晶片进行划片的方法，该方法包括在微电子器件晶片上的至少一个划片格线中形成至少一个沟槽，其中该沟槽防止由于随后利用晶片切割机进行划片而造成在微...
2005年9月7日
245
晶圆型态封装及其制作方法　[申请号/专利号：02105545]
申请人/专利权人：裕沛科技股份有限公司
本发明提供一种晶圆型态封装及其制作方法，其包含感光聚合型高分子如感光型聚亚酰胺膜（ＰＨＯＴＯＰＩ）于晶圆第一表面（正面），接着形成金属垫开窗或开孔于感光聚合型高分子膜...
2003年10月29日
246
具有金属层分割道的阵列式工件的切割方法　[申请号/专利号：03140787]
申请人/专利权人：优力特科技股份有限公司
一种具有金属层分割道的阵列式工件的切割方法，包含下列步骤：（Ａ）准备一工件，该工件具有多数呈数组型态排列的半导体元件、数设置在该各半导体元件之间的导线架及数对应该导线架...
2005年1月19日
247
半导体衬底夹具和半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：02105976]
申请人/专利权人：富士通株式会社
本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减...
2003年4月23日
248
晶片结构　[申请号/专利号：02103494]
申请人/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种晶圆结构，包括晶圆本体以及防护环。晶圆本体上具有复数切割道，藉由上述切割道以形成集成电路区。防护环系设置于集成电路区的周围，而上述导电性防护环系以第一导电性构件以及...
2003年8月20日
249
在晶粒表面形成结合粘性的晶圆处理方法　[申请号/专利号：02130497]
申请人/专利权人：南茂科技股份有限公司、百慕达南茂科技股份有限公司
一种在晶粒表面形成结合粘性的晶圆处理方法，在晶圆的一表面印刷一层具两阶段特性［ｔｗｏｓｔａｇｅ］的胶体，之后预烤该晶圆，使该具两阶段特性［ｔｗｏｓｔａｇｅ］的胶体在...
2004年2月25日
250
将至少一个元件从初始载体到最终载体的选择传递方法　[申请号/专利号：02811208]
申请人/专利权人：法国原子能委员会
本发明涉及一种从一初始载体向一最终的载体选择传递薄片的方法，每个薄片包括至少一个元件，该元件由微电子和／或者光电子和／或者声音和／或者机械装置构成，这些元件在一初始载体...
2004年7月14日
 

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