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钱眼专利首页 > 衬底不是半导体的，例如绝缘体 的专利共 1011 条
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451
双极晶体管和背栅晶体管的结构和方法　[申请号/专利号：200610143976]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
本发明披露了一种包括衬底的结构，该衬底包括位于本体层上的绝缘体层，和位于衬底第一区域的双极晶体管，该双极晶体管包括位于绝缘体层内的发射区的至少一部分。被披露的另一种结构...
2007年5月16日
452
导电体结构及其制造方法与元件基板及其制造方法　[申请号/专利号：200610143663]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的ＴＦＴ阵列基板（１００）包括基板（１０）、在基板（１０）上按每个像素形成的像素电极（２０）和对应于像素电极（２０）在基板（１０）上形成的ＴＦＴ元件（３０）。而且...
2007年5月9日
453
薄膜晶体管阵列基板的制造方法　[申请号/专利号：200610143517]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明为一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，所述的制造方法包括下列步骤。首先，在一基板上形成多条扫描线。然后，在基板上依序形成一图案化介电层与一图案化半导体层，以覆盖部分...
2007年4月18日
454
半导体器件的制造方法　[申请号/专利号：200610143292]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明提供一种具有柔软性的薄型半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法之一包括如下步骤：在衬底的一方表面中形成槽；形成包括元件的元件层，元件被配置在所述槽内；从所述衬底...
2007年5月9日
455
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法　[申请号/专利号：200610142803]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一...
2007年8月1日
456
半导体器件及其形成方法　[申请号/专利号：200610142730]
申请人/专利权人：国际商业机器公司、特许半导体制造有限公司
本发明的一些示范性实施例包括用于半导体结构的方法和半导体结构，该结构包括：包括源／漏区、栅介质、栅极、沟道区的ＭＯＳ晶体管；碳掺杂ＳｉＧｅ区，其将应力施加在沟道区上，从...
2007年6月13日
457
显示基板及其制造方法以及具有该显示基板的显示装置　[申请号/专利号：200610142288]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种显示基板，包括基板、第一绝缘层、侧蚀补偿构件、第一电极、第二绝缘层和第一导电图案。该第一绝缘层形成在该基板上。该侧蚀补偿构件形成在该第一绝缘层上。该侧蚀补偿构件的蚀...
2007年2月21日
458
基板的制造方法及基板洗涤装置　[申请号/专利号：200610142100]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明涉及通过消除钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物附着的薄膜晶体管的制造方法及制造装置。本发明为基板（１３）的制造方法。在基板（１３）上形成含钼的层，在露出含钼层的...
2007年4月4日
459
修复显示装置中的像素缺陷　[申请号/专利号：200610140338]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提出了一种有助于容易修复有缺陷像素的显示装置。该装置包括：薄膜晶体管，形成为具有第一电极和第二电极，第二电极具有面向第一电极的第一部分、从第一部分突出并具有第一宽...
2007年5月30日
460
显示器及其制造方法　[申请号/专利号：200610140048]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种显示器，包括基板、形成在基板上的控制电极、形成在基板上具有相对于该控制电极彼此相对的相对侧的输入和输出电极、与输入和输出电极接触的半导体层、以及形成在控制电极与半导...
2007年6月13日
461
薄膜晶体管面板及其制造方法　[申请号/专利号：200610140028]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝...
2007年6月6日
462
液晶显示器基板的制造　[申请号/专利号：200610139943]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
用于制造ＬＣＤ基板的方法和装置，包括：在底部基板上形成像素开关元件的栅电极；在所述底部基板上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成所述开关元件的源电极和漏电极；在所述底...
2007年4月11日
463
非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术　[申请号/专利号：200610139876]
申请人/专利权人：香港科技大学
本发明讲述的是通过非晶硅金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现...
2007年10月31日
464
TFT基板及其制造方法以及用于制造TFT基板的掩模　[申请号/专利号：200610139729]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种薄膜晶体管基板，制造该薄膜晶体管基板的方法，以及用于制造薄膜晶体管基板的掩模，其中，使薄膜晶体管（ＴＦＴ）的源电极和漏电极之间的电子移动面积最小，增大电...
2007年8月8日
465
主动组件阵列基板的制造方法　[申请号/专利号：200610139376]
申请人/专利权人：广辉电子股份有限公司
一种主动组件阵列基板的制造方法，其包括下列步骤：首先，提供一基板与一多重穿透式掩膜。然后，于基板上依序形成栅极、栅绝缘层、沟道层材料层、金属材料层与光刻胶层。接着，通过...
2007年2月28日
466
显示装置的制造方法　[申请号/专利号：200610139342]
申请人/专利权人：株式会社日立显示器
本发明提供一种显示装置的制造方法，减低因在硅膜的模拟单晶化中产生的凝聚而引起的显示装置的成品率降低。该显示装置的制造方法的特征在于，包括：半导体膜改性步骤，对第１状态的...
2007年4月4日
467
制造显示面板的设备和方法　[申请号/专利号：200610139300]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种用于制造显示面板的包括安放部分的设备，在该安放部分中设置了未完成的显示面板。该设备具有：至少一个透光部分；模，设置在安放部分上，并包括至少一个定位键和图...
2007年11月14日
468
显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610138902]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的有机半导体层；源极；和漏极，其中所述源极和所述漏极夹置于所述绝缘基板和所述有机半...
2007年3月28日
469
有机薄膜晶体管阵列面板　[申请号/专利号：200610138293]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基板、形成在基板上的数据线、连接至数据线的源电极、包括与源电极相对的一部分的漏电极、具有露出源电极和漏电极的部分的开口的隔离...
2007年6月20日
470
一种TFT阵列结构及其制造方法　[申请号/专利号：200610138045]
申请人/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
本发明公开了一种ＴＦＴ阵列结构，包括：基板；栅线和一体的栅电极，形成在基板上，并依次覆盖有栅绝缘层、半导体层；一阻挡层，形成在半导体层上并露出两侧的部分半导体层；绝缘层...
2007年7月25日
471
一种薄膜晶体管沟道结构及其形成方法　[申请号/专利号：200610138044]
申请人/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
本发明公开了一种薄膜晶体管沟道结构，包括：基板、栅线、薄膜晶体管、数据线及像素电极，其中所述薄膜晶体管的沟道边缘轮廓呈曲线变化。曲度的变化次数为Ｍ，Ｍ≥１，曲度变化范围...
2007年7月25日
472
制造GOI半导体结构的方法及使用这些方法制造的半导体结构　[申请号/专利号：200610137543]
申请人/专利权人：国际商业机器公司
一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转...
2007年5月2日
473
薄膜晶体管结构及液晶显示器用基板制备方法　[申请号/专利号：200610136386]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
本发明有关于薄膜晶体管结构及液晶显示器用基板制备方法。方法步骤包括：（ａ）提供一基板；（ｂ）形成一具有多个凹槽的透光层于基板表面；（ｃ）形成一第一阻障层于凹槽表面；（ｄ...
2007年3月21日
474
阵列基板及其制造方法、包括其的液晶显示器设备　[申请号/专利号：200610136258]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和包括该阵列基板的液晶显示区设备。所述阵列基板包括基板、电极垫、绝缘层和透明电极。基板包括显示区和与显示区相邻的周边区。电极垫在周边...
2007年4月25日
475
薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法　[申请号/专利号：200610136251]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种薄膜晶体管ＴＦＴ基板，包括：塑料绝缘基板；形成于所述塑料绝缘基板的一个表面上的具有第一折射率的第一氮化硅层；以及ＴＦＴ，其包括形成于所述第一氮化硅层上的具有小于所述...
2007年4月25日
476
显示装置以及制造该显示装置的方法　[申请号/专利号：200610132298]
申请人/专利权人：索尼株式会社
一种显示装置，该显示装置包括多个以矩阵形式位于基板上的单位像素，各个单位像素在不同于像素中心的位置具有薄膜晶体管，且设置第一行中的单位像素和与第一行相邻的第二行中的单位...
2007年2月21日
477
具有薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610132028]
申请人/专利权人：NEC液晶技术株式会社
一种ＬＣＤ器件，防止透明导电层的腐蚀和接触电阻增加，而不出现由于互联层厚度增加导致的台阶覆盖退化、由于形成底切部分导致的台阶覆盖退化、和生产率下降及制造成本增加。包括图...
2007年4月25日
478
有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法　[申请号/专利号：200610131728]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法，该阵列面板包含基板、置于基板上的第一信号线、与第一信号线交叉的第二信号线、连接到第一信号线的源电极、与源电极分离的漏...
2007年4月11日
479
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610128855]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无...
2007年3月7日
480
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法　[申请号/专利号：200610128565]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供一种薄膜晶体管（“ＴＦＴ”）阵列面板。ＴＦＴ阵列面板包括绝缘基板、形成在绝缘基板上并包括栅电极的栅线、与栅线绝缘并交叉且包括源电极的数据线、在栅线上与源电极相...
2007年1月24日
481
半导体器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610128501]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
一直以来在一个衬底上制造一种配置具有空间的微结构、用于控制该微结构的电路以及其他结构的半导体器件是困难的。本发明通过用这样的方式能够在半导体器件中提供微结构和用于控制该...
2007年1月24日
482
显示装置及其制造方法　[申请号/专利号：200610127090]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到薄膜晶体管；有机层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机层上；导电层，形成...
2007年4月11日
483
多晶薄膜的制造方法和掩模图案及显示装置的制造方法　[申请号/专利号：200610121417]
申请人/专利权人：三星SDI株式会社
本发明公开了一种用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法、在该方法中使用的掩模以及利用该用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法制造平板显示装置的方法。一些实施例能够提供这样的显示...
2007年1月17日
484
显示装置的阵列基板　[申请号/专利号：200610121249]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及一种通过降低接触电阻并消除底切而显示出提高了的显示质量的ＬＣＤ显示装置的基板。显示开关器件具有三个电极，它们中的至少一个具有三个金属层，第三金属层通过氮化第二...
2007年1月24日
485
有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法　[申请号/专利号：200610115554]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅...
2007年2月21日
486
源极/漏极电极、薄膜晶体管衬底及其制备方法和显示器件　[申请号/专利号：200610114892]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极／漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极／漏极电极。所述的源极／漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合...
2007年2月21日
487
源极/漏极电极、晶体管衬底及其制造方法和显示装置　[申请号/专利号：200610114890]
申请人/专利权人：株式会社神户制钢所
在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极／漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极／漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含０．１－６原子％的镍作为合金元素，并且直接...
2007年2月21日
488
薄膜导体及其制造方法　[申请号/专利号：200610112109]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管（ＴＦＴ）面板，以及一种制造ＴＦＴ面板的方法。该薄膜导体包括：...
2007年2月14日
489
半导体器件　[申请号/专利号：200610110697]
申请人/专利权人：株式会社日立制作所、日立原町电子工业株式会社
本发明提供一种形成元件的基片的弯曲量较小，且具有可靠性较高的介质隔离结构的半导体器件。本发明的半导体器件，具有形成于硅绝缘体（ＳＯＩ－Ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｏｎ　　Ｉｎｓｕ...
2007年4月4日
490
电光装置的制造方法　[申请号/专利号：200610110628]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明的目的在于提供一种可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。在ＴＦＴ阵列基板１０上，在基底绝缘膜５２０上形成蚀刻停止层５５０，在...
2007年2月7日
491
薄膜晶体管衬底及其制造方法　[申请号/专利号：200610110142]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
薄膜晶体管衬底及其制造方法。衬底包括第一和第二导电型金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管。第一导电型ＭＯＳ晶体管包括形成在阻挡层上具有与沟道两边相邻的第一导电型低浓度掺杂区...
2007年2月14日
492
布线结构、布线制造方法、薄膜晶体管基板及其制造方法　[申请号/专利号：200610109260]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）基板、以及一种该ＴＦＴ基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在...
2007年2月21日
493
薄膜晶体管基板及其制造　[申请号/专利号：200610109256]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板，该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区／漏区；栅极绝缘层和导体层，其位于基板上，图样化导...
2007年2月21日
494
2008年1月30日
495
有源元件基板及其形成方法　[申请号/专利号：200610109001]
申请人/专利权人：友达光电股份有限公司
一种有源元件基板的形成方法，包括：提供基板，具有：半导体层，该半导体层具有源极掺杂区、通道区和漏极掺杂区；栅极绝缘层，位于该半导体层之上；和栅极，位于该栅极绝缘层之上，...
2007年1月3日
496
阵列基板及其制造方法以及含有该基板的液晶显示装置　[申请号/专利号：200610108175]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种阵列基板，其包括开关元件、像素电极和绝缘层。所述开关元件形成在基板的显示区域中。所述绝缘层形成在其上形成有开关元件的基板上。所述绝缘层包括多个反射颗粒，...
2007年4月25日
497
薄膜晶体管基板及其制备方法　[申请号/专利号：200610108116]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明涉及薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；源极和漏极，它们形成在绝缘基板上并且彼此分离，并且在它们之间具有沟道区；壁，所述壁分别暴露至少部分源极和漏极，环绕沟道区和由含...
2007年1月31日
498
布线基板及制法、电光学装置及制法、电子设备及制法　[申请号/专利号：200610106428]
申请人/专利权人：精工爱普生株式会社
本发明提供一种布线基板，其具备：基板（１０１）、形成于基板（１０１）上的第一布线（１０２）、第二布线（１０３）、形成于第一布线（１０２）与第二布线（１０３）之间并包含绝...
2007年1月31日
499
平板显示器及其制备方法　[申请号/专利号：200610106394]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形...
2007年1月17日
500
集成电路器件及制造集成电路器件的方法　[申请号/专利号：200610106032]
申请人/专利权人：株式会社半导体能源研究所
本发明的一个目的在于提供一种薄膜电路部分的结构和制造薄膜电路部分的方法，通过该方法可以在薄膜电路下方容易地形成用于连接外部部分的电极。形成一种叠置体，该叠置体包括第一绝...
2006年12月20日
 

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