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钱眼专利首页 > 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器 的专利共 57 条
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1
基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件　[申请号/专利号：200810056429]
申请人/专利权人：清华大学
本发明公开了属于光电子器件技术领域的一种基于ＦＰ激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件，具体地说是一种利用ＦＰ激光器双纵模注入锁定产生高频微波的单片光子集成器件，在同...
2008年8月6日
2
以H*Te为碲源的Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe量子点的制备方法　[申请号/专利号：200810034121]
申请人/专利权人：上海大学
本发明涉及一种以Ｈ↓［２］Ｔｅ气体为碲源的Ⅱ－Ⅵ族半导体ＣｄＴｅ量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以Ｈ↓［２］Ｔｅ气体为碲源，...
2008年8月20日
3
悬臂梁式波长可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法　[申请号/专利号：200710175248]
申请人/专利权人：北京工业大学
悬臂梁式波长可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。ＷＤＭ系统中激光器不能实现更多波长选择。该结构包括正电极层（１）、上分布反馈布拉格反射镜（２...
2008年2月27日
4
一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法　[申请号/专利号：200510011897]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明属于半导体光电器件（尤其激光器）制作技术领域，特别是一种适合于大批量生产的激光器ＣＯＤ消除方法，涉及到一种光非吸收窗口的制作工艺技术，该工艺源于锌杂质扩散诱导量子...
2006年12月13日
5
反波导大光学腔半导体激光器　[申请号/专利号：200710153823]
申请人/专利权人：长春理工大学
反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，从而提高输出功率，同时使器件的阈值电流保持...
2008年4月9日
6
漏斗结构垂直外腔面发射激光器　[申请号/专利号：200510023032]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
公开了一种表面发射激光装置。第一衬底设置在第一电极层和第一反射层之间。有源区设置在第一反射层和第二反射层之间。电流阻挡层设置在有源区上以形成孔。第一半导体层可以设置在第...
2006年6月7日
7
选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法　[申请号/专利号：200510004571]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤２：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子...
2006年3月22日
8
半导体激光器及电子设备　[申请号/专利号：200710181143]
申请人/专利权人：夏普株式会社
本发明涉及在半导体衬底上依次形成下侧包层、活性层、上侧包层的半导体激光器及应用这种半导体激光器的电子设备。本发明的一种实施方式的半导体激光器，在半导体衬底上依次形成有第...
2008年4月23日
9
刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器　[申请号/专利号：200720095047]
申请人/专利权人：河北工业大学
本实用新型涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜...
10
半导体发射器件及其制造方法　[申请号/专利号：200710005377]
申请人/专利权人：三星电机株式会社
本发明提供一种具有纳米图案的半导体发射器件以及制造该半导体发射器件的方法。该半导体发射器件包括：半导体层，包括多个纳米图案，其中所述纳米图案形成在所述半导体层内；以及有...
2007年8月22日
11
半导体激光装置　[申请号/专利号：03131311]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明提供一种能减少大电流时光输出功率的降低、斜率效率高的、跟传统半导体激光器相比近场图样变化不大的半导体激光器，其中设有：在ｐ－ＩｎＰ衬底１２上设置的ｐ－ＩｎＰ包层１...
2004年3月24日
12
一种波长连续可调的半导体激光器及其制备方法　[申请号/专利号：03114725]
申请人/专利权人：复旦大学
本发明属光子学材料技术领域，具体为一种波长连续可调的量子点半导体激光器及其制备方法。它通过聚焦离子束溅射制备自组织量子点列阵的方法，在半导体表面形成量子点尺寸沿一维方向...
2003年6月18日
13
量子阱混合超辐射发光管及其制作方法　[申请号/专利号：03111555]
申请人/专利权人：吉林大学
本发明涉及一种应用量子阱混合技术制作的超辐射发光器件及该发光器件的制作方法。超辐射发光器件顺次由下电极、ｎ－ＩｎＰ衬底、ｎ－ＩｎＰ缓冲层、ｎ－ＩｎＧａＡｓＰ分别限制层、...
2003年10月22日
14
半导体激光元件及其制造方法　[申请号/专利号：200610153128]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
一种半导体激光元件，包括：第１导电型的半导体基板（１）；第１导电型的包覆层（３），设置在半导体基板上；活性层（４），设置在第１导电型的包覆层上；第２导电型的第１包覆层（...
2007年6月13日
15
利用半导体衬底中的激光器和布拉格光栅进行可调波长转换的方法和装置　[申请号/专利号：03813770]
申请人/专利权人：英特尔公司
本文中公开了利用设置在半导体衬底（１０７）中的布拉格光栅（１１５）和增益媒质（１１３）来进行可调波长转换的方法和装置的实施例。在一个实施例中，可以将对应于第一波长（λ↓...
2005年8月24日
16
半导体二极管激光光谱仪设备及方法　[申请号/专利号：03813259]
申请人/专利权人：卡斯卡德技术有限公司、埃尔万·诺曼德
一种使用半导体二极管激光光谱仪检测气体的方法和设备，所述方法包括：将采样气体引入非共振光学单元（１７）内；向半导体二极管激光器（２０）施加阶跃函数的电脉冲（１９），使激...
2005年8月24日
17
用于延伸波长工作的量子点的制作方法　[申请号/专利号：03811872]
申请人/专利权人：帝国学院创新有限公司
借助于形成被具有延伸通过其中的应变区域的间隔层覆盖的第一层量子点，提供了一种形成组合有半导体量子点的光电子器件有源区的方法，此量子点在大致２９３Ｋ的温度下，在超过１３５...
2005年8月17日
18
制备光学器件的方法及相关改进　[申请号/专利号：02818083]
申请人/专利权人：因腾斯有限公司
公开了一种使用杂质诱导的量子势阱混合（ＱＷ１）工艺制备光学器件的改进方法。已报道的ＱＷＩ方法，特别是无杂质空穴扩散（ＩＦＶＤ）方法，存在许多的缺点，例如在某温度下砷化镓...
2004年12月15日
19
准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器　[申请号/专利号：200410050003]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，...
2005年12月28日
20
半导体激光器及其制造方法　[申请号/专利号：200410081941]
申请人/专利权人：夏普株式会社
一种半导体激光器，其包括具有层合结构的脊形条纹区域（１５０）和第一与第二条纹侧区域。半导体基板上的脊形条纹区域（１５０）具备下包覆层、活性层和上包覆层。第一条纹侧区域配...
2005年7月20日
21
一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔的制备方法　[申请号/专利号：200410084778]
申请人/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法，光学微腔包括：衬底，与衬底牢固结合的光学微腔，嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成，其...
2005年7月13日
22
一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法　[申请号/专利号：200410009859]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法...
2006年5月31日
23
纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件　[申请号/专利号：200710008259]
申请人/专利权人：加利福尼亚大学董事会
一纳米结构具有小于约２００ｎｍ的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶...
2007年8月1日
24
半导体光子器件中的量子阱混合　[申请号/专利号：200380105191]
申请人/专利权人：英坦斯有限公司
一种用于在半导体结构中制造半导体器件的方法，提供了在期望的器件区域中的增强的量子阱混合，包括步骤：在衬底上形成质量相对高的第一外延层，该高质量层包括量子阱；在所述高质量...
2006年1月11日
25
具有在掺杂中周期性变化所形成的光栅的量子级联激光器　[申请号/专利号：200610067676]
申请人/专利权人：阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
可以通过在掺杂级中引入周期性变化来制作用于量子级联激光器和中红外波长垂直空腔表面发射激光器的掺杂衍射光栅，所述掺杂级导致周期性的折射率变化。典型情况下，通过使用ｎ型掺杂...
2006年12月6日
26
一种微腔量子级联激光器的制作工艺　[申请号/专利号：200510073773]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；（Ｂ）然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；（Ｃ）沉积电...
2006年11月29日
27
半导体发光元件　[申请号/专利号：200510064010]
申请人/专利权人：株式会社东芝
提供一种半导体发光元件，包括：形成于结晶衬底上的第１导电型的第１覆盖层；形成于第１覆盖层上的有源层；形成于有源层上、防止杂质扩散到有源层中的防扩散层；形成于防扩散层上、...
2005年10月12日
28
具有集成的半导体激光源和集成的光隔离器的光器件　[申请号/专利号：200610101773]
申请人/专利权人：阿尔卡特公司
本发明的领域是包括集成的半导体激光器和集成的光隔离器的光器件的领域。这些器件主要用在数字通信领域。更特别地，本发明应用于所谓的吸收隔离器，其复数折射率是不可逆的并且依赖...
2007年1月31日
29
半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构　[申请号/专利号：200610064882]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种半导体量子点／量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带...
2007年9月19日
30
一种ZnO基发光二极管及其制备方法　[申请号/专利号：200610154474]
申请人/专利权人：浙江大学
本发明涉及ＺｎＯ基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层、ｎ型ＺｎＯ接触层、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、多层Ｚｎ↓［１...
2007年4月11日
31
一种超短腔半导体激光器及其制备方法　[申请号/专利号：200610044193]
申请人/专利权人：中微光电子(潍坊)有限公司
一种超短腔半导体激光器，包括用ＭＯＣＶＤ系统依次在Ｎ型（１００）磷化铟衬底顶面上生长Ｎ型磷化铟下过渡层、Ｎ型选择性腐蚀牺牲层、Ｎ型磷化铟上过渡层、Ｎ型磷化铟限制层、量子...
2006年11月15日
32
一种ZnO基发光二极管　[申请号/专利号：200620139640]
申请人/专利权人：浙江大学
本实用新型公开的ＺｎＯ基发光二极管在衬底上自下而上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层、ｎ型ＺｎＯ接触层、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和Ｚ...
33
雪崩量子子能带间跃迁半导体激光器　[申请号/专利号：200610126360]
申请人/专利权人：韩国电子通信研究院
本发明公开了雪崩量子子能带间跃迁半导体激光器。该激光器包括：在半导体衬底上形成的第一覆盖层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二覆盖层，其中有源区由单位单元结构的多个叠...
2007年2月28日
34
多波长半导体激光器器件　[申请号/专利号：200610100361]
申请人/专利权人：松下电器产业株式会社
本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳ＦＦＰ的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便...
2007年3月28日
35
制作半导体微盘激光器的方法　[申请号/专利号：200610011924]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
本发明一种制作半导体微盘激光器的方法，包括如下步骤：（１）在清洗干净的结构片表面涂上光刻胶；（２）通过光刻和显影技术，将所需的图形转移到光刻胶上；（３）通过非选择性湿法...
2007年11月21日
36
集成有调制器的半导体激光器件　[申请号/专利号：200610005187]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种集成有调制器的半导体激光器件。在该集成有调制器的半导体激光器件中，在衬底上形成下ＤＢＲ（分布式布拉格反射器）层，有源层形成于下ＤＢＲ层上并包括交替的多个势垒层...
2006年8月23日
37
有机注入式激光器　[申请号/专利号：200580043881]
申请人/专利权人：普林斯顿大学理事会
一种单极有机注入式激光器，在该激光器中电受激带内跃迁导致激光产生。有源区（１４０）包括至少一个有机注入极层（１４４）和至少一个有机发射极层（１４２）。在由导带和价带所限...
2007年12月12日
38
半导体激光器件　[申请号/专利号：02119180]
申请人/专利权人：三菱电机株式会社
本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构...
2003年1月22日
39
在解理面上制作半导体纳米结构的方法　[申请号/专利号：200410069295]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所
一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤１：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤２：对生长的外延材料进行解理...
2006年1月25日
40
用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法　[申请号/专利号：200410088915]
申请人/专利权人：中国科学院半导体研究所、北京交通大学
一种用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：步骤１：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、ｎ－型调制掺杂多量子阱有源区、上限制层以及盖层；步骤２：在盖层...
2006年5月17日
41
具有可调能带带隙的半导体装置　[申请号/专利号：200580037002]
申请人/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料（３０７）中的纳米线（３０６），当适当地处理例如锆钛酸铅ＰＺＴ、氮化铝...
2007年10月3日
42
包括多个光学有源区的半导体激光器　[申请号/专利号：02805119]
申请人/专利权人：格拉斯哥大学理事会
本发明公开了一种改进的半导体激光器件（１０），并且特别是一种具有单叶远场图案的大面积半导体激光器。已知的大面积激光器使用于高功率应用，但存在诸如丝化现象、横模不稳、以及...
2004年9月8日
43
制造光学器件的方法以及相关的改进　[申请号/专利号：02804022]
申请人/专利权人：格拉斯哥大学理事会
本发明公开了一种制造光学器件（例如，半导体光电器件，如激光二极管、光调制器、光放大器、光开关等）的方法。本发明还公开了一种包括此类器件的光电集成电路（ＯＥＩＣ）和光子集...
2004年4月7日
44
光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610115026]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构（１）和至少一个用于量子阱结构（１１）的光抽运的抽运辐射源（２０），而抽运辐射源（...
2007年1月31日
45
光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法　[申请号/专利号：200610115025]
申请人/专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，这种器件具有至少一个产生辐射的量子阱结构（１）和至少一个用于量子阱结构（１１）的光抽运的抽运辐射源（２０），而抽运辐射源（...
2007年1月31日
46
激光泵浦单元及具有其的具有隧道结的高功率激光器件　[申请号/专利号：200510084872]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
提供了一种激光泵浦单元以及具有该单元的高功率垂直外腔面发射激光（ＶＥＣＳＥＬ）器件。通过利用隧道结，激光泵浦单元在横向容易地扩散电流。该激光泵浦单元包括：衬底、在衬底上...
2006年4月19日
47
外腔多波长激光系统　[申请号/专利号：200510077804]
申请人/专利权人：三星电子株式会社
控制外腔表面发射激光器的多层增益构件中的量子阱的数量和类型可以提供一种以上相干光波长的光的输出。多层镜式构件中的层数和类型可以提供一种双波长反射器。...
2005年12月21日
48
量子点制作方法　[申请号/专利号：200510033325]
申请人/专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司、鸿海精密工业股份有限公司
本发明涉及一种量子点制作方法。该量子点制作方法包括以下步骤：首先，在一具有单晶结构的基底上形成一具有非晶结构的绝缘层；然后，在上述绝缘层上形成多个孔洞结构，以暴露出基底...
2006年8月30日
49
制备光学器件的方法及相关改进　[申请号/专利号：200610091225]
申请人/专利权人：因腾斯有限公司
公开了一种使用杂质诱导的量子势阱混合（ＱＷＩ）工艺制备光学器件的改进方法。已报道的ＱＷＩ方法，特别是无杂质空穴扩散（ＩＦＶＤ）方法，存在许多的缺点，例如在某温度下砷化镓...
2006年11月29日
50
铁电光学超晶格集成单电极控制极化的制备方法　[申请号/专利号：200610096783]
申请人/专利权人：南京大学
铁电光学超晶格集成单电极控制极化的制备方法，极化时通过外加脉冲电场使铁电畴反转，需要两面电极，＋Ｃ面用于提供极化电压，－Ｃ面接地。其中至少有一面电极有图案，这面电极采用...
2007年5月30日
 

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