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| 本实用新型公开的ＺｎＯ基发光二极管在衬底上自下而上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层、ｎ型ＺｎＯ接触层、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和ＺｎＯ交替沉积形成的多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层、ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、ｐ型ＺｎＯ接触层和由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ交替沉积形成的多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层，第一电极并列于ｎ型ＺｎＭｇＯ层沉积在ｎ型ＺｎＯ接触层上，第二电极并列于多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层沉积在ｐ型ＺｎＯ接触层上。该ＺｎＯ基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，可以有效地提高ＬＥＤ的发光效率。 |
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一种ZnO基发光二极管
一种ＺｎＯ基发光二极管，其特征是在衬底（１）上自下而上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层（２）、ｎ型ＺｎＯ接触层（３）、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层（４）、由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和ＺｎＯ交替沉积形成的多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层（５）、ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层（６）、ｐ型ＺｎＯ接触层（７）和由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ交替沉积形成的多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层（８），第一电极（９）并列于ｎ型ＺｎＭｇＯ层（４）沉积在ｎ型ＺｎＯ接触层（３）上，第二电极（１０）并列于多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层（８）沉积在ｐ型ＺｎＯ接触层（７）上，其中多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层的Ｘ值为０＜Ｘ＜０．４，多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层的Ｘ值为０～０．４，Ｙ值为０～０．４，且Ｘ值与Ｙ值不相同，ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层的Ｘ值为０＜Ｘ＜０．２，ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层的Ｘ值为０＜Ｘ＜０．２。
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