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专利号:02129536
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去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒

本发明涉及一种去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒。该方法包括:分别将薄膜样品与抛光棒用丙酮、酒精进行超声清洗,然后将抛光棒垂直压在薄膜表面上,确保抛光面紧密、均匀的与薄膜表面接触,迅速移动抛光棒,将颗粒消除。重复次数越多,消除颗粒的效果越明显。为了确保薄膜的性能不变,将表面处理后的薄膜进行后退火处理,其条件可根据该膜制备时的工艺条件而改变。专用抛光棒包括手柄,一具有柔软的材料制作的表面光滑的底座,该底座垂直固定在手柄末端,底座的底面为抛光面。该方法工艺简单,重复性好,造价低廉,处理后的薄膜样品表面颗粒明显减少,性能保持不变,甚至更好。为制备出性能优良的微波器件打下良好的基础。

去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒

一种去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法,其特征在于包括以下步骤: 第一步:取制备好的氧化物薄膜,首先用酒精进行超声清洗10~30分钟,直至样品表面清洁为止; 第二步:用一根本发明的专用抛光棒,将该抛光棒的抛光面分别用丙酮、酒精超声清洗10~30分钟,直至抛光面表面清洁为止; 第三步:将抛光棒的底面垂直压在薄膜表面上,确保抛光面紧密、均匀地与薄膜样品表面接触,迅速在薄膜表面上移动抛光棒,并重复二次以上,达到减少或去除氧化物薄膜表面中的颗粒。
 


  
专利号: 02129536
申请日: 2002年9月12日
公开/公告日: 2004年3月17日
授权公告日: 2005年11月9日
申请人/专利权人: 中国科学院物理研究所
国家/省市: 北京(11)
邮编: 100080
发明/设计人: 何萌、周岳亮、谈国太、陈正豪、吕惠宾、杨国桢
代理人: 王凤华
专利代理机构: 机械工业部知识产权事务中心(11006)
专利代理机构地址: 北京市阜城门外百万庄南里1号(100037)
专利类型: 发明
公开号: 1482625
公告日:
授权日: 20
公告号: 1226754
优先权:
审批历史:
附图数: 3
页数: 5
权利要求项数: 2
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