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制造氧化物超导薄膜的方法
本发明提供了一种制造氧化物超导膜的方法，通过使用激光沉积法而在基质上形成，该方法包括用激光束辐照靶，并因而使从靶中散发的物质沉积在包括单晶基质的基质上，其中将用于靶辐照的激光束的频率分成至少二步。以致可制造出具有高临界电流密度的氧化物超导膜。

制造氧化物超导薄膜的方法

一种根据脉冲激光沉积法，因用激光束辐照使从原材料散发的物质沉积在单晶物质上，而在单晶基质上制造氧化物超导膜的方法，其中原材料的辐照，其实施方式是要使激光束的脉冲辐照重复频率分成至少二步。
 
　　
专利号: 03809275
申请日: 2003年4月17日
公开/公告日: 2005年8月3日
授权公告日:
申请人/专利权人: 住友电气工业株式会社
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 母仓修司、大松一也
代理人: 范明娥 巫肖南
专利代理机构: 柳沈知识产权律师事务所(11105)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区北辰东路8号汇宾大厦A0601(100101)
专利类型: 发明
公开号: 1649794
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2002年4月26日125380/2002
审批历史:
附图数: 2
页数: 6
权利要求项数: 2
国际公布号: WO2003/091157
国际公布日: 2003年11月6日
国际公布语言: 日
国际申请号: PCT/JP2003/004932
国际申请日: 2003年4月17日
进入国家阶段日: 2004年10月25日
PCT:
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
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