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| 本发明涉及一个集成电路放大器，该放大器被设计为在１到几ＧＨｚ频段内提供几百毫瓦功率的放大信号。该放大器的末级包括两个以差分模式接收待放大信号的信号放大输入端（Ｅ和Ｅ′）和四个具有相同传导类型的主晶体管，每个主晶体管有一个基极、一个发射极和一个集电极，该四个主晶体管包括一个以共发射极配置的方式安装的第一晶体管或输出晶体管（Ｑ１），其集电极与集成电路的输出端Ｓ相连，以电压跟随配置的方式安装在端点Ｅ和输出晶体管（Ｑ１）基极之间的第二个晶体管（Ｑ２），以共发射极配置的方式安装的第三晶体管（Ｑ３），其集电极与输出晶体管（Ｑ１）的基极相连，以电压跟随配置的方式安装的晶体管（Ｑ４），其基极与端点Ｅ′相连，其发射极与第三晶体管（Ｑ３）的基极相连，该集成电路还包括与第一晶体管（Ｑ１）的基极相连的第一电流源（Ｍ２）和与第三晶体管（Ｑ３）的基极相连的第二电流源（Ｍ４）。 |
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集成电路中的高频放大器
一种集成电路，包括一个放大器，该放大器的末级包括两个以差分模式接收待放大信号的信号放大输入端Ｅ和Ｅ′；和四个相同传导类型的主晶体管，每个主晶体管有一个基极、一个发射极和一个集电极，其中该四个主晶体管包括一个以共发射极配置的方式安装的第一晶体管或输出晶体管（Ｑ１），其集电极与该集成电路的一个输出端（Ｓ）相连，一个以电压跟随配置的方式安装在端点Ｅ和输出晶体管（Ｑ１）的基极之间的第二晶体管（Ｑ２），一个以共发射极配置的方式安装的第三晶体管（Ｑ３），其集电极与输出晶体管（Ｑ１）的基极相连，一个以电压跟随配置的方式安装的第四晶体管（Ｑ４），其基极与端点Ｅ′相连，其发射极与第三晶体管（Ｑ３）的基极相连，该集成电路还包括与第一晶体管（Ｑ１）的基极相连的第一电流源（Ｍ２）以及与第三晶体管（Ｑ３）的基极相连的第二电流源（Ｍ４）。
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