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| 本发明涉及一种半导体存储器器件，其具有使用户可以改变半导体存储器器件的页长的结构。本发明还涉及用于改变半导体存储器器件的页长的电路和方法，其使得能够选择性地激活存储单元阵列的存储单元阵列块的一个或多个对应的字线（具有相同的行地址），从而按照指定的操作模式来改变页长。 |
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用于改变在半导体存储器器件中的页长的电路和方法
一种半导体存储器器件，包括： 存储器单元阵列，它被逻辑地划分为多个存储块，其中，可以通过对应的块地址来寻址每个存储块； 多个字线控制电路，其中，每个字线控制电路与用于激活相关联的存储块的字线的存储块之一相关联； 控制电路，用于选择性地控制字线控制电路以激活具有相同的行地址的一个或多个对应的字线以便改变半导体存储器器件的页长。
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