发明名称  全文 
   
 
专利号:200420068277
  [主 附 图]
  [公开说明书]
  [授权说明书]
 
  钱眼网首页
  钱眼专利首页
  发送留言
  收藏这个专利
 
   
   
   

 
 



 

双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备

本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换,将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子束在淀积前对靶材或衬底材料进行原位轰击,实现表面材料的原子级清洗;或者轰击正在淀积的薄膜,原位改善薄膜的机械特性和电特性。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜,实现了不同薄膜层间的原子键合,使得膜层具有了粘附性牢、均匀性和致密性好、极小内应力的优点,大大地提高了薄膜的性能。

双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备

一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备,由真空室、主离子源、辅助离子源、淀积靶、旋转工件台、电子中和器、挡板、复合真空系统和机架组成,其特征在于:所述真空室是卧式或立式圆筒形,安装于机架上方,并与机架下方的复合真空系统相连接;所述主离子源有两个,对称放置于真空室中心垂直轴线两边与真空室水平轴线成34°~38°夹角的斜面上,且主离子源中心轴线与真空室水平轴线成52°~56°夹角;所述淀积靶有两个,对称分布于主离子源中心轴线与真空室水平轴线相交处;所述旋转工件台位于两个淀积靶中心连线的垂直平分线的上方,旋转工件台的下方安装有可通过位于真空室外的手柄调节的挡板;所述辅助离子源安装在真空室的后方正中下部,其中心轴线与真空室中心垂直轴线成40°夹角;所述电子中和器有三个,其中两个位于两个主离子源的下方,另一个位于辅助离子源的上方。
 


  
专利号: 200420068277
申请日: 2004年7月28日
公开/公告日:
授权公告日: 2005年10月19日
申请人/专利权人: 雷卫武
国家/省市: 湖南(43)
邮编: 410002
发明/设计人: 雷卫武
代理人:
专利代理机构: ()
专利代理机构地址: ()
专利类型: 发明
公开号: 0000000
公告日: 2005年10月19日
授权日: 20
公告号: 2734774
优先权:
审批历史:
附图数: 1
页数: 5
权利要求项数: 2
 请进入中国专利检索数据库核实 

对该专利感兴趣:

姓名

电话/邮箱(不显示)

 
关于钱眼 | 服务指南 | 欢迎合作 | 联系我们 | 免责声明
将钱眼设为首页 | 将钱眼推荐给朋友
技术支持:钱眼网 Copyright ©2026 Qianyan.biz All rights reserved. | 网络实名:钱眼
E_Mail:qianyan.biz@hotmail.com QQ:532008814