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专利号:200480005515
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电介质阻挡层膜

依照本发明,提出一种电介质阻挡层。依照本发明的阻挡层包含用脉冲-DC、衬底偏压的物理气相沉积法沉积在衬底上的致密化的无定形电介质层,其中致密化的无定形电介质层是阻挡层。依照本发明的形成阻挡层的方法包括提供衬底,并用脉冲-DC、偏压、宽靶物理气相沉积方法在衬底上沉积高度致密的、无定形的、电介质材料。而且,该方可以包括在衬底上进行软金属透气处理。这样的阻挡层可以用作电学层、光学层、免疫学层或摩擦层。

电介质阻挡层膜

一种电介质层,该层包含:    以脉冲-DC、衬底偏压的物理气相沉积法沉积在衬底上的致密化的无定形电介质层,    其中致密化的无定形电介质层是阻挡层。
 


  
专利号: 200480005515
申请日: 2004年2月26日
公开/公告日: 2006年4月5日
授权公告日:
申请人/专利权人: 希莫菲克斯公司
国家/省市: 美国(US)
邮编:
发明/设计人: 穆昆丹·纳拉西姆汉、理查德·E·德马雷、彼得·布鲁克斯
代理人: 陈平
专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司(11021)
专利代理机构地址: 北京市海淀区海淀路80号中科大厦16层(100080)
专利类型: 发明
公开号: 1756856
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 美国2003年2月27日60/451,178美国2003年9月25日60/506,128
审批历史:
附图数: 20
页数: 36
权利要求项数: 3
国际公布号: WO2004/077519
国际公布日: 2004年9月10日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/US2004/005531
国际申请日: 2004年2月26日
进入国家阶段日: 2005年8月29日
PCT:
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