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专利号:200480006256
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铪合金靶及其制造方法

一种铪合金靶,其特征在于,Hf中含有总计100重量ppm-10重量%的Zr或Ti中的任一方或双方,并且平均结晶粒径为1-100μm;作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下;并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55%以上,并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20%以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。

铪合金靶及其制造方法

一种铪合金靶,其特征在于,Hf中包含总计100重量ppm-10重量%的Zr或Ti中的任一方或双方。
 


  
专利号: 200480006256
申请日: 2004年1月21日
公开/公告日: 2006年4月12日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社日矿材料
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 冈部岳夫、入间田修一、山越康广、宫下博仁、铃木了
代理人: 樊卫民 郭国清
专利代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区建国路99号中服大厦1300室(100020)
专利类型: 发明
公开号: 1759202
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2003年3月7日061084/2003
审批历史:
附图数: 0
页数: 14
权利要求项数: 2
国际公布号: WO2004/079039
国际公布日: 2004年9月16日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2004/000448
国际申请日: 2004年1月21日
进入国家阶段日: 2005年9月7日
PCT:
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