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专利号:200480010869
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氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法
本申请的发明涉及在成膜用基板上由等离子沉积形成以ＣｕＯ为主的氧化铜薄膜，并可显著低地控制其摩擦系数。

氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法

氧化铜薄膜低摩擦材料的成膜方法，其特征在于：在成膜用基板上，在真空减压下，由等离子沉积形成以ＣｕＯ为主的氧化铜薄膜。
 
　　
专利号: 200480010869
申请日: 2004年4月23日
公开/公告日: 2006年7月12日
授权公告日:
申请人/专利权人: 独立行政法人物质·材料研究机构
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 后藤真宏、笠原章、大石哲雄、土佐正弘、吉原一纮
代理人: 王健
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)
专利代理机构地址: 北京市阜成门外大街2号8层(100037)
专利类型: 发明
公开号: 1802449
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2003年4月24日120461/2003
审批历史:
附图数: 5
页数: 5
权利要求项数: 1
国际公布号: WO2004/094687
国际公布日: 2004年11月4日
国际公布语言: 日
国际申请号: PCT/JP2004/005902
国际申请日: 2004年4月23日
进入国家阶段日: 2005年10月24日
PCT:
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专利分类:·生活及医学 ·作业及运输 ·化学及冶金 ·纺织及造纸 ·建筑及采矿 ·机械及工程 ·物理及测量 ·电子及通讯
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