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专利号:200480014269
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薄膜的形成方法及其形成装置

本发明的薄膜形成方法具有光学特性调节工序,在控制用于保持基板的基板座(13)的运送速度的同时,在进行中间薄膜形成工序的区域和进行薄膜成分变换工序的区域之间反复运送上述基板座(13),调节最终形成的薄膜的膜成分,形成具有产生迟滞现象的区域内的光学特性值的薄膜。

薄膜的形成方法及其形成装置

一种薄膜形成方法,其特征在于,具有:    中间薄膜形成工序,对由一种或多种金属构成的靶进行溅射而在基板上形成由金属或金属不完全反应物构成的中间薄膜;    膜成分变换工序,使混入了具有化学惰性性质的惰性气体的反应性气体活性种与上述形成的中间薄膜接触,使上述中间薄膜和上述反应性气体活性种发生反应,从而变换成金属化合物;以及    光学特性调节工序,在控制用于保持上述基板的基板座的运送速度的同时,在进行上述中间薄膜形成工序的区域和进行上述薄膜成分变换工序的区域之间反复地运送上述基板座,从而反复地实施中间薄膜形成和膜成分变换,由此调节最终形成的薄膜的膜成分,形成具有出现迟滞现象的区域内的光学特性值的薄膜,其中所述迟滞现象是在增大和减小反应性气体的流量时,光学特性值相对于反应性气体流量的变化路径不同的现象。
 


  
专利号: 200480014269
申请日: 2004年6月2日
公开/公告日: 2006年6月28日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社新柯隆
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 宋亦周、樱井武
代理人: 黄纶伟
专利代理机构: 北京三友专利代理有限责任公司(11127)
专利代理机构地址: 北京市北三环中路40号(100088)
专利类型: 发明
公开号: 1795286
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2003年6月3日158253/2003
审批历史:
附图数: 7
页数: 18
权利要求项数: 2
国际公布号: WO2004/108981
国际公布日: 2004年12月16日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2004/007609
国际申请日: 2004年6月2日
进入国家阶段日: 2005年11月23日
PCT:
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