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专利号:200480014403
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薄膜形成装置和薄膜形成方法

本发明的薄膜形成装置(1)具有:把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元;以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。等离子体发生单元(61)构成为具有电介质壁(63)和涡状天线(65a、65b)。天线(65a、65b)相对于高频电源(69)并联连接,在与天线(65a、65b)的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。

薄膜形成装置和薄膜形成方法

一种薄膜形成装置,具有:真空容器、把反应性气体导入到该真空容器内的气体导入单元、以及在前述真空容器内产生前述反应性气体的等离子体的等离子体发生单元,其特征在于,    前述等离子体发生单元构成为,具有:设置在前述真空容器的外壁上的电介质壁,涡状的第1天线和第2天线,以及用于使前述第1天线和前述第2天线与高频电源连接的导线;    具有天线固定单元,将前述第1天线和前述第2天线固定在前述真空容器的外侧与前述电介质壁对应的位置上;    前述第1天线和前述第2天线相对于前述高频电源并联连接,在与第1天线和前述第2天线的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。
 


  
专利号: 200480014403
申请日: 2004年5月31日
公开/公告日: 2006年6月28日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社新柯隆
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 宋亦周、樱井武、村田尊则
代理人: 黄纶伟
专利代理机构: 北京三友专利代理有限责任公司(11127)
专利代理机构地址: 北京市北三环中路40号(100088)
专利类型: 发明
公开号: 1795287
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2003年6月2日PCT/JP03/06951
审批历史:
附图数: 7
页数: 20
权利要求项数: 3
国际公布号: WO2004/108980
国际公布日: 2004年12月16日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2004/007483
国际申请日: 2004年5月31日
进入国家阶段日: 2005年11月25日
PCT:
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