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| 提出了一种由金属靶沉积透明导电膜的方法。根据本发明实施方案形成透明导电氧化物膜的方法包括：用衬底偏压，由脉冲ＤＣ反应离子工艺沉积透明导电氧化物膜，并且控制至少一个工艺参数以影响导电氧化物膜的至少一种特性。得到的透明氧化物膜，其在某些实施方案中可以是铟－锡氧化物膜，可以根据工艺参数的改变而显示各种各样的材料性质。例如，改变工艺参数可以导致膜具有各种各样抵抗性质和膜的表面光滑度。 |
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透明导电氧化物
一种形成透明导电氧化物膜的方法，该方法包括： 用衬底偏压，由脉冲ＤＣ反应离子工艺沉积透明导电氧化物膜；和 控制至少一个工艺参数以提供导电氧化物膜的至少一种在一个特定值下的特性。
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