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专利号:200580000957
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成膜装置及其成膜方法

提供能够以更快的成膜速度形成具有良好特性的金属化合物膜,并且能够简单地、低成本地构成的溅射成膜装置。在真空室1内设置将基板3保持在外周而旋转的圆筒状的转鼓4、在转鼓4处于溅射位置时对被转鼓4保持的基板进行溅射处理的溅射设备6、7、和转鼓4处于反应位置时使反应气体等离子化并对基板3进行照射的等离子照射设备12,用电介质15覆盖面对通过等离子照射设备12使反应气体等离子化的区域11的真空室1的内面。

成膜装置及其成膜方法

一种成膜装置,具备:真空室;    设置在上述真空室内,将基板保持在外周而旋转的圆筒状的转鼓;    与上述转鼓的外周面对向设置,在对向位置的上述基板上形成薄膜的成膜设备;    与上述转鼓的外周面对向设置,使反应气体等离子化并照射到对向位置的上述基板上的等离子照射设备,    上述等离子照射设备产生等离子的区域的上述真空室的内面被电介质覆盖。
 


  
专利号: 200580000957
申请日: 2005年3月15日
公开/公告日: 2006年10月4日
授权公告日:
申请人/专利权人: 株式会社爱发科
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 铃木寿弘、森中泰三、松本昌弘、谷典明
代理人: 王健
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所(11038)
专利代理机构地址: 北京市阜成门外大街2号8层(100037)
专利类型: 发明
公开号: 1842612
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 日本2004年3月15日073173/2004
审批历史:
附图数: 3
页数: 10
权利要求项数: 2
国际公布号: WO2005/087973
国际公布日: 2005年9月22日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/JP2005/004511
国际申请日: 2005年3月15日
进入国家阶段日: 2006年3月21日
PCT:
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