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专利号:200580002299
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物理气相沉积靶构造

本发明包括一种具有溅射区域和凸缘区域的靶构造。所述凸缘区域具有在前表面的至少一部分上存在的保护层。本发明包括一种具有凸缘区域的溅射靶构造,其中所述凸缘区域的前表面具有平面部分。沟槽被设置在所述前表面内且所述前表面的倾斜部分相对于所述平面部分从所述沟槽横向向外地进行设置,所述倾斜部分相对于所述平面部分成一定角度。本发明包括一种具有设置在凸缘区域内的O形环沟槽的靶构造。所述O形环槽道具有底表面、孔口、从所述底表面延伸至所述孔口的第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁。所述槽道内的第一角的角度和第二角的角度不相等。

物理气相沉积靶构造

一种靶构造,所述靶构造包括:    包括设置在所述构造的前面上的溅射表面的溅射区域;和    相对于所述溅射区域横向向外且具有从所述溅射区域延伸至所述构造的外边缘的前表面的凸缘区域;和    在所述前表面的至少一部分上的保护层。
 


  
专利号: 200580002299
申请日: 2005年2月2日
公开/公告日: 2007年2月7日
授权公告日:
申请人/专利权人: 霍尼韦尔国际公司
国家/省市: 美国(US)
邮编:
发明/设计人: S·费拉斯、F·阿尔福德、金在衍、S·I·格拉布梅尔、S·D·斯特罗瑟尔斯、A·N·A·雷格、R·M·普拉特、W·H·霍尔特、M·D·佩顿
代理人: 温大鹏 黄力行
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司(72001)
专利代理机构地址: 香港湾仔港湾道23号鹰君中心22字楼()
专利类型: 发明
公开号: 1910304
公告日:
授权日: 20
公告号: 0000000
优先权: 美国2004年2月3日60/541,665
审批历史:
附图数: 10
页数: 12
权利要求项数: 5
国际公布号: WO2005/074640
国际公布日: 2005年8月18日
国际公布语言:
国际申请号: PCT/US2005/003437
国际申请日: 2005年2月2日
进入国家阶段日: 2006年7月12日
PCT:
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