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| 设置ｉＰＶＤ系统（２００），用于将例如阻挡材料（９１２）的均一材料沉积在半导体衬底（２１）上的高深宽比的纳米尺寸构件（１１）中，所采用的工艺在真空室（３０）内相对于表面（１０）和底部（１５）覆盖而增加了侧壁（１６）覆盖，而使突悬（１４）最小和消除。在低靶功率和＞５０ｍＴ的高压下操作ｉＰＶＤ系统（２００），从而由靶溅射材料。将ＲＦ能量耦合到处理室中，从而形成高密度等离子体。为了提高覆盖特别是底部覆盖，可施加小ＲＦ偏压（仅数伏特）。 |
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离子化物理气相沉积(IPVD)工艺
操作沉积系统的方法，包括： 将图案化衬底置于处理室内的晶片台上； 在所述处理室中生成高密度等离子体，其中所述高密度等离子体包含涂层材料离子和大量处理气体离子； 使所述图案化衬底暴露于所述高密度等离子体中； 进行低净沉积（ＬＮＤ）工艺，其中调节靶功率或衬底偏压功率或其组合来建立ＬＮＤ沉积速率，所述ＬＮＤ沉积速率包括所述图案化衬底表面区域上的超低沉积速率；和 将材料沉积在所述图案化衬底的构件中，而在构件开口处基本上不形成材料突悬。
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