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将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备 |
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| 一种等离子体反应器包括真空室，该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架，及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的ＲＦ等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率，及连接到该晶圆支撑托架的ＲＦ等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。 |
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将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备
一种物理气相沉积及再溅射等离子体反应器，包括： 真空室，其包括侧壁、室顶板及靠近该室底板的晶圆支撑托架，以及与该室连接的真空泵； 与所述真空室连接的处理气体入口，以及与所述处理气体入口连接的处理气体源； 位于该室顶板的金属溅射靶材； 与溅射靶材耦合的高压直流电源，并能在靠近所述靶材处激发出靶材溅射等离子体； ＲＦ等离子体源功率产生器，其耦合至该晶圆支撑托架并具有一频率，该频率适宜在靠近该晶圆支撑托架处激发位于晶圆溅射等离子体中的运动电子；及 ＲＦ等离子体偏压功率产生器，其耦合至该晶圆支撑托架并具有一频率，该频率适宜将来自该晶圆溅射等离子体的离子加速越过靠近该晶圆支撑托架的等离子体鞘层。
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